深圳市浮思特科技有限公司文章

• 直接液體冷卻功率半導(dǎo)體器件的影響2024-07-25 11:18

  

  在電力電子領(lǐng)域，面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾，導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加，從而縮短其使用壽命。為了解決這個問題，可以考慮使用損耗更低的解決方案，比如用SiC-MOSFET替代IGBT。不過，這樣的解決方案會更昂貴。另一種方法是改善冷卻效果，但絕緣基材在熱傳導(dǎo)上存在物理限制，而解決

  SiC 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體器件 282瀏覽量

• 氮化鎵（GaN）技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場潛力2024-07-24 10:55

  

  近年來，氮化鎵(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢，迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領(lǐng)域的推動下，氮化鎵正迎來前所未有的發(fā)展機遇，市場潛力巨大。根據(jù)市場研究機構(gòu)的預(yù)測，氮化鎵功率元件市場的營收將在2024年顯著增長，預(yù)計到2026年市場規(guī)模將達(dá)到13.3億美元，復(fù)合年增長率高達(dá)65%。這一增長趨

  GaN 功率元件 氮化鎵 648瀏覽量

• 用SiC JFET技術(shù)徹底改變電路保護(hù)2024-07-24 10:54

  

  20世紀(jì)中葉，住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進(jìn)展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險絲提供了基本的保護(hù)，但在熔斷后必須更換;而斷路器在跳閘后可以輕松重置。這種便利促使建筑規(guī)范和電氣標(biāo)準(zhǔn)在新建工程中更青睞斷路器而非保險絲。斷路器的發(fā)展趨勢近年來，接地故障斷路器(GFCI)和弧故障斷路器(AFCI)等創(chuàng)新進(jìn)一步增強了斷

  jfet器件 SiC 斷路器 電路保護(hù) 537瀏覽量

• 優(yōu)化高性能太陽能逆變器系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換性能2024-07-23 11:30

  

  高性能逆變器中的電力轉(zhuǎn)換電路在太陽能發(fā)電廠中必須在苛刻條件下以最高的效率、可靠性和安全性運行。通過精確且準(zhǔn)確的電流傳感解決方案，合理利用先進(jìn)的電路管理，使太陽能逆變器系統(tǒng)能夠在最佳水平上運行。綠色能源解決方案如太陽能電站的增長，突顯了其轉(zhuǎn)換、儲存和使用效率的必要性。在電網(wǎng)級太陽能電力集成中，處理有效的電力管理挑戰(zhàn)不容小覷。根據(jù)PrecedenceResear

  太陽能 太陽能逆變器 微逆變器系統(tǒng) 電力轉(zhuǎn)換器 逆變器 433瀏覽量

• 全球SiC與GaN市場發(fā)展趨勢，未來將迎來快速增長2024-07-22 11:46

  

  在近期的慕尼黑上海電子展上，YoleGroup的分析師邱柏順深入剖析了全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)市場的發(fā)展趨勢，提供了對未來電力電子行業(yè)的深刻見解。隨著科技的進(jìn)步和市場需求的變化，寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)正逐漸成為電力電子市場的核心力量。根據(jù)最新的數(shù)據(jù)預(yù)測，到2029年，WBG預(yù)計將占據(jù)全球電力電子市場的近三分之一，其中SiC和GaN分別占26.8

  GaN SiC 半導(dǎo)體材料 430瀏覽量

• 探索AC-DC電源管理芯片：高效能和高集成度的關(guān)鍵2024-07-22 11:42

  

  在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源管理是至關(guān)重要的一環(huán)。AC-DC電源管理芯片作為一種核心組件，廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，從家用電器到工業(yè)設(shè)備，再到智能家居系統(tǒng)。這些芯片將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)，為設(shè)備的穩(wěn)定運行提供可靠的電源支持。AC-DC電源管理芯片的主要任務(wù)是將市電提供的交流電(通常為110V或220V)轉(zhuǎn)換為電子設(shè)備所需的直流電。這個過程通常包括以下幾

  ACDC 電源管理 芯片 1088瀏覽量

• 詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為2024-07-19 11:49

  

  碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等評級的硅器件表現(xiàn)出更低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))。除了更高的載流子遷移率外，這種較低的電阻還得到了SiC比硅更高的擊穿場強的輔助。這一特性使得器件結(jié)構(gòu)中的漂移層更薄。對于許多工業(yè)設(shè)計而言，SiC最重要的優(yōu)勢

  SiC 功率電子 碳化硅 25191瀏覽量

• 提升輕型電動車性能(LVE)傳動系統(tǒng)逆變器技術(shù)的比較分析2024-07-18 11:35

  

  輕型電動車(LEV)在全球許多城市，尤其是在空氣污染嚴(yán)重的地區(qū)，正變得越來越受歡迎。人們選擇LEV作為傳統(tǒng)汽油動力汽車的更環(huán)保、更有效的替代品。隨著更強大和高效的電動機、電池及充電基礎(chǔ)設(shè)施的進(jìn)步，LEV在日常使用中變得更加可行和可靠。分析師預(yù)測，LEVs市場在預(yù)測期間將經(jīng)歷10.6%的復(fù)合年增長率。市場價值預(yù)計將從2024年的982億美元增長到2034年的2

  半導(dǎo)體 電動車 逆變器 1201瀏覽量

• Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET2024-07-17 10:53

  

  PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET，以滿足直流電動汽車充電站、太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、電機驅(qū)動器和工業(yè)電源等一系列應(yīng)用對更高效率、高功率密度、強可靠性和耐用性的需求。1200VeSiCMOSFET為系統(tǒng)提供了顯著的優(yōu)勢，包括功率密度增加、效率提高、冷卻要求降低(這是由于其功率損耗顯著降低所致)

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體 46879瀏覽量

• 分析智能功率模塊(IPM)的熱性能以優(yōu)化PCB設(shè)計2024-07-17 10:51

  

  智能功率模塊(IPM)是設(shè)計師在低功率電機驅(qū)動應(yīng)用中的首選，特別是在成本和尺寸限制較緊的情況下。一項關(guān)于模塊在不同運行條件下熱性能的新研究，幫助設(shè)計師準(zhǔn)確預(yù)測運行溫度、功率和PCB設(shè)計，以實現(xiàn)最佳的可靠性、成本和尺寸。使用智能功率模塊設(shè)計在家用電器和輕工業(yè)驅(qū)動中使用的電機控制器通常采用包含使用HVIC技術(shù)構(gòu)建的門驅(qū)動器、配置為半橋或三相橋的功率開關(guān)以及保護(hù)組

  IPM PCB設(shè)計 智能功率模塊 1005瀏覽量