深圳市浮思特科技有限公司

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-11 13:53

  浮思特 | 新興傳感器技術：TMR與分流解決方案的對比分析

  

  有一段時間，分流解決方案被視為傳感器技術中的安全選擇，但世界已經(jīng)改變。拼湊廉價的分流架構的時代已經(jīng)結(jié)束。隨著精度要求的不斷提高，傳統(tǒng)的分流解決方案在總解決方案成本急劇上漲的情況下失去了成本效益。分流挑戰(zhàn)分流設計師通常面臨平衡的挑戰(zhàn)，需要選擇正確的電阻器、運算放大器和實現(xiàn)拓撲結(jié)構的組合。設計一個準確且具有成本效益的基于分流的電流傳感解決方案需要大量的工程努力。

  TMR 傳感器 分流器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-10 11:57

  東芝推出雙倍散熱能力SCiB™電池模塊，助力電動巴士與船舶應用

  

  東芝公司近日宣布推出其新款SCiB?電池模塊，這是一種針對電動巴士、船舶及固定系統(tǒng)應用而設計的先進鋰離子電池解決方案。該模塊采用鋁制底板，相較于現(xiàn)有產(chǎn)品，其熱散能力幾乎達到兩倍的水平，預計將在2025年4月中旬開始在日本及海外市場正式發(fā)布。隨著鋰離子電池在交通運輸、工業(yè)及可再生能源領域的廣泛應用，市場對能夠承受頻繁快速充放電循環(huán)的電池需求日益增長。電動巴士和

  東芝 電動巴士 電池模塊

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• 發(fā)布了文章 2025-04-10 11:50

  NMB美蓓亞06025UA風扇的奧秘!6cm小身材顛覆PC散熱!

  

  你以為高性能電腦散熱只能靠RGB燈光和華麗的塔式散熱器?一款看似低調(diào)的6cm“黑科技”風扇——NMB美蓓亞06025UA，正以IP68級防水、6000轉(zhuǎn)暴力轉(zhuǎn)速和環(huán)氧樹脂密封工藝，在電競主機、迷你ITX機箱甚至極限超頻領域掀起革命!甚至能讓你的主機在潮濕地下室、多塵環(huán)境中穩(wěn)如泰山。工業(yè)級設計防水散熱傳統(tǒng)PC風扇怕灰塵、懼潮濕，積灰后噪音飆升，梅雨季節(jié)還可能因

  散熱器 風扇

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• 發(fā)布了文章 2025-04-09 10:57

  氮化鎵單片雙向開關：電力電子技術的下一代突破

  

  單片雙向開關(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關鍵推動者?；跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術具有獨特優(yōu)勢，可有效應用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應用場景，并重點介紹即將實現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關應用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二

  雙向開關 氮化鎵 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-04-09 10:55

  LEM電流傳感器手冊閱讀指南：如何快速抓取關鍵信息

  

  LEM作為全球知名電量傳感器制造商，其電流傳感器廣泛應用于工業(yè)自動化、新能源、軌道交通等領域。面對動輒數(shù)十頁的英文技術手冊，工程師常感無從下手。本文將教您拆解手冊結(jié)構，快速定位關鍵參數(shù)，掌握傳感器應用精髓。一、手冊結(jié)構全解析典型LEM手冊包含以下核心章節(jié)：1.產(chǎn)品概述(ProductOverview)傳感器系列定位：明確是閉環(huán)霍爾原理(如LF系列)還是開環(huán)原

  lem 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-01 10:39

  電阻率在電子電力學中為何如此重要?

  

  電阻率是電子學和材料科學中的一個基本概念，尤其是在設計電路和選擇電子元器件材料時。它在理解材料在電流作用下的行為中扮演著至關重要的角色。本教程將涵蓋電阻率的定義、測量單位、計算方法、影響電阻率的因素，以及它對電子工程師和設計師的重要性。電阻率的定義電阻率(用希臘字母ρ表示)是一個基本的材料屬性，它量化了材料對電流流動的阻礙程度。簡單來說，電阻率是指特定材料對

  電力電子 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-03-27 11:49

  Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

  

  VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)和計算領域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進的n-channel設計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導

  MOSFET Vishay 電源

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• 發(fā)布了文章 2025-03-27 11:48

  創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應用

  

  保護半導體設備和電子設備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設計的關鍵。在本文中，我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護。瞬態(tài)保護設備瞬態(tài)尖峰可以由雷電、附近的機械設備、電源負載切換等引起。一個例子是現(xiàn)代汽車，其中越來越多的車載電子設備連接到電池和發(fā)電機。發(fā)電機的輸出可能不穩(wěn)定，例如在電池斷開

  MOSFET SiC 二極管 瞬態(tài)電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-26 12:00

  探討RC電路在逆變器設計中的應用與限制

  

  不可能用簡單的RC電路制作逆變器，我們注意到逆變器的重要性，因為這些設備在光伏系統(tǒng)中至關重要。不幸的是，重現(xiàn)一個完美的正弦波形(頻率f0=50/60Hz)非常困難，甚至是不可能的。這意味著必然存在與f0成倍的諧波，如果系統(tǒng)沒有適當屏蔽，這些頻率將產(chǎn)生電磁輻射，從而干擾其他傳輸/接收設備。積分電路練習1：考慮施加在具有時間常數(shù)τ=RC的積分器電路上的以下輸入：

  RC電路 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-25 11:25

  全球芯片產(chǎn)業(yè)進入2納米競爭階段：臺積電率先實現(xiàn)量產(chǎn)!

  

  隨著科技的不斷進步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進入一個全新的競爭階段，2納米制程技術的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標。近期，臺積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米技術方面的布局，展現(xiàn)出對這一新技術的強烈追求。根據(jù)外媒的報道，臺積電計劃于3月31日在高雄廠舉辦2納米擴產(chǎn)典禮，并于4月1日起開始接受2納米晶圓的訂單預訂。臺積電作為全

  臺積電 芯片

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