三星強(qiáng)化HBM工作團(tuán)隊(duì)為永久辦公室，欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?
據(jù)悉，三星計(jì)劃將高帶寬內(nèi)存（HBM）研究部門調(diào)整至芯片分部下，作為常規(guī)化的機(jī)構(gòu)運(yùn)作。韓國(guó)媒體引述知情人士的話報(bào)道稱，集團(tuán)內(nèi)存事業(yè)部總裁李正培已下達(dá)此番變動(dòng)指令。如若成行，轉(zhuǎn)型后的辦公室將涵蓋設(shè)計(jì)、解決方案等專項(xiàng)HBM研發(fā)隊(duì)伍，旨在穩(wěn)定良品產(chǎn)量。
這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對(duì)于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競(jìng)爭(zhēng)壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場(chǎng)奪得先機(jī)，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。三星的HBM特別小組源自集團(tuán)芯片分部首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun的提議。
將特別小組升級(jí)為常設(shè)辦事處則表示三星有意推動(dòng)在HBM3E市場(chǎng)的主導(dǎo)地位增強(qiáng)，目前其在此領(lǐng)域超越了SK海力士和美光。此外，美光近期也推出了自家的HBM3E產(chǎn)品，共8層堆疊；與此同時(shí)，三星也在同日宣布推出12層堆疊版本的HBM3E。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7492瀏覽量
163828 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
962瀏覽量
38495 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
380瀏覽量
14756 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
78瀏覽量
259
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)
仍在進(jìn)行中，尚未取得決定性進(jìn)展。盡管如此，此番風(fēng)波再次凸顯了HBM3E作為三星進(jìn)軍英偉達(dá)供應(yīng)鏈關(guān)鍵“鑰匙”的戰(zhàn)略地位。
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測(cè)試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營(yíng)收貢獻(xiàn)將飆升
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達(dá)認(rèn)證
三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行，英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致
三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代
三星與AMD達(dá)成HBM3E采購(gòu)大單，總金額達(dá)4萬億韓元
三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的12
三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信
SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
三星電子擬設(shè)立HBM開發(fā)辦公室
三星電子近期計(jì)劃設(shè)立專門的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）開發(fā)辦公室，旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論