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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星投產(chǎn)2.4Gbps的HBM2存儲芯片:號稱是業(yè)界最快的DRAM

三星投產(chǎn)2.4Gbps的HBM2存儲芯片:號稱是業(yè)界最快的DRAM

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2013-07-29 09:56:17930

Nvidia Volta架構(gòu)曝光:不是HBM2而是GDDR5X

AMD Vega 旗艦顯卡將會在8月登場,使用的是最新的 HBM2 技術(shù),不過也可能因為如此,Vega 才一直遲遲無法現(xiàn)身,畢竟產(chǎn)能是個問題,NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺,就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會用上 HBM2,而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063241

三星將增加業(yè)內(nèi)最快DRAM - 8GB HBM2的生產(chǎn):以滿足人工智能等市場

作為先進內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者(三星官方用語),三星電子在2017年7月18日宣布,它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2(HBM2)的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求,為人工智能、HPC(高性能計算)、更先進的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:28784

三星生產(chǎn)第五代HBM 2顯存 目前全球速度最快提升至2.4GHz水平

日前三星宣布第五代HBM 2顯存已經(jīng)著手生產(chǎn)了,將會進一步加快HBM 2顯存研發(fā),新一代的“Aquabolt”采用了TSV硅穿孔方式,垂直堆疊了8塊1GB的HBM 2 Die,速度明顯提升至了2.4GHz水平。據(jù)悉,這是目前全球速度最快HBM 2顯存。
2018-01-12 15:18:171748

三星公布2.4Gbps存儲芯片 比GDDR5芯片快9.6倍

三星將這款產(chǎn)品命名為Aquabolt,號稱目前最快DRAM,其對應(yīng)的目標(biāo)客戶是超級計算機、人工智能以及顯卡。
2018-01-13 16:19:011208

HBM2的簡介以及未來發(fā)展 三星押寶HBM2的優(yōu)點解析

HBM2是使用在SoC設(shè)計上的下一代內(nèi)存協(xié)定,可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN),總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2028389

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚,三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619

存儲芯片廠商有哪些_八大存儲芯片廠商排名

本文詳細(xì)介紹了八大存儲芯片廠商排名。存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,目前存儲芯片在我們的生活中也已經(jīng)得到普遍的運用。
2018-04-08 11:52:00110236

中國的三大存儲芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面

當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè),長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1940150

業(yè)界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的異構(gòu)SiP器件公開

Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級封裝(SiP,System-in-Package)器件,集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能
2018-08-16 11:15:001150

三星欲降低存儲芯片產(chǎn)能維持其壟斷地位

當(dāng)前全球存儲芯片主要是DRAM和NAND Flash,三星占有DRAM約45%的市場份額,在NAND Flash市場則占有近四成的市場份額,并且其在技術(shù)方面也具有優(yōu)勢,引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
2018-09-21 15:02:351540

三星嵌入式存儲芯片 全球量產(chǎn)速度最快

三星最新宣布,已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:15747

紫光加持DRAM 行業(yè)正在回暖

8月27日,重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團將在重慶建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠,據(jù)悉,DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設(shè),預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。
2019-08-30 14:21:29603

三星量產(chǎn)全球速度最快的嵌入式存儲芯片

三星宣布,已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401182

三星推出第三代HBM2存儲芯片,適用于高性能計算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185

三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領(lǐng)先

據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎來新春天

部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接,其容量達(dá)到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19432

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲器已投入量產(chǎn)

幾個月前,SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司,就此加入存儲市場競爭行列?,F(xiàn)在,公司宣布它們改進的高速高密度存儲已投入量產(chǎn),能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988

趕日超美,韓國如何制霸全球存儲芯片 27 年

存儲芯片千年老二,SK 海力士一直在老大三星的光環(huán)下承壓前行。這兩家韓國公司的版圖,已覆蓋超過 72% 的全球 DRAM 市場和超過 45% 的全球 NAND 閃存市場。 憑借暴利的存儲芯片三星和 SK 海力士一路賺得體滿缽滿,不斷擴充疆域、擴大投資,付諸各種努力捍衛(wèi)這塊血賺的地盤。
2021-01-02 10:01:002770

2020年全球存儲芯片市場現(xiàn)狀情況分析

2020年全球存儲芯片市場現(xiàn)狀情況分析全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展至今可分為萌芽期、初步發(fā)展期、快速發(fā)展期三個階段。1)萌芽期:在此階段,各大企業(yè)都在積極研發(fā)RAM,且DRAM研究進展比ROM快,行業(yè)實現(xiàn)
2021-01-27 14:16:5114959

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

ChatGPT帶旺HBM存儲

據(jù)韓媒報道,自今年年初以來,三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器(HBM)訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能,但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689

三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553

存儲芯片減產(chǎn),AI芯片暴增!

、去庫存,但市場行情是否筑底眾說紛紜,整體產(chǎn)業(yè)回暖的跡象亦不明顯。 然而,在生成式AI對算力需求的帶動下,2023年初以來高帶寬內(nèi)存(HBM)在整個存儲芯片產(chǎn)業(yè)中可謂“這邊風(fēng)景獨好”。目前,三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布
2023-09-08 10:36:16442

三星存儲芯片需求回暖!

美國消費者新聞與商業(yè)頻道分析,這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法,三星電子是全球最大的動態(tài)隨機存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:57530

三星第三季度同比下降77.57%,存儲芯片有所回暖

 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲芯片(如DDR5和HBM)的需求持續(xù)增長,第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度,DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品,如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599

三星電子成立下一代芯片工藝研究部門

據(jù)gartner稱,人工智能芯片市場規(guī)模有望從今年的534億美元增長到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進存儲芯片市場上,三星落后于競爭企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18176

淺談存儲芯片的分類

DRAM芯片稱是動態(tài)隨機存儲器,是一種隨機存儲器(RAM),與CPU直接交換數(shù)據(jù),可隨時讀寫且速度快,斷電后存儲數(shù)據(jù)丟失,是易失性存儲器,也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561020

半導(dǎo)體芯片研究:中國存儲芯片行業(yè)概覽

DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲芯片市場的97%;自2022年初起,下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進一步惡化導(dǎo)致存儲芯片市場不斷承壓,存儲芯片價格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:101059

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

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