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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產體系,因此對于內存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內存的生產,可有效的降低成本。
Double Data Rate:與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比,DDR技術實現(xiàn)了一個時鐘周期內進行兩次讀/寫操作,即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作。
LP2998系列 帶關斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-29 標簽:運算放大器DDR線性穩(wěn)壓器 161 0
TPS51200 3A 灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器,帶有 VTTREF 緩沖基準數(shù)據(jù)手冊
TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。 該...
TPS53317 低輸入電壓、6A 同步降壓 SWIFT? 轉換器,用于 DDR 存儲器終止數(shù)據(jù)手冊
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內存系統(tǒng)。它集成了一個同步降...
TPS53317A 0.9V-6V 輸入、6A 輸出、D-CAP+ 模式、用于 DDR VTT 的 SWIFT 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
2025-04-26 標簽:電流DDR降壓穩(wěn)壓器 168 0
TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計 考慮。 ...
TPS54116-Q1 具有 4A、2MHz VDDQ 直流/直流轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案數(shù)據(jù)手冊
TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉換器,具有 兩個集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT ...
DDR內存頻率對性能的影響主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 一、數(shù)據(jù)傳輸速度 內存條的頻率(MHz)代表每秒的傳輸速度,即內存每秒能夠執(zhí)行操作的次數(shù)...
隨著技術的不斷進步,計算機內存技術也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度...
配置上新!米爾-新唐MA35D1核心板512M DDR配置發(fā)布!
米爾在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片設計的嵌入式處理器模塊MYC-LMA35核心板及開發(fā)板。MA35D1是集成2個Cortex-A35與1...
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內存產品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內存,該制程將支持高達32Gb的...
Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內存速率,不可或缺的CKD芯片
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)針對服務器內存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來有著深厚的技術實力,可提供寄存器時鐘驅動器(RCD)、電...
近日,深圳會展中心(福田)迎來了科技界的盛事——elexcon2024深圳國際電子展。在這場科技盛宴中,金泰克憑借其卓越的技術實力和市場表現(xiàn)脫穎而出,榮...
據(jù)報道,三星電子在最新的半導體技術探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(1b)制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平,這一狀況引發(fā)...
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