美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達H200

美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項技術將被用于今年第2季度的英偉達（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標志著美光在該領域處于業(yè)界領先地位。這一消息推動美光股價在當天上漲4%，27日美股早盤繼續(xù)上漲逾2.5%。

HBM3E是第五代高頻寬記憶體，目前提供的容量為24GB，每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb，記憶體頻寬達每秒1.2 TB以上。相較于競爭對手，美光HBM3E的功耗降低約30%。

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，公司計劃在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品，該產(chǎn)品的效能可達每秒1.2TB以上，并具備出色的功耗表現(xiàn)。

這一里程碑性的量產(chǎn)對于美光而言是一項重大突破，預計將為公司2024年帶來7億美元的HBM銷售收入。

然而，三星電子也緊隨其后，于27日宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款采用矽穿孔技術的12層堆疊HBM3E。這款新產(chǎn)品的容量達到36GB，是迄今為止業(yè)內(nèi)最大的容量，已經(jīng)開始提供樣品，并計劃在下半年進行量產(chǎn)。

在同一領域，SK海力士于1月中旬完成HBM3E的開發(fā)，并計劃于3月開始量產(chǎn)。然而，美光的成功量產(chǎn)使得SK海力士的進度顯得相對滯后。Omdia最新的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年第4季，三星電子在全球DRAM市場的份額為45.7%，SK海力士為31.7%，而美光為19.1%。

隨著高性能計算和人工智能應用的不斷發(fā)展，HBM作為一種快速增長的存儲技術，預計其市場規(guī)模將從2023年的39億美元增長至2027年的89億美元。在這一領域，美光通過HBM3E的量產(chǎn)成功，進一步鞏固了其在存儲技術領域的領先地位。

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審核編輯 黃宇