Rambus推出提升GDDR6內(nèi)存接口性能的Rambus GDDR6

新聞摘要：

提供用于AI/ML、圖形和網(wǎng)絡應用的高帶寬、低延遲內(nèi)存接口解決方案

提供帶有Rambus GDDR6控制器IP的完整內(nèi)存接口子系統(tǒng)

擴展綜合全面的高性能內(nèi)存解決方案陣容，包括領先的HBM3接口解決方案

2023年5月17日，北京——作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出新的里程碑式產(chǎn)品，提升GDDR6內(nèi)存接口性能。Rambus GDDR6 PHY提供市場領先的數(shù)據(jù)傳輸速率，最高可達24 Gb/s，能夠為每個GDDR6內(nèi)存設備帶來96 GB/s的帶寬。作為系統(tǒng)級解決方案的一部分，Rambus GDDR6能夠為人工智能/機器學習（AI/ML）、圖形和網(wǎng)絡應用提供高成本效益、高帶寬的內(nèi)存性能。

憑借Rambus GDDR6 PHY所實現(xiàn)的新一級性能，設計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負載提供所需的帶寬。和我們領先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進的內(nèi)存性能，以滿足生成式AI等先進計算應用的需求。

范賢志

Rambus首席運營官

除了業(yè)界領先的24Gb/s性能外，Rambus GDDR6 PHY還經(jīng)過了全方位的優(yōu)化，可滿足AI/ML及其他需要高帶寬、低延遲內(nèi)存解決方案的先進應用的需求。Rambus能夠?qū)崿F(xiàn)24Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，依靠的是其在信號完整性和電源完整性（SI/PI）方面享譽世界的專業(yè)知識，這些知識可用于設計PHY、芯片封裝和印刷電路板（PCB）。Rambus GDDR6 PHY可與Rambus GDDR6數(shù)字控制器IP相結合，提供完整的GDDR6內(nèi)存接口子系統(tǒng)解決方案。

憑借領先的速度和帶寬，Rambus GDDR6 PHY將為新一代圖形應用帶來巨大的性能提升。

Soo-Kyoum Kim

IDC內(nèi)存半導體副總裁

Rambus GDDR6 PHY IP的主要特點：

提供最高可達24Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，最大帶寬為96GB/s

可與Rambus GDDR6數(shù)字控制器IP組合成完整的內(nèi)存子系統(tǒng)解決方案

具有LabStation開發(fā)環(huán)境，能夠快速建立系統(tǒng)，進行特性分析和調(diào)試

建立在Rambus 30年的領先高速信號完整性、電源完整性（SI/PI）專業(yè)知識基礎上

提供參考設計以及對封裝和PCB的支持