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標簽 > 功率元器件
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優(yōu)勢。
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
羅姆:先進的半導體功率元器件助力工業(yè)用能源設備節(jié)能
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球對可再生能源寄予厚望,對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術(節(jié)能的關鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...
先進的半導體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設備節(jié)能
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球對可再生能源寄予厚望,對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術(節(jié)能的關鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...
當絕緣體內存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時,在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge,PD)...
2024-05-28 標簽:功率元器件 271 0
隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發(fā)展,國內的碳化硅產業(yè)正迅速進入商業(yè)化階段。國際功率半導體巨頭對該產業(yè)表達了濃厚的興趣,并與國內企業(yè)合作,積極追趕...
【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計算
在現(xiàn)代工業(yè)的各種應用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當作輸出的驅動電路,其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的...
ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...
在以前的ECU中,大多數(shù)將繼電器用作驅動電路中的開關元件,后來這種機械繼電器開始向半導體開關轉換。并且這一趨勢迅速席卷了整車各個應用,尤其是在電機和加熱...
ROHM Solution Simulator新增熱分析功能
近年來,功率元器件在功率轉換應用中發(fā)揮著非常重要的作用。在涉及到大功率和高電壓的應用產品開發(fā)過程中,特別是在預先確保安全性方面,仿真是一種行之有效的方法...
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