NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存
3月25日報道，英偉達即將自九月起大批量采購三星電子提供的12層HBM3E內(nèi)存，該內(nèi)存由三星獨家供應(yīng)。
在GTC2024大會上，黃仁勛為三星電子12層HBM3E原件簽字評價“黃仁勛認證（JENSEN APPROVED）”。
雖然SK海力士在部分制造過程中遇到困難，未能如期推出12層HBM3E產(chǎn)品，但將在本月底啟動批量生產(chǎn)8層HBM3E。
此前，三星已于2月27日宣布研發(fā)出全球首款36GB 12H HBM3E DRAM內(nèi)存。
據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
與此同時，應(yīng)用該內(nèi)存的人工智能訓練速率平均提高了34%，推理服務(wù)能力更是提高了超乎想象的11.5倍。
對比而言，威盛在2024年的技術(shù)型展會中，嶄新推出了B200和GB200系列芯片。
據(jù)黃仁勛介紹，B200芯片搭載了2，080億枚晶體管，借助臺積電4NP工藝，最大可支持約10萬億個人工智能參數(shù)，并實現(xiàn)單GPU達20PFLOPS的強大運算能力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1791文章
47274瀏覽量
238464 -
英偉達
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3776瀏覽量
91079 -
HBM3
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
74瀏覽量
154 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
78瀏覽量
259
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
芯片。作為當前市場上最先進的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對三星提供的兩種
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng)，明確表示該報道并不屬實。
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3
三星與AMD達成HBM3E采購大單，總金額達4萬億韓元
三星方面表示，預(yù)計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星
三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
發(fā)表于 03-29 10:47
?504次閱讀
三星電子HBM存儲技術(shù)進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的
三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內(nèi)存
據(jù)最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達1280GB/s，容量達36G
“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論