三星電子近期發(fā)布預(yù)測(cè),指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預(yù)測(cè)的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番,這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對(duì)高性能內(nèi)存的迫切需求。
展望未來(lái),三星進(jìn)一步預(yù)測(cè),到2026年HBM需求將攀升至350億GB,而到2027年則將突破470億GB大關(guān),展現(xiàn)出持續(xù)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。這一系列預(yù)測(cè)不僅彰顯了HBM市場(chǎng)的巨大潛力,也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)正加速向更高性能、更大數(shù)據(jù)處理能力的方向邁進(jìn)。
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HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,2025年首季DRAM市占排名

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