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三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-08-08 10:06 ? 次閱讀

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。

據(jù)三星電子官方表示,他們無法證實與客戶相關(guān)的具體報道內(nèi)容,并直接指出這一報道是不準(zhǔn)確的。同時,三星電子的一位高管進(jìn)一步透露,目前HBM3E芯片的質(zhì)量測試工作仍在緊鑼密鼓地進(jìn)行中,與上月公司財報電話會議時所通報的進(jìn)展并無任何變化。

此次澄清消除了市場對于三星HBM3E芯片進(jìn)展的誤解,也再次強調(diào)了公司在產(chǎn)品測試和質(zhì)量保證方面的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度。未來,隨著測試的深入,相信會有更多關(guān)于這款先進(jìn)芯片的具體信息被逐步披露。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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