完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
理化性質(zhì)
物質(zhì)特性
碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大，莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。
碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為最常見的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構(gòu)如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅最為穩(wěn)定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C），碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場強(qiáng)度及高最大電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來取代硅［1］。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。
物質(zhì)結(jié)構(gòu)
純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。［1］ 碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅）。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)?alpha;-SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著儲能高速發(fā)展，對于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低...
2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢
為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si...
碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘
隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的...
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、...
2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 343 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向....
2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 253 0
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān...
2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 280 0
SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 257 0
STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-05 標(biāo)簽：二極管肖特基碳化硅
派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品
3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕，本次會上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(...
PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件
PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qr...
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場，金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向，尤其在高壓、高溫、高頻等極端環(h...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘
國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET行業(yè)近年來在政策扶持、市場需求和技術(shù)突破的推動下快速發(fā)展，但伴隨的行業(yè)亂象也暴露出深層次的結(jié)構(gòu)性問題...
2025-03-26 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 53 0
在3月17日的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上，比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺，推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片，核心三電全維...
基于碳化硅（SiC）功率模塊的儲能變流器（PCS）成為海外工商儲市場的破局利器
基于基本股份（BASiC）的碳化硅（SiC）功率模塊的儲能變流器（PCS）在海外工商儲市場成為出海破局利器，主要得益于以下多維度優(yōu)勢： --- ### ...
碳化硅功率模塊儲能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲能領(lǐng)域的滲透率加速狂飆
SiC碳化硅模塊版工商業(yè)儲能變流器（PCS）全面替代傳統(tǒng)IGBT方案的必然性：碳化硅儲能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲能領(lǐng)域的滲透率加速提升并徹底終結(jié)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著儲能高速發(fā)展，對于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性...
意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作
日前，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀...
2025-03-21 標(biāo)簽：新能源汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 193 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒ...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題 教程专题
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
