完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。
讀操作時,先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢姡瑢@樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。
讀操作時,先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
本文介紹了動態(tài)隨機存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動態(tài)隨機存取器(Dynamic Ra...
? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM 針對不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動態(tài)隨機存儲器,是一種半導(dǎo)體存儲器,用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動設(shè)備市場報告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 554 0
靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Me...
動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,它利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)中...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計簡潔而...
存儲器的刷新是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會逐...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是計算機系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2024-04-24 標(biāo)簽:DRAMcpuusb
類別:電子教材 2023-05-26 標(biāo)簽:DRAM存儲系統(tǒng)
現(xiàn)場存儲器AL422數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-09-17 標(biāo)簽:DRAM存儲器AL422
基于NVM和DRAN的混合內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計方案立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-06-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存NVM
DRAM:產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化孕育中國玩家進(jìn)場良機立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-03-17 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器
TechInsights的最新報告揭示了AI興起對高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...
Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù),開啟低功耗DRAM新篇章
近日,在存儲器解決方案領(lǐng)域,Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實力,宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這...
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片
? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...
南亞科技與補丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存
近日,臺灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布,已與專業(yè)DRAM設(shè)計公司補丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...
近日,備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計業(yè)展覽會(ICCAD-Expo 2024)在上海隆重舉行。來自全球的集成電路產(chǎn)...
來源: thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱,這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...
SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
2024年第三季度全球DRAM市場營收環(huán)比增長13.6%
市場研究機構(gòu)TrendForce近日發(fā)布了最新的研究報告,揭示了2024年第三季度全球DRAM市場的表現(xiàn)。盡管面臨多重挑戰(zhàn),該季度DRAM市場營收仍實現(xiàn)...
上周,華邦電子在滬深兩地舉辦了三場聯(lián)合技術(shù)論壇,每場活動座無虛席,技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車電子、工業(yè)應(yīng)用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計算機,再到消費電子...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |