深圳市浮思特科技有限公司

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-08 11:08

  基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器

  

  對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅動電路在這些方面都起著關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器

  MOSFET 氮化鎵 驅動器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-07 11:15

  浮思特 | 創(chuàng)新燒結式溫度傳感器：實現(xiàn)功率電子器件精準溫控的關鍵突破

  

  燒結工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應用中，這種直接將半導體芯片及傳感器等相關無源元件固定于基板的技術，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結合碳化硅等寬禁帶半導體材料的使用，該技術可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風險加劇，因此實現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)

  溫度傳感器 溫控 電子器件

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• 發(fā)布了文章 2025-05-06 14:08

  新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，標志著電力電子技術的又一次進步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

  IGBT SiC 高電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-05-06 14:03

  AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構

  

  本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構的影響，以及這些變化對服務器和機架技術的意義。具體而言，我們將探討轉向48V架構如何提升數(shù)據(jù)中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應用于服務器、機架及相關設備以支持這一架構演進。數(shù)據(jù)中心與電力當前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來看，屆時全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當今印度全國的電力消耗規(guī)模相當

  AI MOSFET 人工智能

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• 發(fā)布了文章 2025-04-30 11:54

  芯聯(lián)集成2024年營收65.09億元：SiC業(yè)務領跑亞洲

  

  近日，國內半導體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績公告。數(shù)據(jù)顯示，公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入65.09億元，其中主營業(yè)務收入62.76億元，同比增長27.8%;歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉正至1.03%，標志著公司經營質量顯著提升。作為第三代半導體核心材料，碳化硅(SiC)的產業(yè)化進展備受關注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領域表現(xiàn)亮眼，出貨量穩(wěn)居亞洲市

  SiC 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-29 11:49

  面板驅動IC市場動態(tài)解析：策略調整與價格走勢

  

  根據(jù)全球知名市場研究機構TrendForce的最新研究報告，今年上半年，面板行業(yè)品牌在操作策略上的調整，間接改變了面板驅動IC(DriverIC)的價格走勢。這一趨勢引發(fā)了業(yè)內人士的關注，尤其是在全球經濟不確定性加大的背景下，面板驅動IC的市場動態(tài)尤為重要。在過去的幾個月中，各大品牌廠和面板廠相繼調整了備貨節(jié)奏。這種調整使得庫存水平逐漸回歸到一個更為健康的狀

  IC 面板驅動

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• 發(fā)布了文章 2025-04-29 11:47

  浮思特 | 萊姆電子(LEM)高精度數(shù)字電流傳感器技術解析

  

  在電力電子系統(tǒng)中，電流測量精度與可靠性直接影響系統(tǒng)性能。作為全球電流傳感器技術領導者，萊姆電子(LEM)推出的HMSRDA系列數(shù)字傳感器，通過多項專利技術創(chuàng)新，為現(xiàn)代工業(yè)與汽車電子提供了突破性解決方案。圖1核心技術創(chuàng)新1、Σ-Δ數(shù)字調制架構萊姆電子獨有的二階Σ-Δ調制技術，實現(xiàn)模擬信號到數(shù)字比特流的直接轉換。該技術已應用于HMSRDA系列，具備三大技術特性：

  lem 傳感器 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-28 11:28

  意法半導體收購多倫多初創(chuàng)公司Deeplite，助力邊緣AI技術發(fā)展！

  

  近日，意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布已成功收購加拿大多倫多的初創(chuàng)公司Deeplite。這一戰(zhàn)略性收購旨在加強意法半導體在邊緣人工智能(AI)技術領域的布局，并將Deeplite打造為其全資子公司，以便在未來更好地開發(fā)和推廣先進的邊緣AI解決方案。Deeplite成立于2019年，是一家專注于AI模型優(yōu)化的軟件公司。其核心技術

  ST 人工智能 意法半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-28 11:27

  浮思特 | SiC技術2025：突破性進展與產業(yè)變革

  

  隨著電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計算等新興技術將傳統(tǒng)硅技術推向極限，材料科學正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導體技術面臨著在多樣化嚴苛應用中實現(xiàn)更高電壓運行、更優(yōu)熱管理和更高能效的壓力。圖12024年，碳化硅功率電子領域取得多項重大進展，這一趨勢持續(xù)至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業(yè)中，MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關

  SiC 功率半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-25 11:39

  SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關與卓越熱管理

  

  近日，半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電以及高效服務器電源等高性能電力電子應用。SemiQ此次發(fā)布的SiCMOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設計，相比前代產品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅

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