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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性2025-05-08 11:09

    近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(FoM)上處于行業(yè)領先水平,之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證,這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應用場景,包括車載充電器(OBC)、電動車
    Nexperia SiC MOSFET 汽車 89瀏覽量
  • 基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器2025-05-08 11:08

    對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅動電路在這些方面都起著關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率,還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
    MOSFET 氮化鎵 驅動器 79瀏覽量
  • 浮思特 | 創(chuàng)新燒結式溫度傳感器:實現(xiàn)功率電子器件精準溫控的關鍵突破2025-05-07 11:15

    燒結工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應用中,這種直接將半導體芯片及傳感器等相關無源元件固定于基板的技術,已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結合碳化硅等寬禁帶半導體材料的使用,該技術可使功率電子器件的工作溫度突破200°C,顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升,模塊整體過熱風險加劇,因此實現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)
  • 新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊2025-05-06 14:08

    近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動汽車及工業(yè)應用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行,標志著電力電子技術的又一次進步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
    IGBT SiC 高電壓 100瀏覽量
  • AI人工智能崛起:高性能MOSFET如何重塑能效架構2025-05-06 14:03

    本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構的影響,以及這些變化對服務器和機架技術的意義。具體而言,我們將探討轉向48V架構如何提升數(shù)據(jù)中心能效,以及高性能硅基MOSFET如何應用于服務器、機架及相關設備以支持這一架構演進。數(shù)據(jù)中心與電力當前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%,但到2030年可能攀升至7%。直觀來看,屆時全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當今印度全國的電力消耗規(guī)模相當
    AI MOSFET 人工智能 91瀏覽量
  • 芯聯(lián)集成2024年營收65.09億元:SiC業(yè)務領跑亞洲2025-04-30 11:54

    近日,國內半導體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績公告。數(shù)據(jù)顯示,公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入65.09億元,其中主營業(yè)務收入62.76億元,同比增長27.8%;歸母凈利潤大幅減虧超50%,毛利率首次轉正至1.03%,標志著公司經(jīng)營質量顯著提升。作為第三代半導體核心材料,碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進展備受關注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領域表現(xiàn)亮眼,出貨量穩(wěn)居亞洲市
    SiC 半導體 263瀏覽量
  • 面板驅動IC市場動態(tài)解析:策略調整與價格走勢2025-04-29 11:49

    根據(jù)全球知名市場研究機構TrendForce的最新研究報告,今年上半年,面板行業(yè)品牌在操作策略上的調整,間接改變了面板驅動IC(DriverIC)的價格走勢。這一趨勢引發(fā)了業(yè)內人士的關注,尤其是在全球經(jīng)濟不確定性加大的背景下,面板驅動IC的市場動態(tài)尤為重要。在過去的幾個月中,各大品牌廠和面板廠相繼調整了備貨節(jié)奏。這種調整使得庫存水平逐漸回歸到一個更為健康的狀
    IC 面板驅動 154瀏覽量
  • 浮思特 | 萊姆電子(LEM)高精度數(shù)字電流傳感器技術解析2025-04-29 11:47

    在電力電子系統(tǒng)中,電流測量精度與可靠性直接影響系統(tǒng)性能。作為全球電流傳感器技術領導者,萊姆電子(LEM)推出的HMSRDA系列數(shù)字傳感器,通過多項專利技術創(chuàng)新,為現(xiàn)代工業(yè)與汽車電子提供了突破性解決方案。圖1核心技術創(chuàng)新1、Σ-Δ數(shù)字調制架構萊姆電子獨有的二階Σ-Δ調制技術,實現(xiàn)模擬信號到數(shù)字比特流的直接轉換。該技術已應用于HMSRDA系列,具備三大技術特性:
  • 意法半導體收購多倫多初創(chuàng)公司Deeplite,助力邊緣AI技術發(fā)展!2025-04-28 11:28

    近日,意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布已成功收購加拿大多倫多的初創(chuàng)公司Deeplite。這一戰(zhàn)略性收購旨在加強意法半導體在邊緣人工智能(AI)技術領域的布局,并將Deeplite打造為其全資子公司,以便在未來更好地開發(fā)和推廣先進的邊緣AI解決方案。Deeplite成立于2019年,是一家專注于AI模型優(yōu)化的軟件公司。其核心技術
  • 浮思特 | SiC技術2025:突破性進展與產(chǎn)業(yè)變革2025-04-28 11:27

    隨著電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計算等新興技術將傳統(tǒng)硅技術推向極限,材料科學正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導體技術面臨著在多樣化嚴苛應用中實現(xiàn)更高電壓運行、更優(yōu)熱管理和更高能效的壓力。圖12024年,碳化硅功率電子領域取得多項重大進展,這一趨勢持續(xù)至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業(yè)中,MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關
    SiC 功率半導體 241瀏覽量