三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達(dá)1280GB/s，容量達(dá)36G

今日，三星電子宣布推出了業(yè)內(nèi)最大容量的HBMDRAM——HBM3E 12H，該系列產(chǎn)品首次采用了12層堆疊技術(shù)。

HBM3E 12H的全天候帶寬可達(dá)驚人的1280GB/s，并且擁有高達(dá)36GB的容量。相較于原有的8層堆疊HBM3 8H，此次升級的HBM3E 12HT不僅在帶寬上提升了近50%，而且在容量方面也有了顯著增長。

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/p>

據(jù)悉，HBM3E 12H運用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層與8層堆疊產(chǎn)品能夠保持相同的高度，適應(yīng)現(xiàn)行的HBM封裝標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)在更高層次的堆疊中優(yōu)勢明顯，可以有效地防止芯片彎曲現(xiàn)象，三星一直致力于減薄非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料厚度，并成功縮小芯片間的間距至7微米（μm），同時消除了層與層之間的空隙，從而大幅提升了HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度。

此外，三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)還優(yōu)化了HBM的熱量管理功能，通過在芯片之間使用不同尺寸的凸點（bump）提高效率。這種技術(shù)在芯片鍵合（chip bonding）過程中的互補(bǔ)效應(yīng)尤為突出，能夠有效提升產(chǎn)品良率。

據(jù)三星電子稱，與HBM3 8H相比，HBM3E 12H在大數(shù)據(jù)處理上將帶來34%的效率提升，同時客戶規(guī)模也能因性能增強(qiáng)提升超過11.5倍。

據(jù)報道，三星已經(jīng)開始為客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計在下半年全面投入大規(guī)模生產(chǎn)。