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受益于高需求和供應(yīng)受限，內(nèi)存公司在過去的十八個月中都賺得盆缽盈滿；
目前，NAND價格正在開始下降，DRAM價格也將在未來幾個季度內(nèi)轉(zhuǎn)頭向下，這意味著我們可能會面臨小幅度供過于求的局面；
過去，一家內(nèi)存公司收益良好就意味著其它所有公司也都過得不錯，但是，隨著供過于求局面的出現(xiàn)，這種情況正在發(fā)生變化；
最近，SK海力士和三星電子收益良好導(dǎo)致美光的股價上漲；
在新格局中，我們應(yīng)該把這些內(nèi)存公司視為互相競爭的公司，而不是一榮俱榮的盟友了。
2018年4月27日，美光科技、三星電子和SK海力士因涉嫌操控DRAM價格被集體起訴。訴訟指控這三家公司密謀限制內(nèi)存供應(yīng)，從而人為推高內(nèi)存器件的價格。
不到一個月，2018年5月25日，中國商務(wù)部反壟斷部門的官員約談美光科技，“表達(dá)了對PC DRAM產(chǎn)品價格持續(xù)上漲的擔(dān)憂和關(guān)切。”
盡管這三家公司存在暗中串通或密謀共同欺騙客戶的嫌疑，但是實(shí)際上他們是競爭對手，因?yàn)樗麄兊漠a(chǎn)品都面向相同的市場。
水漲船都高
在過去的一年中，我們看到這些內(nèi)存公司產(chǎn)品平均銷售價格（ASP）及其股價的爆發(fā)性增長。因此，一家公司發(fā)布靚麗財(cái)報都會推升其它公司的股價。
例如，2018年7月26日的一篇文章中指出，“SK海力士發(fā)布財(cái)報后美光科技的股價出現(xiàn)上漲?！痹赟K報告了季度業(yè)績之后，美光科技的股價在緊接著的周四交易日中上漲了1．6％。
該文章的一條評論指出，一家內(nèi)存公司的需求強(qiáng)勁意味著另一家內(nèi)存公司同樣需求強(qiáng)勁：“SK海力士預(yù)計(jì)下半年DRAM價格走強(qiáng)，而美光科技的DRAM貢獻(xiàn)了公司營收的65％?！?/p>
SK海力士最新的盈利報告顯示，SK海力士的收入同比增長55．0％，環(huán)比增長18．9％，創(chuàng)下歷史最高營業(yè)利潤，利潤同比增長82．7％，環(huán)比增長27．6％。美光公司的股價對此做出了正面的呼應(yīng)。
潮起終將潮落
之前的DRAM市場以PC為中心，但是現(xiàn)在，它的需求不僅來自PC，還來自移動設(shè)備和服務(wù)器等其他應(yīng)用。只不過，所有的半導(dǎo)體器件（不只是DRAM）都是周期性的，這種周期性主要是由兩個因素造成的：
1、新一代智能手機(jī)推出之前對器件的購買造成了周期性的需求。比如，在9月份新款iPhone推出之前，內(nèi)存需求都會提高，隨后需求減弱，直到第二年再遵循類似的周期。
2、產(chǎn)能過剩之后都會經(jīng)歷因資本支出減緩導(dǎo)致供應(yīng)不足的時期。換句話說，芯片制造商會建設(shè)晶圓廠或增加生產(chǎn)線以增加產(chǎn)能，以滿足預(yù)期的需求。但是，芯片制造商沒有能夠看清未來的水晶球，也沒有和競爭對手就為了滿足需求而增加多少產(chǎn)能而協(xié)調(diào)合作。因此，在需求上升之前通常都會出現(xiàn)產(chǎn)能建設(shè)過剩的情形，然后再經(jīng)歷需求超過供應(yīng)的供應(yīng)不足期，制造商再次建設(shè)更多產(chǎn)能，如此往復(fù)。圖1顯示了2006年、2010年、2014年和2017年的DRAM市場銷售和平均銷售價格的變化趨勢。
今天的存儲器行業(yè)已經(jīng)和2000年有了很大不同。芯片公司門正在利用“即時制造技術(shù)以監(jiān)控供應(yīng)和需求。”2016年，美光科技的管理層沒有投資建設(shè)任何新的晶圓廠，導(dǎo)致了持續(xù)至今日的供不應(yīng)求局面。
也許DRAM行業(yè)最大的錯誤發(fā)生在2000年，當(dāng)時有分析師警告說，DRAM需求預(yù)計(jì)會放緩至半導(dǎo)體行業(yè)1993年衰退以來的最低水平。但是，Gartner的分析師則聲稱，缺乏即將上線的新DRAM產(chǎn)能意味著未來的內(nèi)存供應(yīng)無法滿足OEM廠商的需求，即使芯片供應(yīng)商努力縮小線寬和硅片尺寸并提高良率，也無法滿足新需求。
事實(shí)證明，Gartner錯得離譜，導(dǎo)致整個半導(dǎo)體行業(yè)幾乎崩潰。最終用戶因?yàn)閾?dān)心未來供應(yīng)不足，購買雙倍需求的DRAM，芯片制造商建設(shè)了更多晶圓廠來滿足他們臆想中的需求。結(jié)果，2001年，沒有人再購買DRAM了，整個DRAM行業(yè)庫存損失超過了100億美元。
這次的供應(yīng)不足還有一個非常重要的因素，即設(shè)備購買不一定會導(dǎo)致產(chǎn)能增加，這是真的。
在DRAM生產(chǎn)上，這三家公司都在向更低工藝尺寸遷移。三星目前正在轉(zhuǎn)向1ynm工藝，而SK海力士和美光科技正在轉(zhuǎn)向1xnm工藝。
事實(shí)證明，這次工藝遷移很難實(shí)現(xiàn)較高的良率，而且，這些遷移增加了芯片制造的處理步驟，導(dǎo)致晶圓產(chǎn)出出現(xiàn)“自然下降”。通常，從一個節(jié)點(diǎn)遷移到下一個節(jié)點(diǎn)會導(dǎo)致產(chǎn)能下降5－10％。
為了抵消這種“自然衰退”，需要增加產(chǎn)能，這可以通過建設(shè)新的晶圓廠、生產(chǎn)線以及購買設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。最終的結(jié)果就是，2017年內(nèi)存芯片廠商的設(shè)備采購增加了60％而產(chǎn)能并沒有增加。
SK海力士的財(cái)務(wù)情況
圖2總結(jié)了SK海力士的財(cái)務(wù)情況，2018年第二季度，DRAM的位出貨量增長了16％，平均銷售價格增長了4％。由于行業(yè)供應(yīng)增加，NAND Flash的位出貨量增長了19％，平均銷售價格則下降了9％。
SK海力士受到了智能手機(jī)銷售放緩的影響。SK海力士在發(fā)布2018年第一季度財(cái)報的一篇新聞稿中表示：
“由于手機(jī)需求疲軟，以及盡管服務(wù)器需求依然強(qiáng)勁但生產(chǎn)天數(shù)減少，導(dǎo)致DRAM的位出貨量季度環(huán)比下降了5％。不過，由于所有DRAM產(chǎn)品類別價格均勻上漲，我司產(chǎn)品的平均銷售價格上漲了9％。
由于手機(jī)部門銷售疲軟，NAND Flash的位出貨量下降了10％，平均售價下降了1％?！?/p>
該公司的新聞稿指出：
“SK海力士將把工作重點(diǎn)放在推動尖端工藝的大規(guī)模生產(chǎn)以應(yīng)對市場需求上。因此，我們將持續(xù)擴(kuò)大1X nm工藝器件在服務(wù)器和手機(jī)DRAM銷售中的比例，預(yù)計(jì)這種器件的需求會很強(qiáng)勁。同時，公司還計(jì)劃擴(kuò)展最先進(jìn)的72層3D NAND，并努力順利提供高密度移動解決方案和企業(yè)級SSD。
同時，SK海力士將于今年9月底在清州完成新晶圓廠的潔凈室建設(shè)?？紤]到潔凈室中的設(shè)備設(shè)置時間，新晶圓廠預(yù)計(jì)將從明年年初開始投入生產(chǎn)。此外，無錫晶圓廠的潔凈室空間擴(kuò)建計(jì)劃將于今年年底完成?！?/p>
顯然，SK海力士將繼續(xù)在工藝上取得進(jìn)展，并投資增加產(chǎn)能和獲得市場份額。在2017年的高光歲月里，當(dāng)DRAM和NAND芯片供不應(yīng)求時，一家公司的收入增長是個所有人都?xì)g迎的好消息，這意味著需求持續(xù)增長，從而能夠帶動競爭對手的營收增長。
三星電子的財(cái)務(wù)狀況
三星的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)如圖3所示，但不包括剛剛報告的2018年第二季度數(shù)據(jù)。該圖表明，雖然存儲器行業(yè)似乎正在同步發(fā)展，但是實(shí)際上，如果比較SK海力士（圖2）和三星電子（圖3）的情形，他們的增長并不同步。
比如，SK海力士2017年的DRAM出貨量同比增長了25．2％，平均銷售價格上漲了53．1％，而三星電子的DRAM出貨量僅增長了16％，平均銷售價格漲幅也低于SK海力士，為44．8％。
NAND部門的差異更加明顯，SK海力士2017年NAND產(chǎn)品的位出貨量同比增長了17．1％，平均售價增長了35．1％，而三星的NAND 位出貨量增長了26．4％，平均銷售價格增長僅為19．1％。
市場份額
這些公司之間的另一個差異是市場份額占比。三星在DRAM市場中的份額從2016年第三季度的高位50．2％下降至2018年第一季度的44．4％，美光科技同期的DRAM份額則從18．5％增長至23．1％。圖4和圖5說明了這些數(shù)據(jù)變化。
資本支出
存儲器公司正在投資建設(shè)新晶圓廠和購買設(shè)備，以增加產(chǎn)能。
圖6顯示，2018日歷年的DRAM產(chǎn)能將比2017日歷年增長5．2％至19．0％。相比之下，2017年的DRAM設(shè)備支出較2016年增加了81％。
有趣的是，美光預(yù)計(jì)2018日歷年的DRAM產(chǎn)能增長率最低。而它在2016年第四季度至2018年第二季度的營業(yè)利潤卻增長了3637％。
圖7顯示，與2017日歷年相比，2018日歷年NAND產(chǎn)能僅增長5．2％至23．2％。而2017年NAND設(shè)備支出較2016年增長58％。
三星電子在存儲器上的投資將在2018年降至11萬億韓元（99億美元），其中DRAM投資9萬億（81億美元），NAND投資2萬億韓元（18億美元）。
為了擴(kuò)大下一代芯片和閃存的產(chǎn)能，SK海力士去年的資本支出創(chuàng)下10．3萬億韓元（98億美元）的記錄，并計(jì)劃將其2018年的資本支出增加到15萬億韓元（134億美元）。
美光科技的資本支出也高達(dá)81億美元，但低于其他兩家制造商。
三星電子的DRAM和NAND位出貨量增長率應(yīng)該分別為25％和45％。不過，這不是增加投資的結(jié)果，而是1x nm DRAM和64層NAND產(chǎn)線的效率高于預(yù)期的結(jié)果，這得益于更高的良率、更出色的晶圓廠布局和物流體系。三星計(jì)劃于2019年在位于平澤的晶圓廠開始量產(chǎn)10nm LPDDR 5芯片。
SK海力士已宣布計(jì)劃在其位于韓國利川的總部建造一座新的存儲器工廠。這座位于利川、面積高達(dá)53，000平方米的工廠將于2018年底開工建設(shè)，計(jì)劃于2020年10月完工。SK海力士計(jì)劃在這家新工廠投資3．5萬億韓元（31．2億美元）。此外，SK海力士還在繼續(xù)擴(kuò)大利川M14工廠的產(chǎn)能。它還計(jì)劃于9月底在完成其位于清州的新工廠的潔凈室設(shè)備的安裝，該工廠將于2019年初投產(chǎn)。在中國，SK海力士預(yù)計(jì)將在2018年完成其無錫工廠潔凈室的擴(kuò)建。
美光準(zhǔn)備在2018年至2019年在其***工廠擴(kuò)大其10nm級別DRAM芯片的生產(chǎn)。美光位于***北部桃園的工廠將于2018年下半年進(jìn)入1Xnm的生產(chǎn)并將于年底遷移到1Ynm工藝節(jié)點(diǎn)上。其位于臺中的工廠將在2019年下半年放棄1Xnm產(chǎn)品的量產(chǎn)后遷移到更新的1Znm工藝上。
中國晉華的12英寸晶圓廠有望在9月份進(jìn)入20nm或30nm DRAM芯片的試生產(chǎn)，中國最近通過禁售美光科技的部分產(chǎn)品來保護(hù)本土的存儲器產(chǎn)業(yè)，這也可能影響存儲器行業(yè)未來的發(fā)展態(tài)勢。
Innotron最近推出了19nm工藝的8Gb DDR4產(chǎn)品的樣片，預(yù)計(jì)也將在2019年上半年開始量產(chǎn)這顆芯片。
中國的長江存儲科技有限公司正于本季度開始生產(chǎn)其32層NAND芯片樣片，并計(jì)劃從2019年年底開始量產(chǎn)64層產(chǎn)品。
東芝存儲器業(yè)務(wù)部門剛剛在日本的巖手縣舉行了新型BiCS 3D NAND閃存工廠的奠基儀式，該工廠預(yù)計(jì)將于2019年年底完工，預(yù)計(jì)其長期合作伙伴西部數(shù)據(jù)將參與該項(xiàng)目。
東芝今年夏天將在四日市開始啟用其Fab 6／第一階段工廠。此舉將幫助其在未來幾個月內(nèi)增加BiCS 3D NAND閃存的產(chǎn)量，F(xiàn)ab 6／第二階段工廠預(yù)計(jì)將于明年進(jìn)行部署。
競爭
當(dāng)存儲器市場的供需不平衡時，存儲器公司的股價和芯片平均銷售價格同步上漲和下降。目前，盡管仍然存在大量需求，但是隨著產(chǎn)能的增加，內(nèi)存市場正日趨走向供需平衡。目前NAND的平均銷售價格已經(jīng)開始下降，預(yù)計(jì)DRAM的價格也會在2018年下降。
投資者需要認(rèn)識到，不同的存儲器公司的股票不會再因?yàn)槟骋患夜緲I(yè)績良好就都呈現(xiàn)同步上漲了。這些公司正在競爭客戶，而且在即將到來的供過于求的情況下，客戶可以隨時更換內(nèi)存供應(yīng)商。這時，供應(yīng)商可能會通過低價來贏得或維系客戶，這就意味著內(nèi)存供應(yīng)商不再是盟友，而變成競爭對手了。
順便說一句，這種概念并非我所首創(chuàng)，美光科技早在其10－K報告中表達(dá)了這種觀點(diǎn)：
“我們在內(nèi)存和存儲市場面臨包括英特爾、三星電子、SK海力士、東芝和西部數(shù)據(jù)等多家公司的激烈競爭。其中一些競爭對手是擁有更多資源投資新技術(shù)的大公司或者聯(lián)盟，他們擁有更多資金把握增長機(jī)會，抵御市場低迷。競爭對手的聯(lián)合可能會使我們處于競爭劣勢。此外，中國等政府已經(jīng)向我們的一些競爭對手或者市場新進(jìn)入者提供重要的資金援助。我們的競爭對手也在尋求增加硅片容量和單晶圓存儲位數(shù)，這可能導(dǎo)致全球供應(yīng)的顯著增加，并加大價格下行壓力。無論是增加新設(shè)施，提高產(chǎn)能利用率，還是將其他半導(dǎo)體生產(chǎn)資源重新分配到內(nèi)存和存儲上，這些都會導(dǎo)致未來全球內(nèi)存和存儲產(chǎn)品供應(yīng)的增加。在這種情況下，如果需求沒有同步增長，必將導(dǎo)致我們產(chǎn)品平均銷售價格的下降，并對我們的業(yè)務(wù)、經(jīng)營業(yè)績或財(cái)務(wù)狀況造成重大不利影響。我們有很多大規(guī)模量產(chǎn)內(nèi)存和存儲產(chǎn)品都是按照行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格制造的，因此和競爭對手的產(chǎn)品具備相似的性能特性。對于這些產(chǎn)品而言，主要靠價格和性能來競爭，性能的范圍包括運(yùn)行速度、功耗、可靠性、兼容性、尺寸和外形。對于我們其他產(chǎn)品而言，主要競爭因素則是性能而不是定價。”
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