羅姆半導體推動SiC MOSFET技術(shù)進步，與吉利汽車展開深度合作

近日，羅姆半導體(ROHM)宣布其第四代SiC MOSFET成功應用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中，標志著雙方合作進入了一個新的發(fā)展階段。這項合作不僅展示了羅姆在SiC技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也為電動汽車行業(yè)提供了更高效的解決方案。

吉利與羅姆的合作已持續(xù)六年，此次合作的亮點在于首次將SiC元件引入極氪車型。具體而言，這三款車型包括了運動型多功能車(SUV)“X”、迷你廂型車“009”以及運動旅行車“001”。SiC MOSFET的應用有望顯著提升這些電動車的性能和能效，滿足消費者對高效能、長續(xù)航的需求。

SiC(碳化硅)技術(shù)近年來在電動汽車和可再生能源領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注。與傳統(tǒng)硅器件相比，SiC MOSFET具有更高的電壓承受能力、更低的能量損耗以及更高的工作溫度。這些優(yōu)點使其成為電動汽車電源管理系統(tǒng)的理想選擇。通過優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率，SiC MOSFET能夠幫助電動車提升續(xù)航里程，從而在競爭激烈的市場中占據(jù)一席之地。

羅姆半導體不僅致力于推動第四代SiC MOSFET的應用，還計劃于2025年推出第五代產(chǎn)品。同時，羅姆還在加快第六代和第七代器件的市場推廣。這一系列創(chuàng)新將進一步增強SiC MOSFET在電動汽車及其他高性能應用中的地位。

值得一提的是，羅姆半導體通過提供裸芯片、分立元器件和模塊等多種形式的SiC產(chǎn)品，能夠滿足不同客戶的需求，推動SiC技術(shù)的廣泛采用。這一策略不僅有助于提升自身的市場競爭力，還有助于實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會目標。

在電動汽車越來越成為未來出行主流的背景下，SiC MOSFET的應用無疑為電動汽車行業(yè)的技術(shù)進步提供了強大助力。羅姆與極氪的合作證明了全球電動汽車制造商對先進半導體技術(shù)的追求。隨著技術(shù)的不斷演進，未來的電動車將更具性能、更為環(huán)保，滿足消費者日益增長的需求。

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