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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅(qū)動、MCU等硬件知識，行業(yè)應(yīng)用和解決方案，以及電子相關(guān)的行業(yè)資訊。

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • SiC和GaN：新一代半導(dǎo)體能否實(shí)現(xiàn)長期可靠性?2024-10-09 11:12

    近年來，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多電力應(yīng)用中的傳統(tǒng)硅基設(shè)備。硅的時(shí)代已經(jīng)過去，其應(yīng)用的可靠性一直很高。如今，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體在長期使用中是否能夠提供相同的安全前景，以及它們在未來是否會成
    GaN SiC 半導(dǎo)體 361瀏覽量

  • 全球MCU市場規(guī)模持續(xù)增長，中國OEM廠商崛起2024-10-08 11:28

    近日，知名市場研究機(jī)構(gòu)YoleGroup發(fā)布了一份關(guān)于全球微控制器(MCU)市場的詳細(xì)報(bào)告。該報(bào)告預(yù)測，隨著科技的飛速發(fā)展和各行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，全球MCU市場規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長，到2029年將達(dá)到388億美元，彰顯出這一領(lǐng)域的強(qiáng)勁發(fā)展勢頭。值得注意的是，中國作為主要的新興市場之一，在MCU領(lǐng)域的發(fā)展尤為引人注目。近年來，中國的主要OEM(原始設(shè)備制造商)廠商
    mcu OEM 微控制器 429瀏覽量

  • 如何克服裸芯片動態(tài)特性表征中的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)高效測量?2024-10-08 11:26

    功率半導(dǎo)體器件以多種形式使用——封裝為表面貼裝器件(SMD)或功率模塊——廣泛應(yīng)用于各種場景。功率半導(dǎo)體中包含的裸芯片必須在被放入封裝或功率模塊之前進(jìn)行特性表征，以加速開發(fā)。然而，裸芯片的尺寸小、結(jié)構(gòu)脆弱，以及探針引起的寄生效應(yīng)，使得這一過程面臨多重挑戰(zhàn)。功率半導(dǎo)體器件最初在晶圓上制造，之后進(jìn)行切割和封裝，才能用于實(shí)際的電力電子電路。在制造過程的早期階段進(jìn)行
    SMD 功率模塊 芯片 557瀏覽量

  • 如何通過第八代IGBT技術(shù)推動可再生能源的未來?2024-09-06 11:39

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)對于高功率應(yīng)用中的高效率至關(guān)重要，特別是在阻斷電壓超過600V的情況下。可再生能源領(lǐng)域，如光伏(PV)和儲能系統(tǒng)(ESS)，在應(yīng)對全球變暖方面取得了顯著增長，推動了對功率半導(dǎo)體的需求。對高功率等級逆變器的需求正在增加。工程師必須在有限的空間內(nèi)設(shè)計(jì)高功率系統(tǒng)，這就需要IGBT模塊在保持既定封裝尺寸的同時(shí)提供更高的輸出功率。201

  • 全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來強(qiáng)勁復(fù)蘇，AI浪潮成關(guān)鍵驅(qū)動力2024-09-05 11:29

    據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，7月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷量實(shí)現(xiàn)了顯著增長，當(dāng)月銷售額飆升至513億美元，較去年同期的432億美元大幅增長了18.7%，環(huán)比增長也達(dá)到了2.7%。這一積極信號標(biāo)志著半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了一段時(shí)間的波動與挑戰(zhàn)后，正式步入復(fù)蘇快車道。這一輪復(fù)蘇的背后，AI人工智能技術(shù)的蓬勃發(fā)展無疑扮演了至關(guān)重要的角色。隨著AI技術(shù)的不斷突
    AI 半導(dǎo)體 芯片 306瀏覽量

  • 同步整流如何提升電源轉(zhuǎn)換器的性能和效率2024-09-05 11:25

    同步整流(Synchronous Rectification，簡稱SR)是一種電源設(shè)計(jì)技術(shù)，通過用MOSFET替代傳統(tǒng)二極管來提高效率和性能。與使用肖特基二極管的非同步轉(zhuǎn)換器不同，SR使用MOSFET代替二極管，從而減少電壓降和功率損耗。

  • 羅姆半導(dǎo)體推動SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)步，與吉利汽車展開深度合作2024-09-03 10:39

    近日，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應(yīng)用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中，標(biāo)志著雙方合作進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展階段。這項(xiàng)合作不僅展示了羅姆在SiC技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也為電動汽車行業(yè)提供了更高效的解決方案。吉利與羅姆的合作已持續(xù)六年，此次合作的亮點(diǎn)在于首次將SiC元件引入極氪車型。具體而言，這三款車型包括了運(yùn)動型多功能車(SUV)“X”

  • 如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能2024-09-03 10:37

    由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中，高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)兩種不同的技術(shù)，以最大化功率模塊和器件的熱性能和功率密度。非隔離芯片組裝與直接液冷半導(dǎo)體功率模塊通常由安裝在直接銅鍵合(DCB)基板上的功率器件芯片組成。對于中高功率模塊，這種基板一般是電絕緣陶瓷，如氧化鋁(

  • 廣東建工投資18.46億元興建398MW光伏發(fā)電項(xiàng)目2024-08-30 11:11

    近日，廣東建工宣布將通過旗下全資子公司廣東水電二局的全資子公司東南粵水電，投資興建一個(gè)規(guī)?？捎^的光伏發(fā)電項(xiàng)目。這一項(xiàng)目位于韶關(guān)市湞江區(qū)花坪鎮(zhèn)犁市鎮(zhèn)，規(guī)劃總?cè)萘繛?98MW，預(yù)計(jì)總投資額高達(dá)18.46億元人民幣。據(jù)悉，該光伏電站建設(shè)期預(yù)計(jì)為12個(gè)月，完成后將進(jìn)入長達(dá)25年的生產(chǎn)運(yùn)行期。項(xiàng)目規(guī)劃周密，共分為20個(gè)子項(xiàng)目，總備案容量達(dá)到398MW，彰顯了其龐大的發(fā)

  • 突破性電流傳感器技術(shù)：實(shí)現(xiàn)高精度與低功耗的完美結(jié)合2024-08-30 11:03

    電流測量是評估、控制和診斷電子系統(tǒng)運(yùn)行效率中最常見的參數(shù)之一。盡管電流測量非常普遍，但設(shè)計(jì)人員在測量電流時(shí)，若低估了多個(gè)變量的細(xì)微差別，可能會導(dǎo)致問題。頂尖工程師使用碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)高度效率的逆變器，以滿足以下設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。電流傳感器也需要設(shè)計(jì)成低功耗和緊湊的尺寸，因?yàn)檫@是最重要的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。電流傳感器的測量方法電流測量主要有兩種技術(shù)：分流電阻和霍爾效應(yīng)