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HBM

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hbm技術(shù)

ESD測(cè)試模式簡(jiǎn)介

ESD測(cè)試模式簡(jiǎn)介

在電子領(lǐng)域,有一個(gè)常常被忽視卻又可能帶來(lái)巨大危害的“隱形殺手”——ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)。靜電放電產(chǎn)生的瞬時(shí)...

2024-12-18 標(biāo)簽:ESD靜電放電測(cè)試模型 313 0

芯片靜電測(cè)試之HBM與CDM詳解

芯片靜電測(cè)試之HBM與CDM詳解

在芯片制造與使用的領(lǐng)域中,靜電是一個(gè)不容小覷的威脅。芯片對(duì)于靜電極為敏感,而HBM(人體模型)測(cè)試和CDM(充放電模型)測(cè)試是評(píng)估芯片靜電敏感度的重要手段。

2024-12-16 標(biāo)簽:芯片集成電路靜電測(cè)試 444 0

ESD HBM測(cè)試差異較大的結(jié)果分析

ESD HBM測(cè)試差異較大的結(jié)果分析

ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...

2024-11-18 標(biāo)簽:ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 420 0

AI時(shí)代核心存力HBM(上)

AI時(shí)代核心存力HBM(上)

? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...

2024-11-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)HBM 586 0

HBM與GDDR內(nèi)存技術(shù)全解析

HBM與GDDR內(nèi)存技術(shù)全解析

在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們?cè)诩軜?gòu)、性能特...

2024-11-15 標(biāo)簽:內(nèi)存HBMGDDR 918 0

芯片封裝技術(shù)中不同術(shù)語(yǔ)的基本定義

在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...

2024-10-09 標(biāo)簽:封裝技術(shù)芯片封裝HBM 844 0

簡(jiǎn)述HBM技術(shù)的重要性

簡(jiǎn)述HBM技術(shù)的重要性

眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開(kāi)創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...

2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 780 0

ESD的3種模型和RF PA ESD保護(hù)方案介紹

ESD的3種模型和RF PA ESD保護(hù)方案介紹

芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過(guò) IEC E...

2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 1455 0

一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)

一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)

最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談?dòng)靡蕴W(wǎng)替代NVLink。

2024-04-22 標(biāo)簽:以太網(wǎng)單芯片交換機(jī) 3753 0

如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新

正如我們?cè)谧畛跎孀鉉elestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時(shí)所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺(tái)積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。

2024-04-08 標(biāo)簽:芯片交換機(jī)HBM 589 0

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hbm資訊

AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場(chǎng)面臨重塑

TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...

2024-12-26 標(biāo)簽:處理器DRAMAI 147 0

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...

2024-12-21 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 219 0

SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

2024-12-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 253 0

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過(guò)程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...

2024-11-29 標(biāo)簽:芯片鍵合HBM 506 0

芯片的HBM靜電都有哪些測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒(méi)有差異

芯片的HBM靜電都有哪些測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒(méi)有差異

在做芯片選型的時(shí)候,我們通常會(huì)對(duì)比各廠家芯片的ESD性能,比如A廠家芯片的HBM靜電指標(biāo)為2KV,B廠家的達(dá)到了4KV,如果在各方面條件都差不多的情況下...

2024-11-27 標(biāo)簽:芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)HBM 804 0

AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)判

AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)判

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上,集邦分析師們都提到AI對(duì)存儲(chǔ)乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...

2024-11-25 標(biāo)簽:AI內(nèi)存市場(chǎng)HBM 2333 0

AI時(shí)代核心存力HBM(中)

AI時(shí)代核心存力HBM(中)

HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...

2024-11-16 標(biāo)簽:芯片DRAMHBM 345 0

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在...

2024-11-13 標(biāo)簽:芯片SK海力士HBM 432 0

三星擴(kuò)建HBM生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計(jì)2027年完工

三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國(guó)忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著三星在HBM市場(chǎng)領(lǐng)...

2024-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子HBM 309 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一,包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^,海力士、我們、三星,都在花費(fèi)大量的精力和財(cái)力打造H...

2024-11-12 標(biāo)簽:內(nèi)存美光人工智能 417 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開(kāi)關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
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    靜電防護(hù)
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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