SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標良率

據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

SK海力士生產(chǎn)主管Kwon Jae-soon表示：“我們已經(jīng)成功地將HBM3E芯片量產(chǎn)所需的時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標良率?！边@標志著SK海力士首次公開披露HBM3E的生產(chǎn)信息。此前，業(yè)界預(yù)計SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之間。

SK海力士在HBM3E（第五代高帶寬存儲）的生產(chǎn)上取得了顯著進展，以下是關(guān)于其量產(chǎn)時間和良率提升的具體信息：

HBM的制造過程涉及在DRAM層間創(chuàng)建TSV（硅通孔）和多次的芯片鍵合，其復(fù)雜程度遠超過標準DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。一層DRAM出現(xiàn)問題就意味著整個HBM堆棧的報廢，這使得提高良率成為了一個重大的技術(shù)挑戰(zhàn)。SK海力士通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝和引入新的技術(shù)解決方案，成功提升了HBM3E的良率。

SK海力士今年的目標是專注于生產(chǎn)8層HBM3E。這一規(guī)格目前是客戶需求的核心，特別是在人工智能（AI）領(lǐng)域。SK海力士已于今年3月份開始供應(yīng)8層HBM3E產(chǎn)品，并計劃在今年第三季度供應(yīng)12層HBM3E產(chǎn)品。12層HBM4（第六代HBM）產(chǎn)品計劃于2025年推出，而16層版本預(yù)計將于2026年投入生產(chǎn)。

快速增長的人工智能市場推動了SK海力士下一代DRAM的快速開發(fā)。到2023年，主要用于人工智能應(yīng)用的HBM和大容量DRAM模塊按價值計算將占整個存儲市場的5%左右。SK海力士預(yù)測，到2028年，這些AI存儲產(chǎn)品將占據(jù)61%的市場份額。