AI興起推動HBM需求激增，DRAM市場面臨重塑
TechInsights的最新報告揭示了AI興起對高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，HBM的需求呈現(xiàn)出前所未有的高漲態(tài)勢。
報告預(yù)測，到2025年，HBM的出貨量將實現(xiàn)同比70%的顯著增長。這一增長主要歸因于數(shù)據(jù)中心和AI處理器對HBM的依賴程度日益加深。為了處理低延遲的大量數(shù)據(jù)，這些高性能計算平臺越來越傾向于采用HBM作為首選存儲器。
HBM需求的激增預(yù)計將對DRAM市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。隨著市場對HBM的需求不斷增加，制造商可能會調(diào)整其生產(chǎn)計劃，優(yōu)先生產(chǎn)HBM以滿足市場需求。這一轉(zhuǎn)變可能導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的市場份額受到擠壓，從而重塑DRAM市場的競爭格局。
總體而言，AI的興起正在推動HBM需求的快速增長，這將為半導(dǎo)體存儲器市場帶來新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。制造商需要密切關(guān)注市場動態(tài)，靈活調(diào)整生產(chǎn)計劃，以應(yīng)對HBM需求的激增和DRAM市場的潛在變化。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19286瀏覽量
229808 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2315瀏覽量
183482 -
AI
+關(guān)注
關(guān)注
87文章
30887瀏覽量
269062 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
380瀏覽量
14755
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
AI加速采用推動存儲器市場2025年顯著增長
。 報告指出，隨著AI技術(shù)的不斷興起，特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，對高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求呈現(xiàn)出前所未有的高漲態(tài)勢。預(yù)計到2025年，
AI時代核心存力HBM(上)
? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 DRAM 針對不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品，幾個主要大類包括 LPDDR、DD
HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新
隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切，這直接推動了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的快速增長，并
液冷AI服務(wù)器市場面臨挑戰(zhàn),UQD零部件成破局關(guān)鍵
全球AI熱潮持續(xù)升溫，AI芯片需求激增，數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展。伴隨人工智能計算能力的飛躍，高熱功耗（TDP）需求急劇上升，促使液體冷卻解決方案
GPU需求高漲,原廠競相把握HBM3e市場機(jī)遇
AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升，近期消息顯示，不僅HBM（高帶寬存儲器）出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的情況，英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的GPU也面臨
預(yù)計第四季度DRAM市場僅HBM價格上漲
據(jù)市場研究公司TrendForce預(yù)測，2024年第四季度DRAM市場將呈現(xiàn)出一絲暖意，但僅限于高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域。預(yù)計HBM價格將
DRAM與NAND市場迎高增長，2024年收入飆升
據(jù)集邦咨詢最新報告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強(qiáng)勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚(yáng)以及HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)
三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產(chǎn)能，應(yīng)對AI熱潮下的存儲需求
的先進(jìn)制造基地加大投入，提升DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）及高帶寬存儲器（HBM）的產(chǎn)量，力求在AI市場的浪潮中占據(jù)更有利的位置。
SK海力士擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程
SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DR
中國AI芯片和HBM市場的未來
然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動
全球芯片供應(yīng)鏈重構(gòu)，美韓DRAM產(chǎn)能將擴(kuò)增
盡管韓國在邏輯芯片市場的地位有所下滑，但得益于AI芯片需求的激增，DRAM市場如高帶寬存儲器（
AI驅(qū)動半導(dǎo)體市場多元化，DRAM需求呈現(xiàn)上升趨勢
據(jù)業(yè)界觀察，由于無法存在一款能滿足所有人工智能應(yīng)用的通用芯片，因此對包括DRAM在內(nèi)的各類產(chǎn)品的需求必將劇增。三星電子和Naver聯(lián)合研發(fā)的人工智能芯片未采納HBM，轉(zhuǎn)而采用低功耗（LP） DDR5
DRAM市場面臨雙重壓力：庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢
今年市場對DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價，已經(jīng)讓市場開始擔(dān)憂庫存回補(bǔ)的動能會減弱。
AI需求激增，三星與SK海力士計劃增產(chǎn)高價值DRAM
隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能內(nèi)存的需求也日益增長。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到
工商網(wǎng)監(jiān)
評論