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　　三星宣布正在擴(kuò)大8GB HBM2的生產(chǎn)量，滿足人工智能、HPC（高性能計(jì)算），先進(jìn)圖形繪制、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

　　三星半導(dǎo)體事業(yè)部今天宣布將會(huì)提高8GB HBM2顯存產(chǎn)能，以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。三星最先在去年初量產(chǎn)出4GB容量的HBM2顯存，并且使用了相同的多層堆棧技術(shù)以提高單顯存芯片容量。三星選擇這個(gè)時(shí)機(jī)增加HBM2產(chǎn)能，和可能與NVIDIA將會(huì)在下一代Volta架構(gòu)游戲顯卡中大規(guī)模引入HBM2顯存有關(guān)。

　　三星電子存儲(chǔ)銷售與營(yíng)銷團(tuán)隊(duì)副總裁Jaesoo Han表示，“通過(guò)擴(kuò)產(chǎn)行業(yè)獨(dú)有的8GB HBM2產(chǎn)品，確保充足的供應(yīng)滿足IT系統(tǒng)廠商開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品和升級(jí)系統(tǒng)，三星將與客戶密切合作，持續(xù)提供更先進(jìn)的HBM2產(chǎn)品線?！?/p>

　　三星8GB HBM2由8個(gè)8Gb Die和一個(gè)緩沖Die在底部組成，通過(guò)TSV硅穿孔和micro-bumps微凸點(diǎn)技術(shù)彼此連接。每個(gè)8Gb Die包含5000多個(gè)TSV硅穿孔，三星8GB HBM2封裝有40000多個(gè)TSV。

　　三星半導(dǎo)體說(shuō)宣布增加8GB HBM2顯存的目的很簡(jiǎn)單，就是滿足各行各業(yè)在如人工智能、HPC高性能計(jì)算、先進(jìn)的繪圖性能、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器的需求，這些應(yīng)用對(duì)于超高帶寬的顯存有著極致需求。

　　三星研發(fā)的8GB HBM2顯存技術(shù)上與之前的4GB基本一致，只不過(guò)是由原來(lái)的4-Hi堆棧提升至8-Hi堆棧，每一層顯存容量為8Gb（1GB），8層共同構(gòu)成8GB容量，想比原來(lái)傳統(tǒng)的GDDR5顯存可以節(jié)省95%的PCB面積（AMD Fury和Vega就是最好的例證）。不過(guò)也別小瞧了三星的這個(gè)8-Hi堆棧，每層die之間都需要使用TSV硅穿孔技術(shù)連接，一層就要打上5000個(gè)微孔，8層就是40000多個(gè)孔，確實(shí)可怕。

　　三星的HBM2顯存擁有256GB/s的帶寬，是現(xiàn)在的GDDR5顯存8倍之多，也是HBM1的兩倍，而且HBM2的效能也得到了提升，每瓦特帶寬是GDDR5的兩倍，對(duì)于數(shù)據(jù)密集型計(jì)算的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，優(yōu)勢(shì)巨大。

　　HBM2擁有256GB/s的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，是32GB/s GDDR5 DRAM芯片的8倍，較4GB容量翻倍的8GB HBM2有助于提高系統(tǒng)的性能和能源效率，可理想的升級(jí)密集、高端計(jì)算應(yīng)用的數(shù)據(jù)處理，以及并行計(jì)算和圖形繪制。

　　為了滿足市場(chǎng)需求的增加，三星預(yù)計(jì)到2018上半年大量生產(chǎn)的8GB HBM2在HMB2的占比將超過(guò)50%。

　　HBM2和TSV（Through Silicon Via）技術(shù)應(yīng)用于最新的DRAM解決方案，三星承諾致力于DRAM技術(shù)的創(chuàng)新，三星8GB HBM2可體現(xiàn)行業(yè)HBM2性能的最高水平，以及可靠性和能源效率。

　　此外三星甚至放言，在明年上半年之前，旗下所生產(chǎn)的8GB HBM2顯存將會(huì)覆蓋50%以上的HBM2市場(chǎng)。如果沒(méi)有NVIDIA的幫助，三星能完成自己放出的任務(wù)嗎？

　　雖說(shuō)NVIDIA是三星HBM2顯存的最大客戶，在之前的NVIDIA Tesla P100、V100均已經(jīng)用上了16GB的HBM2顯存，但是NVIDIA在Pascla架構(gòu)上，頂級(jí)的GTX 1080、GTX 1080 Ti、Titan X、Titan Xp上只是用上了與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)的超高頻率GDDR5X顯存，由高頻彌補(bǔ)GDDR5顯存帶寬不如HBM2的缺點(diǎn)，如此算來(lái)，GDDR5X還不算落后，NVIDIA可能因?yàn)槌杀驹虿恢庇蒙螲BM2顯存。

　　而另一方面AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢(shì)，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計(jì)也在路上了。不過(guò)AMD的HBM2顯存則是由韓國(guó)另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存。