0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

jf_35673951 ? 來(lái)源: jf_35673951 ? 作者: jf_35673951 ? 2023-10-10 10:25 ? 次閱讀

據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開(kāi)發(fā)。而HBM3E 是 HBM3 的擴(kuò)展(Extended)版本。

美光科技日前宣稱(chēng)新款HBM3E同樣可以達(dá)到 1.2 TB/s的速度,skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶(hù)ERP交付樣品。

公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個(gè)堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬(wàn)達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升業(yè)務(wù)效率。

美光方面宣稱(chēng),公司的HBM3E內(nèi)存在提供和友商相同級(jí)別的性能之外,其成本會(huì)比其它友商更低。同時(shí)還表示明年開(kāi)始商業(yè)出貨,當(dāng)前正在尋求這些產(chǎn)品的認(rèn)證。

以上源自互聯(lián)網(wǎng),版權(quán)歸原作所有

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2315

    瀏覽量

    183482
  • ERP
    ERP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    507

    瀏覽量

    34399
  • HBM
    HBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    380

    瀏覽量

    14755
  • HBM3
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    74

    瀏覽量

    154
  • HBM3E
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    78

    瀏覽量

    259
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在早前的報(bào)道中,對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過(guò)剩,業(yè)界有不同的聲音,但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進(jìn)展 ? 9月26日SK
    的頭像 發(fā)表于 10-06 01:03 ?3826次閱讀
    風(fēng)景獨(dú)好?12層<b class='flag-5'>HBM3E</b>量產(chǎn),16層<b class='flag-5'>HBM3E</b>在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

    三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

    近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱(chēng)這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:15 ?544次閱讀

    TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

    9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí),三星電子還
    的頭像 發(fā)表于 09-04 15:57 ?596次閱讀

    三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營(yíng)收貢獻(xiàn)將飆升

    三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:32 ?514次閱讀

    SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

    據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:38 ?852次閱讀

    傳三星HBM3E尚無(wú)法通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證

    三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作,以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而,業(yè)界傳出消息,因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題,導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 11:10 ?508次閱讀

    三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

    據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶(hù)信息。
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:30 ?862次閱讀

    什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

    Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
    發(fā)表于 03-20 14:12 ?2540次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>HBM3E</b>內(nèi)存?Rambus <b class='flag-5'>HBM3E</b>/<b class='flag-5'>3</b>內(nèi)存控制器內(nèi)核

    SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

    同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱(chēng),該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 09:57 ?1106次閱讀

    美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

    內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存,并于 2024 年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:51 ?1211次閱讀
    美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的<b class='flag-5'>HBM3E</b>解決方案,加速人工智能發(fā)展

    美光開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

    HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:51 ?875次閱讀
    美光開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 <b class='flag-5'>HBM3E</b> 解決方案,加速人工智能發(fā)展

    三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

    近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:28 ?1071次閱讀

    三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 11:07 ?780次閱讀

    美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展

    美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱(chēng),公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào),美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3EHBM4路線(xiàn)圖,DRAM與NA
    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:38 ?404次閱讀

    AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

    目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:22 ?631次閱讀