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預(yù)計(jì)英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證將于2024 Q1完成。
TrendForce對(duì)HBM市場(chǎng)的最新研究表明，英偉達(dá)計(jì)劃使其HBM供應(yīng)商多元化，以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大、更高效的供應(yīng)鏈管理。三星的 HBM3 (24GB) 預(yù)計(jì)將于今年 12 月完成英偉達(dá)的驗(yàn)證。HBM3e 的進(jìn)展情況如下表所示，美光于 7 月底向英偉達(dá)提供了 8hi (24GB) 樣品，8 月中旬向 SK 海力士提供，10 月初向三星提供。
鑒于 HBM 驗(yàn)證過程的復(fù)雜性（預(yù)計(jì)需要兩個(gè)季度），TrendForce 預(yù)計(jì)一些制造商可能會(huì)在 2023 年底之前獲悉 HBM3e 的初步結(jié)果。不過，普遍預(yù)計(jì)主要制造商將在 2024 年第一季度之前獲得明確的結(jié)果。值得注意的是，最終評(píng)估仍在進(jìn)行中，結(jié)果將影響英偉達(dá)2024 年的采購(gòu)決策。 ?
英偉達(dá)繼續(xù)主導(dǎo)高端芯片市場(chǎng)，擴(kuò)大其先進(jìn)AI芯片陣容
? 2024 年即將到來，多家 AI 芯片供應(yīng)商紛紛推出最新產(chǎn)品。英偉達(dá)目前的 2023 年高端 AI 系列采用了 HBM，包括 A100/A800 和 H100/H800 等型號(hào)。2024 年，英偉達(dá)計(jì)劃進(jìn)一步完善其產(chǎn)品組合。新增加的產(chǎn)品包括使用 6 個(gè) HBM3e 芯片的 H200 和使用 8 個(gè) HBM3e 芯片的 B100。英偉達(dá)還將集成自家基于 Arm 的 CPU 和 GPU，推出 GH200 和 GB200，通過更專業(yè)、更強(qiáng)大的 AI 解決方案增強(qiáng)其產(chǎn)品陣容。
相比之下，AMD 2024 年的重點(diǎn)是采用 HBM3 的 MI300 系列，下一代 MI350 過渡到 HBM3e。該公司預(yù)計(jì)將于2024年下半年開始對(duì) MI350 進(jìn)行 HBM 驗(yàn)證，預(yù)計(jì) 25 年 1 季度產(chǎn)品將大幅增加。 Intel Habana 在 2H22 推出了 Gaudi 2，它采用了 6 個(gè) HBM2e 堆棧。即將推出的 Gaudi 3（預(yù)計(jì)于 2024 年中期推出）預(yù)計(jì)將繼續(xù)使用 HBM2e，但將升級(jí)至 8 個(gè)堆棧。TrendForce認(rèn)為，英偉達(dá)憑借其最先進(jìn)的HBM規(guī)格、產(chǎn)品準(zhǔn)備和戰(zhàn)略時(shí)間表，將在GPU領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，進(jìn)而在競(jìng)爭(zhēng)激烈的AI芯片市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位。
?HBM4 可能轉(zhuǎn)向商品 DRAM 之外的定制
? HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出，具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。這一進(jìn)步標(biāo)志著代工廠和存儲(chǔ)器供應(yīng)商之間針對(duì)每種 HBM 產(chǎn)品的合作努力，反映了高速存儲(chǔ)器技術(shù)不斷發(fā)展的前景。 隨著更高計(jì)算性能的推動(dòng)，HBM4 將從當(dāng)前的 12 層(12hi)堆棧擴(kuò)展到 16 層 (16hi) 堆棧，從而刺激對(duì)新混合鍵合技術(shù)的需求。HBM4 12hi 產(chǎn)品將于 2026 年推出，16hi 型號(hào)將于 2027 年推出。
最后，TrendForce 指出 HBM4 市場(chǎng)的定制需求發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。買家正在啟動(dòng)定制規(guī)范，超越與 SoC 相鄰的傳統(tǒng)布局，并探索將 HBM 直接堆疊在 SoC 頂部等選項(xiàng)。雖然這些可能性仍在評(píng)估中，但 TrendForce 預(yù)計(jì)將針對(duì) HBM 行業(yè)的未來采取更加量身定制的方法。 與商品 DRAM 的標(biāo)準(zhǔn)化方法相反，這種向定制化的轉(zhuǎn)變預(yù)計(jì)將帶來獨(dú)特的設(shè)計(jì)和定價(jià)策略，標(biāo)志著對(duì)傳統(tǒng)框架的背離，并預(yù)示著 HBM 技術(shù)專業(yè)化生產(chǎn)時(shí)代的到來。 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的反彈信號(hào)，讓行業(yè)人士看到“曙光”。
在2024年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示：“2023年，原廠產(chǎn)能策略步調(diào)一致，均以去庫(kù)存為目標(biāo)。目前實(shí)際生產(chǎn)量已經(jīng)低于需求，預(yù)計(jì)第四季度庫(kù)存去化將加速。展望明年，供需將逐步走向平衡，帶動(dòng)價(jià)格緩步上漲?！苯?年來，全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了過山車行情，從2021年的缺貨，供不應(yīng)求，到2022年的產(chǎn)能過剩，2023年第三季度開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)信號(hào)，存儲(chǔ)芯片春天即將到來。 進(jìn)入第四季度，多個(gè)型號(hào)的存儲(chǔ)芯片呈現(xiàn)漲價(jià)之勢(shì)。根據(jù)集邦咨詢最新研究數(shù)據(jù)，今年第四季Mobile DRAM（移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13%至18%。
NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）方面，eMMC（嵌入式多媒體存儲(chǔ)芯片）、UFS（通用閃存存儲(chǔ)芯片）第四季合約價(jià)漲幅約10%至15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。 兆易創(chuàng)新在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示：“大存儲(chǔ)在今年第三季度已經(jīng)達(dá)到了價(jià)格的底部區(qū)間。在今年三季度末大存儲(chǔ)出現(xiàn)一些價(jià)格反彈，此反彈對(duì)利基存儲(chǔ)有一定的帶動(dòng)效應(yīng)，利基存儲(chǔ)價(jià)格也在筑底并有微弱反彈。明年大存儲(chǔ)的價(jià)格有望延續(xù)反彈的走勢(shì)，但也不太會(huì)出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會(huì)隨著大存儲(chǔ)反彈的走勢(shì)，延續(xù)微弱反彈的趨勢(shì)。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時(shí)間。”
審核編輯：黃飛
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