深圳市浮思特科技有限公司文章

• 如何保護(hù)電子元器件以延長生命周期2024-05-31 13:59

  

  在電子電力領(lǐng)域，許多關(guān)鍵應(yīng)用要求設(shè)備必須運(yùn)行很長一段時(shí)間，甚至幾十年。尤其是對于航空航天、國防、能源和醫(yī)療行業(yè)方面而言，為了保持設(shè)備正常運(yùn)行，必須在其整個生命周期內(nèi)持續(xù)供應(yīng)組件。那么，如何保護(hù)電子元器件以延長生命周期，解決這個問題的一種方法是在生產(chǎn)結(jié)束后長期儲存半導(dǎo)體元件。該解決方案使您能夠在設(shè)備的整個使用壽命期間持續(xù)供應(yīng)組件。01電子設(shè)備如果沒有組成它們的

  電子元器件 電子電力 設(shè)備 553瀏覽量

• 國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀(jì)元，芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破2024-05-30 11:24

  

  5月27日，中國半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標(biāo)志著國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元，預(yù)計(jì)全面投產(chǎn)后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動力。來源：芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨(dú)特的

  晶圓 碳化硅 芯聯(lián)集成 1205瀏覽量

• 碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較2024-05-30 11:23

  

  過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關(guān)性能中，制造商通常需要在柵極驅(qū)動復(fù)雜性和所需性能之間進(jìn)行權(quán)衡

  SiC 功率器件 碳化硅 799瀏覽量

• 英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，滿足AI服務(wù)器需求2024-05-29 11:36

  

  隨著人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展，AI處理器對功率的需求呈現(xiàn)出顯著增長態(tài)勢。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開發(fā)范圍擴(kuò)展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC™400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時(shí)保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī)

  AI MOSFET 服務(wù)器 英飛凌 796瀏覽量

• 單片機(jī)選型的原則與建議2024-05-29 11:35

  

  選擇一個不適合的單片機(jī)，可能會導(dǎo)致項(xiàng)目成本的增加，開發(fā)周期的延長，甚至是項(xiàng)目失敗。今天這篇文章將帶你探索選擇單片機(jī)的原則，幫助你在這個充滿挑戰(zhàn)和機(jī)遇的領(lǐng)域中做出明智的決策。

  傳感器 單片機(jī) 電子元件 1426瀏覽量

• 功率半導(dǎo)體市場迎飛躍，預(yù)測2035年市場規(guī)模將增4.7倍2024-05-28 10:53

  

  近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布了一份備受關(guān)注的行業(yè)研究報(bào)告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》。該報(bào)告深入分析了功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展趨勢，并預(yù)測2024年功率半導(dǎo)體市場將比上年增長23.4%，市場規(guī)模將達(dá)到2813億日元。預(yù)計(jì)到2035年，這一市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體市場的增長主要得

  功率半導(dǎo)體 功率器件 晶圓 519瀏覽量

• 如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常2024-05-28 10:51

  

  當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí)，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge，PD)，導(dǎo)致絕緣劣化造成絕緣品質(zhì)異常。例如：樹酯內(nèi)有氣泡或漆包線間的氣隙，因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會分到相對高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵

  功率元器件 278瀏覽量

• SemiQ 開始針對 SiC 產(chǎn)品組合實(shí)施已知良品芯片(KGD)計(jì)劃2024-05-27 11:19

  

  近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片(KGD)篩選計(jì)劃。該計(jì)劃提供經(jīng)過電氣分類和光學(xué)檢查的高質(zhì)量SiCMOSFET技術(shù)。該技術(shù)已準(zhǔn)備好進(jìn)行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設(shè)備的構(gòu)建中依靠可重復(fù)的性能來實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的

  SemiQ SiC 芯片 290瀏覽量

• MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解2024-05-27 11:16

  

  今天我們來講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiCModule可以適用更高的開關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗，大大的提高整機(jī)效率，可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn)，是焊接切割設(shè)備，開關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊?？焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10

  Module SiC 碳化硅 389瀏覽量

• 韓國籌劃622萬億韓元半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，吸引國內(nèi)外中小企業(yè)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)2024-05-24 11:46

  

  據(jù)悉，韓國政府正積極籌劃一項(xiàng)半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，旨在面對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭加劇的背景下，培育和吸引國內(nèi)外中小企業(yè)加入其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。該計(jì)劃補(bǔ)貼預(yù)計(jì)622萬億韓元，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群目標(biāo)所采取的重要舉措。韓國，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，近年來一直努力加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場中的地位。此次半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃的提出，標(biāo)志著韓國政府在應(yīng)對全球產(chǎn)業(yè)競爭方面邁出了重要步伐。根據(jù)韓國政府的計(jì)劃，補(bǔ)貼將針對有潛力的中

  半導(dǎo)體 295瀏覽量