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三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-08-08 10:06 ? 次閱讀

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。

據(jù)三星電子官方表示,他們無(wú)法證實(shí)與客戶相關(guān)的具體報(bào)道內(nèi)容,并直接指出這一報(bào)道是不準(zhǔn)確的。同時(shí),三星電子的一位高管進(jìn)一步透露,目前HBM3E芯片的質(zhì)量測(cè)試工作仍在緊鑼密鼓地進(jìn)行中,與上月公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)所通報(bào)的進(jìn)展并無(wú)任何變化。

此次澄清消除了市場(chǎng)對(duì)于三星HBM3E芯片進(jìn)展的誤解,也再次強(qiáng)調(diào)了公司在產(chǎn)品測(cè)試和質(zhì)量保證方面的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度。未來(lái),隨著測(cè)試的深入,相信會(huì)有更多關(guān)于這款先進(jìn)芯片的具體信息被逐步披露。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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