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標(biāo)簽 > HBM
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在電子領(lǐng)域,有一個(gè)常常被忽視卻又可能帶來(lái)巨大危害的“隱形殺手”——ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)。靜電放電產(chǎn)生的瞬時(shí)...
在芯片制造與使用的領(lǐng)域中,靜電是一個(gè)不容小覷的威脅。芯片對(duì)于靜電極為敏感,而HBM(人體模型)測(cè)試和CDM(充放電模型)測(cè)試是評(píng)估芯片靜電敏感度的重要手段。
ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...
2024-11-18 標(biāo)簽:ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 420 0
? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們?cè)诩軜?gòu)、性能特...
芯片封裝技術(shù)中不同術(shù)語(yǔ)的基本定義
在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開(kāi)創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 780 0
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過(guò) IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 1455 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談?dòng)靡蕴W(wǎng)替代NVLink。
如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新
正如我們?cè)谧畛跎孀鉉elestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時(shí)所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺(tái)積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。
AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場(chǎng)面臨重塑
TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片
? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...
SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用
熱壓鍵合機(jī)TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過(guò)程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...
芯片的HBM靜電都有哪些測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒(méi)有差異
在做芯片選型的時(shí)候,我們通常會(huì)對(duì)比各廠家芯片的ESD性能,比如A廠家芯片的HBM靜電指標(biāo)為2KV,B廠家的達(dá)到了4KV,如果在各方面條件都差不多的情況下...
2024-11-27 標(biāo)簽:芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)HBM 804 0
AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)判
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上,集邦分析師們都提到AI對(duì)存儲(chǔ)乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...
2024-11-25 標(biāo)簽:AI內(nèi)存市場(chǎng)HBM 2333 0
HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在...
三星擴(kuò)建HBM生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計(jì)2027年完工
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國(guó)忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著三星在HBM市場(chǎng)領(lǐng)...
美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一,包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^,海力士、我們、三星,都在花費(fèi)大量的精力和財(cái)力打造H...
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