SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
5543 2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對(duì)外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281550 采用Chiplet技術(shù)的光口速率可以達(dá)到驚人的2Tbps。而本文介紹的同樣采用Chiplet技術(shù)的HBM，訪存帶寬高達(dá)425GB/s，那么采用這樣光口和緩存的網(wǎng)卡會(huì)是一種怎樣的高性能呢？對(duì)NIC或者
2020-11-08 10:56:009585 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器，通過使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131471 
3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道，美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-30 10:03:024223 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073582 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471495 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002687 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
2023-10-25 18:25:242156 
HBM1X1M - Bluetooth V1.2 Class 1 Module - HANAMICRON
2022-11-04 17:22:44
HBM9C3M - SafeSite Series LED High Bay Fixture - Dialight Corporation
2022-11-04 17:22:44
擁有高精度的檢測(cè)儀器對(duì)于電機(jī)測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性尤為重要，直接關(guān)系到檢測(cè)結(jié)果的真實(shí)性。隨著國(guó)際合作交流的進(jìn)一步深入和國(guó)內(nèi)對(duì)電機(jī)測(cè)試精度要求的不斷提高，將會(huì)有更多的檢測(cè)機(jī)構(gòu)和企業(yè)使用HBM扭矩傳感器。今天小編帶大家來(lái)了解一下HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況。
2021-01-22 07:33:46
HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測(cè)量扭矩和轉(zhuǎn)速，是第一款扭矩法蘭，采用測(cè)量剪應(yīng)力替代扭矩應(yīng)力對(duì)扭矩進(jìn)行測(cè)量。這種技術(shù)是HBM公司的專利。它設(shè)計(jì)緊湊，占有非常小的空間；高側(cè)向的防護(hù)允許
2020-06-19 16:31:10
滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)OIML R60 的要求，所以標(biāo)定等級(jí)為 III的計(jì)價(jià)秤的制造商只能安裝 C3 和 C6 等級(jí)的稱重傳感器才能滿足位于巴黎的國(guó)際度量衡組織的要求。實(shí)際上稱重傳感器一般都帶有 OIML
2018-11-02 16:11:12
[/td][td=140]芯片級(jí)系統(tǒng)級(jí)上升時(shí)間2-10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同MK2-芯片級(jí)靜電槍-系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照
2020-10-16 16:36:22
2015年AMD推出了Fiji核心的Fury家族顯卡，率先使用了HBM顯存，由此給GPU市場(chǎng)帶來(lái)了一場(chǎng)革命，盡管Fury系列顯卡市場(chǎng)上不算成功，但AMD在技術(shù)探索上勇氣可嘉，值得稱贊。不過在新一代
2016-12-07 15:54:22
FPGA芯片這兩年大熱，廠商對(duì)性能的追求也提升了，繼Altera之后賽靈思（Xilinx）公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片，該芯片2015
2016-11-10 15:20:074230 AMD Vega 旗艦顯卡將會(huì)在8月登場(chǎng)，使用的是最新的 HBM2 技術(shù)，不過也可能因?yàn)槿绱?，Vega 才一直遲遲無(wú)法現(xiàn)身，畢竟產(chǎn)能是個(gè)問題，NVIDIA 對(duì)于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺，就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會(huì)用上 HBM2，而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063251 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢(shì)，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計(jì)也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國(guó)另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511441 僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-22 16:50:011510 HBM2是使用在SoC設(shè)計(jì)上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2028486 可不僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-26 16:14:001031 據(jù)市場(chǎng)分析，GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無(wú)減，2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531633 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲(chǔ)芯片的簡(jiǎn)寫。
2018-07-02 10:23:001795 雖然缺少光線追蹤及AI單元，AMD發(fā)布的RX Vega II顯卡還是有很多技術(shù)亮點(diǎn)的，不光是7nm工藝，還有16GB HBM2顯存，帶寬也達(dá)到了1TB/s，這可是目前帶寬最高的游戲卡。從2015年首
2019-01-20 10:37:365273 由于制造技術(shù)的進(jìn)步，存儲(chǔ)系統(tǒng)在過去幾年中發(fā)展了很多。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）是最新類型的存儲(chǔ)器芯片的一個(gè)例子，它可以支持低功耗，超寬通信通道和堆疊配置。 HBM子系統(tǒng)涉及不同類型的存儲(chǔ)器控制器（全速，半速），HBM PHY和HBM DRAM。
2019-08-07 16:17:0310295 
日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:113200 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317622 IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道，美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392297 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322058 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461856 Virtex UltraScale+部分芯片中集成了HBM（High Bandwidth Memory）。HBM的容量最小為8GB，最大可達(dá)16GB，極大地增強(qiáng)了存儲(chǔ)帶寬。 先從芯片結(jié)構(gòu)角度看，對(duì)比
2021-09-02 15:09:023089 韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142068 HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363126 “慢而寬”的內(nèi)存技術(shù)，用于減少芯片外內(nèi)存中的信號(hào)傳輸延遲，但現(xiàn)在HBM3正變得越來(lái)越快，越來(lái)越寬。在某些情況下，甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示：“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達(dá)到更高水平，而且更多設(shè)計(jì)可以使用
2021-11-01 14:30:506602 
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)）已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個(gè)重要標(biāo)志和組成部分，尤其是在對(duì)帶寬要求越來(lái)越高的現(xiàn)如今，DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學(xué)習(xí)一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099955 圖 2 顯示了HBM、MM 和 CDM ESD 測(cè)試的電流 （I ESD ） 波形特性。通常，HBM ESD 測(cè)試的應(yīng)力水平大約是 MM ESD 測(cè)試條件的 10 倍。
2022-07-24 11:48:3627037 
CDM、HBM 或 MM 之間沒有相關(guān)性。因此，HBM和CDM測(cè)試通常用于ESD保護(hù)電路測(cè)試。較長(zhǎng)的 I ESD持續(xù)時(shí)間導(dǎo)致片上 ESD 結(jié)構(gòu)的過熱增加。HBM 和 MM 測(cè)試失敗通常出現(xiàn)在柵極氧化層或結(jié)損壞。
2022-08-09 11:49:5215666 
HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)裸片的最大容量為2GB，每個(gè)堆?？梢苑胖?2層裸片，從而可實(shí)現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標(biāo)準(zhǔn)是允許的，但我們尚未看到市場(chǎng)上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343472 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價(jià)格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）是高價(jià)值、高性能存儲(chǔ)器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444711 
HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243686 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33644 
近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB，同比增長(zhǎng)約60%，2024年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)30%。
2023-07-11 18:25:08724 
SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39712 
時(shí)任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，DRAM顆粒由“平房設(shè)計(jì)”改為“樓房設(shè)計(jì)”，所以HBM顯存能夠帶來(lái)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過當(dāng)前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應(yīng)用于高端PC市場(chǎng)，和英偉達(dá)（NVIDIA）展開新一輪的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-13 15:18:24508 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40546 業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過1.2TB/s，先進(jìn)的1β制程節(jié)點(diǎn)提供卓越能效。 2023年7月27日，中國(guó)上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21500 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07614 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版
hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49585 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41552 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07575 與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13480 有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140572 來(lái)源：EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗(yàn)證，該方案采用臺(tái)積電5納米工藝技術(shù)。該平臺(tái)在臺(tái)積電2023北美技術(shù)研討會(huì)合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50274 
目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場(chǎng)占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16389 
)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。而HBM3E 是 HBM3 的擴(kuò)展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達(dá)到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:46428 HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-09 12:32:525334 如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化？
2023-11-29 16:13:18215 
速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
2023-11-29 16:22:53179 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457 
HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出，具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來(lái)產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13215 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376 
英偉達(dá)的圖形處理器（gpu）是高附加值產(chǎn)品，特別是high end h100車型的售價(jià)為每個(gè)6000萬(wàn)韓元（約4.65萬(wàn)美元）。英偉達(dá)將在存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營(yíng)銷的領(lǐng)先者sk海力士自去年以后獨(dú)家向英偉達(dá)供應(yīng)hbm3，領(lǐng)先于三星電子。
2023-11-29 14:37:00519 HBM 存儲(chǔ)器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49152 
為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來(lái)演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13124 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06342 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48941 
美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31165 英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:50613 據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片，這也進(jìn)一步說明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276 美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02412 目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42135 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42127 美光指出，專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn)，有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15154 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量
HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的
HBM核心
技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊
技術(shù)的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:25232 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390 據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05188 美國(guó)記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標(biāo)志著
2024-02-28 14:17:10173 除了GPU，另一個(gè)受益匪淺的市場(chǎng)就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-02-29 09:43:05118 其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51569 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41765 
在以臺(tái)積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中，長(zhǎng)期以來(lái)，保持硅晶圓高效產(chǎn)出的良品率一直是個(gè)難題。然而，這個(gè)難關(guān)如今已經(jīng)蔓延至HBM行業(yè)。
2024-03-07 09:41:25234 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51179 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對(duì)于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競(jìng)爭(zhēng)壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場(chǎng)奪得先機(jī)，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501433 同日，SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個(gè)月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44311 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21309 據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59150 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37314 
HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24390 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04338 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:06146 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107 12層HBM3e將每個(gè)堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:0991 
HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬，為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:101600 
AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312165 
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