浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬。
2018-10-16 18:50:24
1915 SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:415518 在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:373706 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:406936 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 帶寬被稱為示波器的第一指標(biāo)，也是示波器最值錢的指標(biāo)。示波器市場的劃分常以帶寬作為首要依據(jù)，工程師在選擇示波器的時候，首先要確定的也是帶寬。
2011-12-02 11:11:3812792 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131327 
近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
2019-01-29 09:09:051664 3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報道，美光科技在最新的收益報告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-30 10:03:024204 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）日前，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。“雖然2024年計劃要讓HBM的產(chǎn)能實現(xiàn)翻番，不過生產(chǎn)配額依然全部
2024-02-28 00:16:002233 大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
DDR3的理論帶寬怎么計算？用xilinx的控制器輸入時鐘200M。fpga與DDR的接口如下：
2016-02-17 18:17:40
經(jīng)得起市場的檢驗
2. 環(huán)境介紹
硬件環(huán)境： ArmSoM-W3 RK3588開發(fā)板
軟件版本： OS：ArmSoM-W3 Debian11
3. ArmSoM-W3 DDR帶寬測試方案
2023-10-13 10:17:38
MT41J64M16LA-187E:B Micron --- USD0.00 3 days DDR2 DDR2 256Mx8 PC800 H5PS2G83AFR-S6C Hynix 9,600 USD8.60 1 day
2010-04-28 16:21:22
從OMAP-L138_C6748 LC Dev Kit Ver A6 .pdf這個原理圖看到TMS320C6748在和DDR2的連接上：數(shù)據(jù)及地址/時鐘線上串接了10歐電阻，控制信號線串接了22歐電阻，這個匹配電阻是如何確定的，是和DDR2內(nèi)部終結(jié)電阻為75歐還是50歐時相匹配的？
2020-07-27 10:16:46
F200E、K3QF2F20DA-QGCE、K3QF2F20EM-QGCE000K3QF7F70DM-QGCE、K3QF7F70DM-QGCF、K4E6E304ED-AGCC、K4P2E304EQ-AGC2、APQ8064-3AB、APQ8064-3AC、APQ8084、H9TKNNNAADMP，回收DDR，收購DDR。`
2021-04-27 16:10:09
的方式不再受限于芯片引腳，突破了IO帶寬的瓶頸。另外DRAM和CPU/GPU物理位置的接近使得速度進(jìn)一步提升。在尺寸上，HBM也使整個系統(tǒng)的設(shè)計大大縮小成為可能。目前，HBM2在很大程度上是GDDR6的競爭對手。不過從長遠(yuǎn)看，因為2D在制造上接近天花板，DRAM仍有很強(qiáng)的3D化趨勢。原作者：L晨光 馭勢資本
2022-10-26 16:37:40
,LPDDR,GDDR.品牌：Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 閃存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
2019-09-27 17:34:40
DDR2-800E 6-6-6 400 C FBGA-84x16 HXB18T512160AF(L)-25D 1.8V DDR2-800D 5-5-5 400 C FBGA-84x16
2013-08-27 09:34:11
，與DDR4相比，GDDR6的性能都有很大的提高，如圖3所示［2］。圖3 GDDR6和DDR4性能對比4.GDDR6和HBM2的比較HBM全稱High Bandwidth Memory，最初的標(biāo)準(zhǔn)是由
2021-12-21 08:00:00
最近更新了一下PDK文件，發(fā)現(xiàn)用的新的文件仿真以前做的一些模塊，一些指標(biāo)都變了對里面的MOS管進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)老工藝庫的單管本證增益比新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎
2021-06-25 06:47:35
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 15:52 編輯
使用TI C6678的EDMA3 TCC0在6678評估板上在MSM SRAM與DDR3之間進(jìn)行順序數(shù)據(jù)讀寫傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">帶寬可以達(dá)到
2018-05-25 08:28:04
2015年就發(fā)布了，還是最早使用TSMC 16nm工藝的產(chǎn)品，比移動SoC還要早，不過之前的產(chǎn)品并沒有使用HBM芯片，這次推出的是擴(kuò)展系列，為HBM顯存優(yōu)化。 賽靈思的Virtex
2016-12-07 15:54:22
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051015 全球第二大存儲器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季（4-6月）財報：拜DRAM價格持續(xù)上揚(yáng)、產(chǎn)品組合改善之賜，凈利達(dá)9，460億韓元（1.59億美元），遠(yuǎn)優(yōu)于去年同期的凈損533
2013-07-26 10:55:02653 年就發(fā)布了，還是最早使用TSMC 16nm工藝的產(chǎn)品，比移動SoC還要早，不過之前的產(chǎn)品并沒有使用HBM芯片，這次推出的是擴(kuò)展系列，為HBM顯存優(yōu)化。
2016-11-10 15:20:074221 AMD Fury系列顯卡上全球首發(fā)了新一代高帶寬顯存HBM，這可是AMD與SK海力士合作N年后的結(jié)晶，而下一代Vega核心顯卡上，AMD就會用上第二代HBM2。
2017-04-11 15:41:323676 5月9日消息 一款高端顯卡除了要有強(qiáng)大的性能之外，更需要的是提供充足的量讓大家選購。不過現(xiàn)在看起來AMD的形式不太妙，由于HBM2的難產(chǎn)，外媒預(yù)計Vega顯卡首發(fā)不到16000塊。
2017-05-09 11:40:091022 
AMD Vega 旗艦顯卡將會在8月登場，使用的是最新的 HBM2 技術(shù)，不過也可能因為如此，Vega 才一直遲遲無法現(xiàn)身，畢竟產(chǎn)能是個問題，NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺，就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會用上 HBM2，而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063241 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427 作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計算）、更先進(jìn)的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:28784 前不久我們曾報道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:271843 僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-22 16:50:011507 HBM2是使用在SoC設(shè)計上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2028389 可不僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-26 16:14:001026 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:001777 見識過HBM的玩家對該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。
2018-03-22 08:54:484519 
Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001150 網(wǎng)友們平時有沒有這樣一種感覺？身邊的安卓用戶每隔1-2年，甚至更短的時間就換一臺安卓手機(jī)，這使得他們看似喜新厭舊。但如果按照平臺的忠誠度來看，安卓用戶比iPhone用戶的忠誠度還要高。
2018-10-16 10:50:002063 關(guān)鍵詞： SK Hynix , LPDDR , RAM , 芯片 作為全球二十大半導(dǎo)體廠商之一的韓國 SK 海力士半導(dǎo)體公司發(fā)布了世界首款 8Gb LPDDR3 RAM 芯片。目前 SK 海力士
2018-10-28 00:44:01723 高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4929981 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 美國當(dāng)?shù)貢r間11月14日，在達(dá)拉斯舉行的全球超算大會SC18上，浪潮發(fā)布集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28．1TOPS的INT8計算性能和460GB／s的超高數(shù)據(jù)帶寬，實現(xiàn)高性能、高帶寬、低延遲、低功耗的AI計算加速。
2018-11-22 17:15:561659 ）通過其子公司Silicon Storage Technology （SST）宣布與SK hynix system ic建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同擴(kuò)大SuperFlash?技術(shù)的應(yīng)用范圍。通過合作
2018-12-13 15:43:381502 雖然缺少光線追蹤及AI單元，AMD發(fā)布的RX Vega II顯卡還是有很多技術(shù)亮點的，不光是7nm工藝，還有16GB HBM2顯存，帶寬也達(dá)到了1TB/s，這可是目前帶寬最高的游戲卡。從2015年首
2019-01-20 10:37:365266 為了在低迷的環(huán)境中實現(xiàn)逆勢增長，SK海力士未來將持續(xù)專注于高附加值產(chǎn)品和技術(shù)，以應(yīng)對瞬息萬變的市場環(huán)境。比如，擴(kuò)大16Gb DDR4產(chǎn)品的客戶應(yīng)用，以增加服務(wù)器客戶對高密度DRAM模塊的采用。同時
2019-01-29 14:32:257550 
據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 AMD Fiji Fury系列顯卡首次商用了新一代高帶寬顯存HBM，大大提升帶寬并縮小空間占用，NVIDIA目前也已在其Tesla系列計算卡、Titan系列開發(fā)卡中應(yīng)用HBM。
2019-06-20 14:30:33985 為了打破高性能系統(tǒng)中的帶寬瓶頸，Altera公布了該公司聲稱的業(yè)界首個異構(gòu)系統(tǒng)級封裝（SiP）器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲器（HBM2）與高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。
2019-08-08 17:17:133073 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬，適合于機(jī)器學(xué)習(xí)推理
2019-10-02 13:31:00552 英特爾宣布推出英特爾Stratix 10 MX FPGA，該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存DRAM(HBM2)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37575 存儲行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗。
2020-01-15 14:34:573056 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569 IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報道，美光科技在最新的收益報告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392278 在最新財報中，美光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高帶寬存儲器（HBM2）即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及各種高端處理器中，是相對昂貴但市場緊需的解決方案。
2020-03-30 10:25:09786 全球第二大內(nèi)存制造商SK海力士（SK Hynix）為臺式機(jī)性能更高的粉絲帶來了令人振奮的消息：他們目前正準(zhǔn)備開始批量生產(chǎn)首批DDR5 DRAM模塊。
2020-04-05 17:23:362384 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 幾個月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列?，F(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988 SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊，這標(biāo)志著與自2013年以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR
2020-10-20 14:01:293594 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322044 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，SK hynix Inc. 已部署 Cadence? Spectre? FX Simulator 仿真器，用于對其面向 PC 和移動應(yīng)用的 DDR4 和 DDR5 DRAM 進(jìn)行基于 FastSPICE 的功能驗證。
2022-04-08 14:49:001565 2022年4月20日，北京――是德科技（NYSE：KEYS）日前宣布，SK hynix 公司已決定采用是德科技的綜合型高速外圍組件互連（PCIe）5.0 測試平臺來加快開發(fā)存儲半導(dǎo)體，幫助客戶設(shè)計能夠支持高數(shù)據(jù)速率并管理海量數(shù)據(jù)的先進(jìn)產(chǎn)品。
2022-04-20 14:23:221498 HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲）已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個重要標(biāo)志和組成部分，尤其是在對帶寬要求越來越高的現(xiàn)如今，DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學(xué)習(xí)一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099715 當(dāng)下，DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:523334 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175 在FPGA上對傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級語言（例如OpenCL）在FPGA上對傳統(tǒng)存儲器（例如DDR3）進(jìn)行基準(zhǔn)測試。相反，我們在最先進(jìn)的FPGA上對HBM進(jìn)行基準(zhǔn)測試。
2022-12-19 16:29:461223 據(jù)韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689 
HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過1.2TB/s，先進(jìn)的1β制程節(jié)點提供卓越能效。 2023年7月27日，中國上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489 
sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504 sk海力士負(fù)責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量?！?b class="flag-6" style="color: red">sk海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達(dá)，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:59566 目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
SK hynix面臨的問題是這樣的：生成式人工智能推理的成本非常高昂，不僅僅涉及到人工智能計算，還包括功耗、互聯(lián)和內(nèi)存，這些因素也在很大程度上推動了成本的增加。
2023-10-07 11:11:44276 
法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層，使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上，完全消除中介層的目標(biāo)。
2023-11-21 09:53:04414 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881 近日，據(jù)報道，三星電子正計劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09274 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43434 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDIA）的AI GPU進(jìn)行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664 在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達(dá)對終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05258 在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203 
在人工智能這一科技浪潮的推動下，高帶寬存儲芯片（HBM）已成為市場競逐的焦點。作為半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，SK海力士敏銳地捕捉到了這一重要機(jī)遇，并決定加大在先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域的投資力度，以鞏固并擴(kuò)大其在HBM市場的領(lǐng)先地位。
2024-03-08 10:56:10285 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論