隨著對生成人工智能(ai)非常重要的hbm成為新一代存儲器半導體的主力,三星電子和美光公司就被SK海力士壟斷的英偉達公司的hbm訂單展開了激烈的競爭。
研究公司TrendForce(集邦咨詢)預測說,nvidia將于今年12月結束對三星電子hbm3的驗證工作。三星電子目前向英偉達提供hbm3樣品,業(yè)內人士認為,根據(jù)下月的驗證結果,三星電子可能會簽訂正式合同。
英偉達的圖形處理器(gpu)是高附加值產品,特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元(約4.65萬美元)。英偉達將在存儲半導體領域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應hbm3,領先于三星電子。因此,sk海力士將與三星電子的dram占有率差距縮小到了4.4個百分點。sk海力士的dram事業(yè)此前雖然沒能避免虧損,但得益于hbm和ddr5等高附加值產品的業(yè)績,今年第三季度和第四季度扭虧為盈。
據(jù)業(yè)內人士預測,美國存儲型半導體企業(yè)美光公司計劃明年批量生產第五代hbm3e,因此,hbm3e的“三國沖突”將全面打響。預計這3家公司將在英偉達推出的h200和b100 ai芯片所需的hbm3e供應上展開激烈的競爭。
據(jù)報道,英偉達為有效管理供應鏈,計劃改變hbm供應商。因此,sk海力士的獨家供應體制可能會結束,競爭時代可能會到來。據(jù)trend force透露,美光、SK海力士和三星電子分別于7月、8月和10月提供了hbm3e樣品。考慮到英偉達通常驗證hbm樣品需要6個月左右的時間,預計供應量的輪廓將于明年揭曉。
分析師黃敏成表示:“sk海力士hbm從今年第二季度和第四季度開始有別于競爭企業(yè),第三季度和第四季度的差距進一步拉大。在hbm與競爭企業(yè)區(qū)別化的過程中,hbm之間的差別正在加速?!県bm與現(xiàn)有的存儲器一代需要1.5至2年的時間不同,只需1年就能完成這一任務,因此有利于市場排名第一的sk海力士?!?/p>
三星電子推出“超級差距(super-gap)”技術,試圖扭轉局面。去年10月在硅谷舉行的“存儲技術日”活動中,三星電子推出了“shibolt”hbm3e dram,作為集成裝置制造企業(yè)(idm),宣布將通過生產作為集成設備制造商(IDM)通過交鑰匙(端到端)擴大市場占有率。另外,三星電子負責d - ram開發(fā)的副總經理Sang-jun Hwang表示:“正在開發(fā)第6代hbm4,預計將于2025年供應?!?/p>
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