三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
韓國(guó)媒體The Elec于5月10日透露，三星電子已經(jīng)對(duì)其HBM內(nèi)存開(kāi)發(fā)部門(mén)實(shí)行了“雙軌制”改革，旨在提升HBM業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。
具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
新成立的HBM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)由DRAM開(kāi)發(fā)副總裁Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)，直接向存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部總裁李禎培匯報(bào)工作，并已吸引了部分人才加入。
作為AI算力芯片的重要支持，HBM內(nèi)存已成為行業(yè)焦點(diǎn)。下一代HBM4內(nèi)存將在多個(gè)方面做出重大改變，包括堆疊層數(shù)增加到12層甚至16層，以及Base Die走向定制化，以滿(mǎn)足用戶(hù)需求。
值得注意的是，IT之家最近報(bào)道稱(chēng)，SK海力士已將其HBM4內(nèi)存的12層堆疊版本的量產(chǎn)時(shí)間提前至2025年下半年，而三星電子目前仍預(yù)計(jì)在2026年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。
此次三星組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，旨在解決內(nèi)存開(kāi)發(fā)難題，縮短開(kāi)發(fā)周期，從而在HBM4節(jié)點(diǎn)重新確立HBM內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)地位，爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。
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