2024年3月19日,全球半導(dǎo)體行業(yè)的目光再次聚焦在SK海力士身上,因為這家科技巨頭宣布了一項令人矚目的成就——成功實現(xiàn)了用于人工智能領(lǐng)域的超高性能存儲器新產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn),并計劃于當(dāng)月末向全球客戶供貨。這一里程碑式的進展,距離去年8月宣布完成HBM3E的開發(fā)僅短短7個月,再次印證了SK海力士在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域的卓越能力。
HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。這款專為AI系統(tǒng)打造的存儲器產(chǎn)品,不僅具備出色的數(shù)據(jù)處理能力,更在速度規(guī)格上達到了前所未有的水平。它的出現(xiàn),為AI領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力,滿足了全球大型科技公司對AI芯片性能日益增長的需求。
為了滿足AI系統(tǒng)對快速處理大量數(shù)據(jù)的需求,HBM3E在設(shè)計上充分考慮了散熱等關(guān)鍵因素。SK海力士在研發(fā)過程中,成功應(yīng)用了先進的Advanced MR-MUF技術(shù),使得新產(chǎn)品的散熱性能相比前一代產(chǎn)品有了顯著提升,確保了在高負(fù)荷運行下的穩(wěn)定性和可靠性。
HBM3E的最高數(shù)據(jù)處理速度可達每秒1.18TB,這一驚人的速度意味著它能夠在極短的時間內(nèi)完成大量數(shù)據(jù)的處理和分析,為AI系統(tǒng)的運行提供了強有力的支持。無論是處理復(fù)雜的圖像識別任務(wù),還是進行大規(guī)模的數(shù)據(jù)挖掘和分析,HBM3E都能輕松應(yīng)對,展現(xiàn)出其卓越的性能和穩(wěn)定性。
SK海力士HBM業(yè)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示:“我們非常榮幸能夠成功實現(xiàn)全球首個HBM3E的量產(chǎn),這不僅是我們在AI存儲器領(lǐng)域的一次重大突破,更是對我們技術(shù)實力和研發(fā)能力的充分肯定。我們將繼續(xù)深化與客戶的合作關(guān)系,鞏固我們作為‘全方位人工智能存儲器供應(yīng)商’的地位,為全球AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻更多創(chuàng)新力量。”
審核編輯:黃飛
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