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動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:09

  意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過一系列創(chuàng)新設(shè)計，推動物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場

  STM32 微控制器 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:05

  TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿

  

  在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細(xì)介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點TGAN25N120

  IGBT 功率開關(guān)器件 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:42

  英飛凌2024年MCU市場份額飆升，首次奪得全球微控制器市場首位

  

  近日，根據(jù)市場研究機構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場份額預(yù)計將達到21.3%，相比2023年的17.8%增長了3.5個百分點。這一顯著的增長幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:40

  突破電動汽車動力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進的SiC溝槽技術(shù)

  

  隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關(guān)鍵進展，重新定義了電動動力系統(tǒng)的能力。電動汽車的日益普及依賴于延長車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動力系統(tǒng) 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:39

  英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術(shù)的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實施這些次世代項目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:34

  智能計算新紀(jì)元：具記憶功能的晶體管問世

  

  在當(dāng)今電子工業(yè)中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達到其物理和操作極限，它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個晶體管來存儲和處理數(shù)據(jù)的場景下。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長，這種方法變得不可持續(xù)。來自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計算 電阻器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:11

  Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對設(shè)計復(fù)雜性挑戰(zhàn)！

  

  隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運而生，成為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進展，展示了其采用臺積電最新2納米制程的矽智財(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片

  Marvell 臺積電 芯片設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:10

  SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機遇

  

  在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進通信技術(shù)等應(yīng)用。專利申請通常是一個領(lǐng)域研發(fā)和商業(yè)活動水平的有力指標(biāo)。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)的專利申請趨勢在過去十年

  GaN SiC 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:56

  三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應(yīng)對未來網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)

  

  近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準(zhǔn)備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令(PQC)技術(shù)，標(biāo)志著三星在移動產(chǎn)品安全領(lǐng)域的又一重要進展。量子計算機的快速發(fā)展正在對傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術(shù)構(gòu)成嚴(yán)重威脅?，F(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星電子 網(wǎng)絡(luò)安全 量子芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:53

  詳解晶閘管工作原理，全面掌握開關(guān)控制技術(shù)

  

  晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件?？刂贫朔Q為“門極”(G)。另外兩個端子，陽極(A)和陰極(K)，與負(fù)載串聯(lián)導(dǎo)通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開關(guān)。簡介晶閘管用于直流和交流電路中的開關(guān)和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門極信號可以移除，它們?nèi)詴３謱?dǎo)通狀態(tài)。晶閘管設(shè)計用于處理高電流和高電壓，甚至超過1kV或100A。它們是具有四個

  二極管 控制電路 晶閘管 電子元件

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