0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

標(biāo)簽 > SiC

SiC

+關(guān)注 0人關(guān)注

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

文章: 2655
視頻: 20
瀏覽: 63683
帖子: 124

SiC簡介

  金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

SiC百科

  金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

  制作工藝

  由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。

  碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一,它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱:SiC顆粒料,因含有C且超硬,因此SiC顆粒料曾被稱為:金剛砂。但要注意:它與天然金剛砂(也稱:石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱:埋粉燒成。它一通電即為加熱開始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達(dá)到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成),且放出co。然而,≥2600℃時SiC會分解,但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器,但生產(chǎn)時只對單一電爐供電,以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來基本上保持恒功率,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束,再經(jīng)過一段時間的冷卻就可以拆除側(cè)墻,然后逐步取出爐料。

  高溫煅燒后的爐料從外到內(nèi)分別是:未反應(yīng)料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應(yīng)料,主要成分是C與SiO。)、粘結(jié)物層(是粘結(jié)很緊的物料層,主要成分是C、SiO2、40%~60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%~90%SiC,而且是立方SiC即β-sic,其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級品SiC層(主要成分是90%~95%SiC,該層已生成六方SiC即口一SiC,但結(jié)晶體較小、很脆弱,不能作為磨料)、一級品SiC層(SiC含量《96%,而且是六方SiC即口一SiC的粗大結(jié)晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中,通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料,而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而一級品則經(jīng)過分級、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程;要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。

查看詳情

sic知識

展開查看更多

sic技術(shù)

效率飆升3倍!碳化硅如何改寫儲能市場游戲規(guī)則?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著儲能高速發(fā)展,對于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,...

2025-03-23 標(biāo)簽:SiC儲能碳化硅 1330 0

比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場,中國供應(yīng)鏈重塑版圖

比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場,中國供應(yīng)鏈重塑版圖

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 近日,調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢報告顯示,2024年第四季度全球電動汽車逆變器總裝機量達(dá)到867萬臺,季度增長2...

2025-03-22 標(biāo)簽:比亞迪華為逆變器 1816 0

國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在2月27日,意法半導(dǎo)體(ST)和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個近年海外半導...

2025-03-18 標(biāo)簽:STSiC 2686 0

2025年SiC市場需求增長點在哪?

2025年SiC市場需求增長點在哪?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2024年,SiC市場經(jīng)歷了動蕩的一年。從過去的供不應(yīng)求,受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響...

2025-03-17 標(biāo)簽:SiC 2398 0

創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用

創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用

保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(T...

2025-03-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET瞬態(tài)電壓 146 0

安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解

安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET casco...

2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET安森美晶體管 504 0

SiC MOSFET的動態(tài)特性

SiC MOSFET的動態(tài)特性

本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準(zh...

2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體三菱電機 440 0

芯力特SIT1462Q CAN FD收發(fā)器簡介

芯力特SIT1462Q CAN FD收發(fā)器簡介

芯力特是國內(nèi)首個量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司,SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來在CAN收發(fā)...

2025-03-25 標(biāo)簽:接口SiCCAN收發(fā)器 384 0

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(...

2025-03-24 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC 391 0

英飛凌TLE49SR系列角度傳感器的原理和特性

英飛凌TLE49SR系列角度傳感器的原理和特性

隨著汽車電氣化的蓬勃發(fā)展,特別是SiC等器件在能量變換環(huán)節(jié)的大量使用,因高壓、高頻功率變換給車內(nèi)環(huán)境造成了大量雜散磁場干擾,主機廠和Tie...

2025-03-21 標(biāo)簽:英飛凌SiC角度傳感器 1115 0

查看更多>>

sic資訊

全球首發(fā)上車!國產(chǎn)1500V SiC MOSFET!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上,推出了一系列的“王炸”技術(shù),包括全域1000V高壓架構(gòu)、10...

2025-03-31 標(biāo)簽:MOSFET比亞迪SiC 174 0

海外儲能PCS市場競爭趨勢:基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命

進(jìn)入2025年,海外儲能市場呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢: 通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲能變流器PCS在海外市場得到廣泛認(rè...

2025-03-30 標(biāo)簽:SiC碳化硅儲能PCS 72 0

芯朋微電子熱門產(chǎn)品介紹

Chipown引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,全新發(fā)布2025《產(chǎn)品選型目錄》!此次目錄匯聚了AC-DC、DC-DC、Driver、Digital...

2025-03-27 標(biāo)簽:逆變器DC-DCSiC 219 0

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(...

2025-03-27 標(biāo)簽:二極管服務(wù)器SiC 144 0

上揚軟件助力SiC外延頭部企業(yè)部署CIM系統(tǒng)解決方案

近日,上揚軟件正式啟動國內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等...

2025-03-26 標(biāo)簽:SiC外延片CIM 312 0

工商業(yè)儲能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時代

工商業(yè)儲能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時代

工商業(yè)儲能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時代的核心原因,可歸結(jié)為技術(shù)性能突破、經(jīng)濟(jì)性提升、政策驅(qū)動及市場需求增長等多重因...

2025-03-26 標(biāo)簽:SiCPCS儲能變流器 103 0

新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-2...

2025-03-25 標(biāo)簽:封裝肖特基二極管SiC 240 0

比亞迪推出全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片

在3月17日的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上,比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺,推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片,核...

2025-03-24 標(biāo)簽:比亞迪SiC碳化硅 285 0

派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!

2025-03-24 標(biāo)簽:二極管SiC功率模塊 311 0

基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)成為海外工商儲市場的破局利器

基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)成為海外工商儲市場的破局利器

基于基本股份(BASiC)的碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)在海外工商儲市場成為出海破局利器,主要得益于以下多維度優(yōu)勢: --- ### ...

2025-03-24 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 142 0

查看更多>>

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

換一批
  • 快充技術(shù)
    快充技術(shù)
    +關(guān)注
  • 尼吉康
    尼吉康
    +關(guān)注
  • trinamic
    trinamic
    +關(guān)注
    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話,主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
  • 閾值電壓
    閾值電壓
    +關(guān)注
      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
  • 無線供電
    無線供電
    +關(guān)注
    無線供電,是一種方便安全的新技術(shù),無需任何物理上的連接,電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無線供電。
  • 寧德時代
    寧德時代
    +關(guān)注
  • 艾德克斯
    艾德克斯
    +關(guān)注
    ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究,通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求,持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
  • 快充
    快充
    +關(guān)注
    目前手機快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
  • Qi標(biāo)準(zhǔn)
    Qi標(biāo)準(zhǔn)
    +關(guān)注
    國際無線充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
  • Pebble
    Pebble
    +關(guān)注
    Pebble,是一家智能手表廠商。2015年2 月底,智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
  • WPC
    WPC
    +關(guān)注
  • 手機快充
    手機快充
    +關(guān)注
    手機快充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
  • A4WP
    A4WP
    +關(guān)注
    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • 電池系統(tǒng)
    電池系統(tǒng)
    +關(guān)注
     BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元,防止電池出現(xiàn)過充電和過放電,延長電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
  • MAX660
    MAX660
    +關(guān)注
    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
    +關(guān)注
    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計,以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策,進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
    +關(guān)注
  • 太陽能充電
    太陽能充電
    +關(guān)注
  • PSR
    PSR
    +關(guān)注
  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
    +關(guān)注
    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器,由于直流母線電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
    +關(guān)注
  • USB-PD
    USB-PD
    +關(guān)注
  • 納微半導(dǎo)體
    納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注
    Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
  • PWM信號
    PWM信號
    +關(guān)注
    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變,從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
    +關(guān)注
  • 共享充電寶
    共享充電寶
    +關(guān)注
    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月,研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬,用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增,消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
  • DCDC電源
    DCDC電源
    +關(guān)注
    DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類,按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
  • 系統(tǒng)電源
    系統(tǒng)電源
    +關(guān)注
  • LT8705
    LT8705
    +關(guān)注
  • 董明珠
    董明珠
    +關(guān)注
    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(30人)

jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學(xué) jf_59050084 cqdfig

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題 教程专题