SK海力士首推DDR5內(nèi)存，容量可達(dá)256GB

SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。

SK海力士于2018年11月成功開發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特爾等核心客戶提供樣品，并完成了一系列測(cè)試與性能、兼容性驗(yàn)證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場(chǎng)隨時(shí)能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。

期間，SK海力士與SoC（System On Chip）開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運(yùn)營(yíng)現(xiàn)場(chǎng)分析研究室，并通過共同執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)別測(cè)試（System Level Test）及各種模擬測(cè)試完成了新產(chǎn)品的性能驗(yàn)證。與此同時(shí)，SK海力士還與諸多公司緊密合作，進(jìn)行了包括RCD（Register Clock Driver）、PMIC（Power Management IC）等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗(yàn)證。

據(jù)報(bào)道，SK海力士首發(fā)的DDR5內(nèi)存條為面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài)，基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒，單條容量64GB，而借助TSV硅穿孔技術(shù)，最高可以達(dá)到256GB。

SK海力士推出的DDR5 DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內(nèi)傳輸九部全高清（Full-HD, FHD）電影。不僅如此，該產(chǎn)品的動(dòng)作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V，成功減少了20%的功耗。

SK海力士DDR5 DRAM的另一個(gè)顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯(cuò)誤糾正代碼（Error Correction Code, ECC）；內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元（cell）單字節(jié)單位的錯(cuò)誤。有助于該特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。

時(shí)序方面沒有公布，JEDEC規(guī)范中的DDR5-4800對(duì)應(yīng)三種時(shí)序規(guī)格，分別是34-34-34、40-40-40、42-42-42。

SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營(yíng)成本。

有趣的是，Intel也同時(shí)為SK海力士的DDR5內(nèi)存背書，強(qiáng)調(diào)雙方有著密切合作。

根據(jù)路線圖，Intel下下代服務(wù)器平臺(tái)Sapphire Rapids將會(huì)第一個(gè)支持DDR5內(nèi)存，同時(shí)支持PCIe 5.0總線、CXL 1.1異構(gòu)互聯(lián)協(xié)議等等，并延續(xù)Intel的內(nèi)置人工智能加速策略，支持最新的“先進(jìn)的矩陣擴(kuò)展”(AMX)加速，2021年下半年開始發(fā)貨。

至于消費(fèi)平臺(tái)，明年年底或后年上半年的Alder Lake 12代酷睿有望首發(fā)支持DDR5，最高頻率4400MHz，最大系統(tǒng)容量128GB，同時(shí)繼續(xù)支持DDR4。

市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存的市場(chǎng)需求將在2021年開始出現(xiàn)，2022年全球份額將突破10％，2024年即可達(dá)43％。

固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。根據(jù)規(guī)范，DDR5內(nèi)存的頻率(數(shù)據(jù)傳輸率)起步就是DDR4標(biāo)準(zhǔn)極限的3200MHz，而最高可以達(dá)到6400MHz，按照慣例實(shí)際產(chǎn)品還會(huì)大大超過這一水準(zhǔn)，同時(shí)電壓從1.2V進(jìn)一步降低至1.1V，而單個(gè)Die的容量為8-32Gb(1-4GB)。