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電子發(fā)燒友網(wǎng)>人工智能> Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

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GDDR6和HBM2E雙利器!Rambus內(nèi)存接口方案助力突破AI應(yīng)用帶寬瓶頸

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2020-12-21 22:15:275838

還沒(méi)用上HBM2E?HBM3要來(lái)了

的2Gbps,HBM2E將這一速度提升到了3.2Gbps,并且單堆棧12 Die能夠達(dá)到24GB的容量,理論最大帶寬410GB/s。同時(shí),按照設(shè)計(jì)規(guī)范,對(duì)于支持四堆棧的圖形芯片來(lái)說(shuō),總帶寬高達(dá)1.64TB
2021-08-23 10:03:281523

新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口

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2020-10-23 15:20:174835

AI算力需求的暴增,HBM和GDDR SDRAM成為AI芯片新的內(nèi)存方案

然而在此過(guò)程中,我們除了看到AI對(duì)算力的要求以外,內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個(gè)關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個(gè)優(yōu)先選擇,這也是英偉達(dá)在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個(gè)內(nèi)存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402414

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,通過(guò)使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個(gè)DRAM芯片進(jìn)行堆疊,并與GPU一同進(jìn)行封裝,形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131328

最新HBM3內(nèi)存技術(shù),速率可達(dá)8.4Gbps,RambusIP到系統(tǒng)再到封裝的全面優(yōu)化

出貨將會(huì)專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過(guò)在一個(gè)2.5D封裝中將
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HBM3首發(fā)GPU,又要進(jìn)軍自動(dòng)駕駛

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AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ),HBM3 DRAM再升級(jí)

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Rambus通過(guò)業(yè)界領(lǐng)先的24Gb/s GDDR6 PHY提升AI性能

GDDR6能夠?yàn)槿斯ぶ悄?機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)、圖形和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供高成本效益、高帶寬的內(nèi)存性能。 ? Rambus首席運(yùn)營(yíng)官范賢志
2023-05-17 13:47:04313

Rambus推出6400MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng),進(jìn)一步提升服務(wù)內(nèi)存性能

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2023-02-22 10:50:46

DDR3存儲(chǔ)接口控制器IP助力數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

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Firefly支持AI引擎Tengine,性能提升,輕松搭建AI計(jì)算框架

的計(jì)算圖表示。ARM專用AI引擎 Tengine支持了Firefly平臺(tái),可以輕松搭建AI計(jì)算框架,性能大幅提升,助力AI開(kāi)發(fā)。在Firefly-RK3399平臺(tái)上,安裝Tengine后,可以運(yùn)行
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MM32系列微控制器

MM32系列是靈動(dòng)微電子于2020年推出的新一代通用MCU平臺(tái),旨在為客戶提供更高性能、更低功耗、更高可靠性、穩(wěn)定性和健壯性的微控制器。全新MM32硬件上與經(jīng)典MM32全兼容,保留了2.0-5.5V
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[資訊] Novachips發(fā)布其最新SATA3 6Gbps SSD控制器NVS3600A 位于韓國(guó)的SSD(固態(tài)硬盤(pán))控制器設(shè)計(jì)公司,Novachips(www.novachips.com),在
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自動(dòng)完成連接、診斷、識(shí)別以及初始化SATA存儲(chǔ)設(shè)備,輸出SATA設(shè)備的Identify Data Structure。SATA3.0 Host IP內(nèi)置DMA控制器,用戶不但可以通過(guò)IO接口訪問(wèn)
2021-01-13 22:17:29

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SSD的高性能存儲(chǔ)控制器,不但提供對(duì)PCIe SSD的配置管理功能,而且提供對(duì)PCIe SSD的IO(Page)讀寫(xiě)以及DMA讀寫(xiě)功能。NVMe Host Controller IP具備PCIe
2024-03-09 13:56:04

什么是DDR?DDR內(nèi)存的演進(jìn)之路

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2022-10-26 16:37:40

什么是微控制器MCU

的應(yīng)用中。微控制器基礎(chǔ)知識(shí)微控制器包括單個(gè)芯片上的小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要元件。它們包含內(nèi)存,IO和CPU以及同一芯片。這大大減小了尺寸,使其成為小型嵌入式系統(tǒng)的理想選擇,但這意味著在性能和靈活性方面存在折衷
2022-10-29 10:56:07

利用設(shè)計(jì)網(wǎng)關(guān)的 IP 內(nèi)核在 Xilinx VCK190 評(píng)估套件上加速人工智能應(yīng)用

XCVC1902 量產(chǎn)芯片AI 和 DSP 引擎的計(jì)算性能比當(dāng)今的服務(wù)級(jí) CPU 高 100 倍用于快速原型設(shè)計(jì)的預(yù)構(gòu)建合作伙伴參考設(shè)計(jì)用于前沿應(yīng)用開(kāi)發(fā)的最新連接技術(shù)內(nèi)置 PCIe 第 4 代硬 IP,用于高性能
2022-11-25 16:29:20

在設(shè)計(jì)中實(shí)例化的DDR3內(nèi)存控制器內(nèi)存控制器生成的設(shè)計(jì)生成的設(shè)計(jì),得到錯(cuò)誤如何解決

的DDR3內(nèi)存控制器內(nèi)存控制器生成的設(shè)計(jì)生成的設(shè)計(jì),我得到此錯(cuò)誤“啟動(dòng)狀態(tài)結(jié)束:低。在我的設(shè)計(jì)或PCIe中只有PCIe內(nèi)核的其他比特流示例設(shè)計(jì)已成功配置。分享我的一些觀察, - 配置過(guò)程中電壓似乎穩(wěn)定
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控制器 (MCU) 供應(yīng)商正在穩(wěn)步增加其設(shè)備中的內(nèi)存容量,但這足以支持人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)交叉點(diǎn)的設(shè)計(jì)需求嗎?超低功耗 MCU 供應(yīng)商 Ambiq Micro 與存儲(chǔ)公司
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數(shù)據(jù)怎么傳輸?各引腳怎么配合?怎么確定訪問(wèn)地址、設(shè)置內(nèi)存控制器?
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搭載PFC控制器的AC/DC轉(zhuǎn)換IC

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請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)物理綜合與優(yōu)化去提升設(shè)計(jì)性能

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2006-03-13 13:09:45705

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Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限,因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能,7nm是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù)。
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Rambus GDDR6 PHY內(nèi)存達(dá)18 Gbps 延續(xù)了公司長(zhǎng)期開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)

IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能Rambus GDDR6 PHY IP以業(yè)界最快的18 Gbps數(shù)據(jù)速率運(yùn)行,提供比當(dāng)前DDR4解決方案快四到五倍的峰值性能,延續(xù)了公司長(zhǎng)期開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)。
2019-11-15 16:07:03883

Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理層方案 可幫助企業(yè)輕松用上HBM2E

最近,JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)HBM2E,針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對(duì)于一些大企業(yè),集成這些技術(shù)可以說(shuō)不費(fèi)吹灰之力,但不是誰(shuí)都有這個(gè)實(shí)力。
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SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器已投入量產(chǎn)

16GB/stack的容量。 HBM2E對(duì)HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來(lái)提升性能,作為中代產(chǎn)品,能提供更高的時(shí)鐘速度,更高的密度(12層,最高可達(dá)24GB)。三星是第一個(gè)將16GB/satck
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HBM2E性能提升到4Gbps的方法

為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬,HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計(jì)者的兩個(gè)首選方案。
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三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

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2021-02-20 16:35:461843

Rambus推出支持HBM3內(nèi)存子系統(tǒng),速率可達(dá)8.4Gbps,助力AI/ML性能提升

高達(dá)8.4Gbps的數(shù)據(jù)速率,為人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)和高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用提供TB級(jí)帶寬加速器
2021-08-25 11:46:09758

最新HBM3內(nèi)存技術(shù)速率可達(dá)8.4Gbps

出貨將會(huì)專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過(guò)在一個(gè)2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:374379

HBM3萬(wàn)事俱備 只欠標(biāo)準(zhǔn)定稿

算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上,卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒(méi)有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿,但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341391

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

新思科技推出業(yè)界首個(gè)完整HBM3 IP和驗(yàn)證解決方案,加速多裸晶芯片設(shè)計(jì)

HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363106

什么是HBM3 為什么HBM很重要

點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們 從高性能計(jì)算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用,對(duì)帶寬的需求正在推動(dòng)下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來(lái)2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認(rèn)為是一種
2021-11-01 14:30:506495

Rambus PCIe 6.0控制器的主要特性

是數(shù)據(jù)中心、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)、高性能計(jì)算、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、國(guó)防和航空航天等眾多數(shù)據(jù)密集型市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)互連的共同選擇。Rambus PCIe 6.0控制器在功耗、面積和延遲方面進(jìn)行了優(yōu)化,可為
2022-03-10 11:26:201549

HBM3發(fā)力自動(dòng)駕駛市場(chǎng),其性能未來(lái)可期

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))人工智能的蓬勃發(fā)展促使產(chǎn)業(yè)對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高的性能要求,先進(jìn)計(jì)算處理單元,尤其是ASIC或GPU,為了在機(jī)器學(xué)習(xí)、HPC提供穩(wěn)定的算力表現(xiàn),傳統(tǒng)的內(nèi)存系統(tǒng)已經(jīng)
2022-03-31 11:42:232166

AI 黃金時(shí)段做好準(zhǔn)備的高帶寬內(nèi)存HBM2e 與 GDDR6

AI 訓(xùn)練和推理 SoC 和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員正在通過(guò) HBM2e 和 GDDR 規(guī)范進(jìn)行組合,以確定哪種風(fēng)格最適合他們的下一代設(shè)計(jì)。 幾乎每天都有新的人工智能 (AI) 應(yīng)用程序涌現(xiàn)。然而,訓(xùn)練和推理
2022-07-30 11:53:501805

超級(jí)計(jì)算機(jī)性能百億億次時(shí)代開(kāi)啟 SK海力士HBM3為超算加速

在超級(jí)計(jì)算機(jī)以令人驚訝的速度不斷超越,實(shí)現(xiàn)升級(jí)的背后,存儲(chǔ)芯片的性能持續(xù)提升,不斷突破閾值,為其提供了有力支持。越來(lái)越多的超級(jí)計(jì)算機(jī)也在服務(wù)器上使用高帶寬存儲(chǔ)器(HBM,High Bandwidth Memory),通過(guò)堆疊內(nèi)存芯片。
2022-09-01 15:12:54449

Rambus推出全球首個(gè)PCIe 6.0接口子系統(tǒng) 面向大數(shù)據(jù)與AI領(lǐng)域

10月25日,大名鼎鼎的Rambus宣布,推出全球首個(gè)PCIe 6.0接口子系統(tǒng),主要面向高性能數(shù)據(jù)中心、AI SoC等領(lǐng)域。 Rambus的這套方案包括完整的PHY物理層、控制器IP,完整符合
2022-10-27 10:06:23491

Rambus推出面向高性能數(shù)據(jù)中心和人工智能SoC的PCIe 6.0接口子系統(tǒng)

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布,推出由PHY和控制器IP組成的PCI Express?(PCIe
2022-12-01 16:32:11825

Rambus推出提升GDDR6內(nèi)存接口性能Rambus GDDR6

憑借Rambus GDDR6 PHY所實(shí)現(xiàn)的新一級(jí)性能,設(shè)計(jì)人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣,這項(xiàng)最新成就表明了我們不斷致力于開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的內(nèi)存性能,以滿足生成式AI等先進(jìn)計(jì)算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:36555

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗(yàn)證內(nèi)存性能和利用率對(duì)用戶來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437

再見(jiàn)瓶頸 – 自動(dòng)SoC性能驗(yàn)證就在這里

SoC 性能是市場(chǎng)上的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個(gè)典型的例子是使用 HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)和內(nèi)存控制器。目前在第三代, HBM 擁有高性能, 同時(shí)使用更少的功率, 比 DDR 小得多的外形.也就是說(shuō),團(tuán)隊(duì)如何確保在其 SoC 設(shè)計(jì)的上下文中交付性能?
2023-05-26 11:40:45431

AI推理打造高達(dá)24Gb/s的GDDR6 PHY,Rambus全面支持中國(guó)市場(chǎng)的AI升級(jí)

人工智能在通過(guò)大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練之后,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)打造的完整模型將被集成在邊緣或?qū)嶋H應(yīng)用場(chǎng)之中,往往大量的AI正是應(yīng)用在于邊緣AI推理。與AI訓(xùn)練需要大量的數(shù)據(jù)和算力不同,AI推理對(duì)算力的需求大幅下降
2023-05-26 16:38:421162

Rambus提升GDDR6帶寬,以應(yīng)對(duì)邊緣計(jì)算挑戰(zhàn)

HBM(高帶寬內(nèi)存)于 2013 年推出,是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述,HBM最重要的是帶寬更高,盡管HBM內(nèi)存都以相對(duì)較低的數(shù)據(jù)速率運(yùn)行,但其通道數(shù)更多。例如,以3.6
2023-05-29 09:34:57312

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39686

三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù)

nvidia的a100、h100和其他ai gpu目前使用控制臺(tái)來(lái)制造晶片和2.5包的前端工程。nvidia ai gpu使用的hbm芯片由sk海力士獨(dú)家提供。但是tsmc沒(méi)有能力處理2.5d包裝所需的所有工作。
2023-07-20 10:45:23539

三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù);傳蘋(píng)果悄悄開(kāi)發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點(diǎn)新聞 1、三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)正在努力實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購(gòu)多元化。消息人士稱,這家美國(guó)芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02404

Cadence將收購(gòu)Rambus半導(dǎo)體公司PHY IP資產(chǎn)

Cadence高級(jí)首席副總經(jīng)理兼ip集團(tuán)總經(jīng)理博伊德?菲爾普斯所說(shuō)的話。內(nèi)存和serdes ip設(shè)計(jì)及整合ai、數(shù)據(jù)中心及超大型應(yīng)用程序,cpu的架構(gòu)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的設(shè)計(jì)繼續(xù)對(duì)必需的因素,是rambus ip和經(jīng)驗(yàn),許多球隊(duì)的參與是促進(jìn)設(shè)計(jì)的提高采斯的智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)戰(zhàn)略進(jìn)一步加速。
2023-07-21 11:38:08692

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

1.2TB/s,引腳速率超過(guò) 9.2Gb/s,比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的 HBM3 解決方案性能提升最高 50%。美光第二代 HBM3 產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高 2.5 倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI
2023-07-28 11:36:40535

Cadence收購(gòu)Rambus SerDes和存儲(chǔ)器接口PHY IP業(yè)務(wù)

IP 業(yè)務(wù)達(dá)成最終協(xié)議,Rambus 是首屈一指的芯片和硅 IP 提供商,致力于提高數(shù)據(jù)速率和安全性。Rambus 將保留其數(shù)字 IP 業(yè)務(wù),包括存儲(chǔ)器和接口控制器以及安全 IP。通過(guò)擬定的此次技術(shù)
2023-07-28 17:11:51989

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

性能提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高2.5倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心性能
2023-08-01 15:38:21489

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品,其帶寬超過(guò)1.2TB/s,引腳速度超過(guò)9.2Gb/s,相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍,據(jù)稱
2023-08-07 17:38:07587

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位。”
2023-08-21 09:21:49564

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說(shuō)是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559

三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140556

創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證,速度為8.4Gbps

區(qū)進(jìn)行了展示。利用臺(tái)積電業(yè)界領(lǐng)先的CoWoS?技術(shù),平臺(tái)包含功能齊全的HBM3控制器和PHY IP以及供應(yīng)商HBM3儲(chǔ)存器。 Level4自動(dòng)駕駛計(jì)算機(jī)所需的計(jì)算量呈爆炸式增長(zhǎng),因此車用處理器紛紛采用基于2.5D小芯片的架構(gòu)和HBM3存儲(chǔ)器。在惡劣的車用環(huán)境和高可靠性要求下,2.5D互連的持續(xù)監(jiān)控和
2023-09-07 17:37:50250

湯谷智能首家在國(guó)產(chǎn)工藝線(n+1)完成HBM IP的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

封裝的新型內(nèi)存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計(jì)算芯片中,HBM芯粒通過(guò)硅轉(zhuǎn)接板與計(jì)算芯粒實(shí)現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián),具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術(shù)優(yōu)勢(shì),可以滿足AI大模型高訪存的需求,成為當(dāng)前高性能智能計(jì)算芯片最主要的技術(shù)路線,其中核心技術(shù)是計(jì)算芯粒與
2023-09-20 14:36:32665

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

,skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個(gè)堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬(wàn)達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:46400

Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps性能,可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內(nèi)存吞吐量超過(guò) 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:06329

大模型時(shí)代必備存儲(chǔ)之HBM進(jìn)入汽車領(lǐng)域

大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識(shí),存儲(chǔ)帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo),甚至某些場(chǎng)合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標(biāo),而汽車行業(yè)也開(kāi)始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11225

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來(lái)

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885

Rambus推出9.6Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP

人工智能(AI)無(wú)疑是近幾年最火的技術(shù)。從開(kāi)發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟,即AI訓(xùn)練和AI推理。
2023-12-22 13:50:33518

Rambus 通過(guò)業(yè)界首款第四代 DDR5 RCD 提升數(shù)據(jù)中心服務(wù)器性能

年第四季度開(kāi)始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 (RDIMM) 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s,設(shè)立了新的性能標(biāo)桿,相比目前的 4800 MT
2023-12-28 11:21:57211

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存,搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:50586

英偉達(dá)斥資預(yù)購(gòu)HBM3內(nèi)存,為H200及超級(jí)芯片儲(chǔ)備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片,這也進(jìn)一步說(shuō)明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04234

Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP速率達(dá)到9.6 Gbps

在人工智能大模型浪潮的推動(dòng)下,AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正極速擴(kuò)增。以ChatGPT為例,去年11月發(fā)布的GPT-3,使用1750億個(gè)參數(shù)構(gòu)建,今年3月發(fā)布的GPT-4使用超過(guò)1.5萬(wàn)億個(gè)參數(shù)。海量的數(shù)據(jù)訓(xùn)練,這對(duì)算力提出了高需求。
2024-01-23 11:19:09422

SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營(yíng)收增長(zhǎng)5倍

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上,成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42122

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05153

HBM、HBM2、HBM3HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
2024-03-01 11:02:53205

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44253

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21254

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37114

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購(gòu)

 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試,未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24354

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312127

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