0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP速率達(dá)到9.6 Gbps

Rambus 藍(lán)鉑世科技 ? 來源:donews ? 作者:donews ? 2024-01-23 11:19 ? 次閱讀

- 以下文章轉(zhuǎn)載自【donews】-

人工智能大模型浪潮的推動(dòng)下,AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正極速擴(kuò)增。以ChatGPT為例,去年11月發(fā)布的GPT-3,使用1750億個(gè)參數(shù)構(gòu)建,今年3月發(fā)布的GPT-4使用超過1.5萬億個(gè)參數(shù)。海量的數(shù)據(jù)訓(xùn)練,這對(duì)算力提出了高需求。

而HBM(高頻寬存儲(chǔ)器)作為內(nèi)存的一種技術(shù)類型,采用創(chuàng)新的2.5D/3D架構(gòu),能夠?yàn)锳I加速器提供具有高內(nèi)存帶寬和低功耗的解決方案,同時(shí)憑借極低的延遲和緊湊的封裝,HBM已成為AI訓(xùn)練硬件的首選。

TrendForce預(yù)估,2024年全球HBM的位元供給有望增長105%;HBM市場(chǎng)規(guī)模也有望于2024年達(dá)89億美元,同比增長127%;預(yù)計(jì)2025年HBM市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)突破100億美元。

近日,作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商, Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)宣布Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP現(xiàn)在可提供高達(dá)9.6 Gbps的性能,可支持HBM3標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。

大幅提升AI性能 提供領(lǐng)先支持

眾所周知,JEDEC(電子工程器件聯(lián)合委員會(huì))將DRAM分為標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動(dòng)DDR以及圖形DDR三類,HBM則屬于圖形DDR中的一種。

在設(shè)計(jì)上,HBM包含了中介層,以及處理器、內(nèi)存堆棧。HBM通過使用先進(jìn)的封裝方法(如TSV硅通孔技術(shù))垂直堆疊多個(gè)DRAM,與GPU通過中介層互聯(lián)封裝在一起,打破了內(nèi)存帶寬及功耗瓶。這也讓傳輸速率成為了HBM的核心參數(shù)。

從2014年全球首款HBM產(chǎn)品問世至今,HBM技術(shù)已發(fā)展至第四代,分別為HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,帶寬和容量分別從最初128GB/S和1GB提升至819GB/S和24GB,傳輸速度從1Gbps提高至6.4Gbps。據(jù)悉,第五代HBM3E已在路上, 由SK Hynix、美光和三星共同發(fā)布,它所支持的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到9.6Gb/s。

98e3c0e4-b99d-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

對(duì)于HBM而言,Rambus并不陌生,早于2016年就入局了HBM市場(chǎng)。此次發(fā)布的Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP專為需要高內(nèi)存吞吐量、低延遲和完全可編程性應(yīng)用而設(shè)計(jì)。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%,總內(nèi)存吞吐量超過1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。

Rambus 接口IP產(chǎn)品管理和營銷副總裁 Joe Salvador介紹稱,該控制器是一種高度可配置的模塊化解決方案,可根據(jù)每個(gè)客戶對(duì)尺寸和性能的獨(dú)特要求進(jìn)行定制。目前已與SK海力士、美光、三星完成了一整套的測(cè)試。對(duì)于選擇第三方HBM3 PHY(物理層)的客戶,Rambus還提供HBM3控制器的集成與驗(yàn)證服務(wù)。

就當(dāng)前HBM市場(chǎng)發(fā)展格局,Joe Salvador坦言道:“目前為止還沒有了解到有哪一家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手跟我們一樣,已經(jīng)有經(jīng)過驗(yàn)證的能夠去支持HBM3 9.6Gbps傳輸速率的內(nèi)存控制器IP。Rambus HBM3內(nèi)存控制器將以高達(dá)9.6Gb/s的性能,為HBM3提供業(yè)界領(lǐng)先的支持?!?/p>

同時(shí),Joe Salvador表示,一家企業(yè)想進(jìn)入到HBM行業(yè)會(huì)面臨相應(yīng)的一些門檻和有諸多的挑戰(zhàn),首先就是對(duì)于總體架構(gòu)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和了解程度不夠。Rambus正是得益于積累了多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和跟主流內(nèi)存廠商合作的經(jīng)驗(yàn),使得所設(shè)計(jì)出來的內(nèi)存控制器可以做到高性能、低功耗,而且對(duì)于客戶來說成本也相對(duì)較低,且具有很好的兼容性。

AI時(shí)代 Rambus將全面發(fā)力

當(dāng)前大模型的百花齊放,讓HBM也水漲船高。

但面對(duì)當(dāng)前AI發(fā)展趨勢(shì),Joe Salvador直言道,目前來說,我們無法預(yù)知它未來會(huì)發(fā)展到何種程度。“目前,還沒有看到AI相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)于高性能計(jì)算、更高的帶寬和內(nèi)存容量的需求有任何下降的趨勢(shì)。所以在可以預(yù)見的將來,這都會(huì)一直推動(dòng)我們持續(xù)地創(chuàng)新,以及推動(dòng)整個(gè)行業(yè)進(jìn)一步地創(chuàng)新。”

他還表示,目前可以看到的是,AI的應(yīng)用場(chǎng)景正在從以前集中在數(shù)據(jù)中心當(dāng)中,逐漸地向邊緣計(jì)算去拓展。對(duì)于Rambus來說,這也就意味著我們業(yè)務(wù)的重心將有可能不再像以前那樣全部集中在數(shù)據(jù)中心當(dāng)中,而是也會(huì)隨著市場(chǎng)需求囊括邊緣計(jì)算的場(chǎng)景。

Rambus 大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷補(bǔ)充稱,AI向前發(fā)展對(duì)技術(shù)方面的需求,主要就是算力和內(nèi)存,算力方面可能不會(huì)有太多的挑戰(zhàn),目前擺在業(yè)界面前的更多是存儲(chǔ)的問題。而Rambus是存儲(chǔ)方面的專家,可以預(yù)見到伴隨著AI的新成長,Rambus會(huì)在這一輪的科技浪潮中發(fā)揮越來越重要的作用,助力AI的成長。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7557

    瀏覽量

    164948
  • Rambus
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    60

    瀏覽量

    18888
  • 人工智能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1800

    文章

    48095

    瀏覽量

    242230

原文標(biāo)題:【媒體報(bào)道】Rambus HBM3速率達(dá)到9.6 Gbps,大幅提升AI性能

文章出處:【微信號(hào):Rambus 藍(lán)鉑世科技,微信公眾號(hào):Rambus 藍(lán)鉑世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí),美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM
    的頭像 發(fā)表于 07-23 00:04 ?4025次閱讀

    DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析

    DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類型(DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2),并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 03-05 13:47 ?505次閱讀
    DDR<b class='flag-5'>內(nèi)存</b><b class='flag-5'>控制器</b>的架構(gòu)解析

    HBM4進(jìn)一步打破內(nèi)存墻,Rambus控制器IP先行

    倍。但我們看到,在相同時(shí)間內(nèi)硬件內(nèi)存的規(guī)模僅增長了兩倍。 ? 那么要完成這些AI模型的任務(wù),就必須投入額外數(shù)量的GPU和AI加速,才能滿足對(duì)內(nèi)存容量和帶寬的需求。同時(shí)內(nèi)存系統(tǒng)也必須不
    的頭像 發(fā)表于 11-19 16:41 ?1309次閱讀
    <b class='flag-5'>HBM</b>4進(jìn)一步打破<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>墻,<b class='flag-5'>Rambus</b><b class='flag-5'>控制器</b><b class='flag-5'>IP</b>先行

    Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

    Rambus Inc.,業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,近日宣布了一項(xiàng)重大突破:推出業(yè)界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內(nèi)存4代)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:33 ?652次閱讀

    Rambus宣布推出業(yè)界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作負(fù)載

    產(chǎn)品組合 ? 圖1:Rambus HBM4控制器 ? 中國北京,2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,
    發(fā)表于 11-13 15:36 ?542次閱讀
    <b class='flag-5'>Rambus</b>宣布推出業(yè)界首款<b class='flag-5'>HBM</b>4<b class='flag-5'>控制器</b><b class='flag-5'>IP</b>,加速下一代AI工作負(fù)載

    Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)針對(duì)服務(wù)內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來有著深厚的技術(shù)實(shí)力,可提供寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:04 ?5254次閱讀
    <b class='flag-5'>Rambus</b>解讀:6400MT/s及以上DDR<b class='flag-5'>內(nèi)存</b><b class='flag-5'>速率</b>,不可或缺的CKD芯片

    中國AI芯片和HBM市場(chǎng)的未來

     然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:40 ?1125次閱讀

    三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測(cè)試

    近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存HBM)芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo),影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
    的頭像 發(fā)表于 05-24 14:10 ?612次閱讀

    Rambus推GDDR7內(nèi)存控制器IP滿足AI應(yīng)用需求

    據(jù)報(bào)道,該公司的 GDDR7 控制器采用 PAM3 信號(hào),運(yùn)行速度高達(dá) 40 Gbps,能為 GDDR7 存儲(chǔ)設(shè)備提供 160 GB/s 的吞吐量,相比其自身研發(fā)的GDDR6
    的頭像 發(fā)表于 04-23 15:52 ?529次閱讀

    三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

    值得注意的是,此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米級(jí)制程工藝,相較前代產(chǎn)品性能提升
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:29 ?831次閱讀

    三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

    慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲
    的頭像 發(fā)表于 04-16 16:46 ?691次閱讀

    HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

    HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024
    的頭像 發(fā)表于 03-30 14:34 ?2323次閱讀
    <b class='flag-5'>HBM3</b>E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

    NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

    據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:36 ?501次閱讀

    英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購

     提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購買HBM3HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)
    的頭像 發(fā)表于 03-20 16:17 ?966次閱讀

    什么是HBM3E內(nèi)存Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

    Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
    發(fā)表于 03-20 14:12 ?3058次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>HBM3</b>E<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>?<b class='flag-5'>Rambus</b> <b class='flag-5'>HBM3</b>E/<b class='flag-5'>3</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b><b class='flag-5'>控制器</b>內(nèi)核