DDR內存將死,未來需要高帶寬的產品將轉向HBM內存

這一年來有關國內公司進軍內存產業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎在DDR3內存上已經作出了突破，小批量生產了DDR3內存，下半年還會推出更主流的DDR4內存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內存市場，DDR5內存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內存也很可能被更新的技術淘汰。

業(yè)界已經有人提出了DDR內存將死的看法，未來需要高帶寬的產品將轉向HBM內存，2020年會有HBM 3內存，2024年則會有HBM 4內存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。

對于HBM內存，DIY玩家可以說也是相當熟悉了，AMD在2015年的Fury系列顯卡上首次商用第一代HBM技術，超高的帶寬、超低的面積占用徹底改變了當時的顯卡設計，隨后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技術，不過消費級市場上使用HBM 2技術還是AMD去年的RX Vega顯卡，但是因為HBM 2顯存的成本太過昂貴，RX Vega上實際上使用了兩組4GB HBM 2，等效位寬比第一代減少一半，盡管頻率大幅提升，所以實際帶寬反而低了一些。

見識過HBM的玩家對該技術肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點，在他看來DDR內存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。

根據他分享的一些數據，HBM 2內存將在2018年大量應用，HBM 3將在2020年左右應用，改進版的HBM 3+技術在2022年應用，2024年則會有HBM 4內存，帶寬及容量也會逐級增長，比如現在的HBM 2內存，核心容量可達8Gb，通過TSV技術可以實現每個CPU支持64GB HBM2內存，每路插槽的帶寬可達2TB/s，而到了HBM 4時代，每個CPU支持的容量可達512GB，帶寬超過8TB/s。作為對比的話，目前AMD的EPYC處理器支持8通道DDR4內存，雖然最高容量能達到2TB，但是帶寬不過150GB/s左右，與HBM內存相比就差遠了。

按照他的觀點，在一些需要高帶寬的場合中，HBM技術無疑遠勝DDR內存，所以他說的DDR內存將死在這方面是成立的，比如HPC高性能計算機行業(yè)就非常需要HBM。不過話說回來，DDR將死這個判斷并不適合桌面市場，HBM技術雖然各種好，但是現在來看成本問題一時半會都沒法解決.

目前能生產HBM內存的廠商只有三星、SK Hynix，美光因為有HMC技術，對HBM并不怎么熱心，所以HBM降低成本的過程將是漫長的，對桌面級玩家來說DDR4很長一段時間內都不會過時，2020年左右會開始推DDR5內存，所以三五年內我們是看不到DDR內存被HBM干掉的可能的。