HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對(duì)高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切，這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，并對(duì)HBM的性能提出了更為嚴(yán)苛的要求。近日，韓國(guó)SK集團(tuán)董事長(zhǎng)崔泰源透露，英偉達(dá)公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請(qǐng)求，希望其能提前六個(gè)月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4。

HBM4作為內(nèi)存技術(shù)的最新成果，相較于前代HBM3，在多個(gè)方面實(shí)現(xiàn)了顯著的技術(shù)突破。首先，在內(nèi)存密度方面，HBM4大幅提升，支持更大的存儲(chǔ)容量，單個(gè)堆棧的容量即可達(dá)到32GB甚至更高，從而滿足了高性能計(jì)算和AI應(yīng)用對(duì)于大容量存儲(chǔ)的迫切需求。

其次，在數(shù)據(jù)傳輸方面，HBM4同樣表現(xiàn)出色。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)6.4 GT/s，接口寬度也從1024位升級(jí)至2048位，這一升級(jí)顯著增強(qiáng)了并發(fā)數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪芰?，有效降低了?shù)據(jù)傳輸延遲，特別是在多處理器或多GPU系統(tǒng)中，其優(yōu)勢(shì)更為明顯。

此外，HBM4還具備低功耗特性，這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的高性能計(jì)算和AI應(yīng)用而言，無(wú)疑是一個(gè)巨大的福音。低功耗不僅有助于降低系統(tǒng)的整體能耗，還能提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

據(jù)悉，英偉達(dá)已與SK海力士簽訂了優(yōu)先供應(yīng)協(xié)議，雙方將共同致力于高性能內(nèi)存技術(shù)，特別是HBM技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。此前，英偉達(dá)、SK海力士以及臺(tái)積電已宣布深化三方合作，共同推動(dòng)HBM4技術(shù)的研發(fā)與量產(chǎn)。預(yù)計(jì)HBM4將于2026年開始量產(chǎn)，屆時(shí)將為下一代計(jì)算和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用帶來(lái)全新的可能性。

英偉達(dá)還計(jì)劃在2026年推出名為“Rubin”的下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)，該架構(gòu)將集成HBM4芯片，以滿足日益增長(zhǎng)的高帶寬需求。隨著AI相關(guān)需求的不斷增加，HBM4預(yù)計(jì)將在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車駕駛等高性能計(jì)算領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。特別是在AI訓(xùn)練與推理模型中，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU規(guī)格的提升將推動(dòng)對(duì)HBM產(chǎn)品的需求和技術(shù)更迭。

在強(qiáng)勁的AI技術(shù)需求驅(qū)動(dòng)下，英偉達(dá)希望通過(guò)HBM4來(lái)確保其產(chǎn)品能夠支持這些快速增長(zhǎng)的高帶寬需求，從而保持其在高性能計(jì)算和AI應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。