英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 功率MOSFET是一種在電源管理、信號(hào)處理、汽車電子和可再生能源系統(tǒng)等多種應(yīng)用中廣泛使用的高效半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2024-03-19 16:34:35163 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)的電子設(shè)備，用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04191 
的基本結(jié)構(gòu)。MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱。它由一個(gè)絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45300 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率開關(guān)器件，也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
2024-01-17 17:16:44365 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-01-15 14:47:23
0 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來(lái)。
2023-12-29 12:30:49362 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒(méi)有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來(lái)簡(jiǎn)單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來(lái)看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 11 月 28 日，安世半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理方舟先生，為廣大工程師帶來(lái)了《Nexperia車規(guī)級(jí) MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動(dòng)能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，重點(diǎn)介紹了安世半導(dǎo)體最新車規(guī)級(jí) MOSFET 產(chǎn)品，及其在新能源汽車車身和底盤中的應(yīng)用。
2023-12-15 10:35:31417 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒(méi)有即時(shí)開關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的英文縮寫，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
國(guó)產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 能。?功率半導(dǎo)體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導(dǎo)體SiC等，它們的特性受制于其本身的設(shè)計(jì)，同時(shí)也需要看于其搭配的封裝材料和
2023-10-24 09:45:033032 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 400kHz。同時(shí)也使得開關(guān)電源的體積變得更小，由此產(chǎn)生了大量使用小型電源的新產(chǎn)品。個(gè)人計(jì)算機(jī)的不斷小型化就是一個(gè)典型的例子。
開關(guān)電源工作頻率的不斷提高促使電子元件工業(yè)發(fā)生了廣泛的變革。半導(dǎo)體工業(yè)首當(dāng)其沖
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
降低MOSFET 1/f噪聲的三種辦法是什么？? MOSFET是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，MOSFET存在著一種非常特殊的噪聲，即1/f噪聲。這種噪聲影響了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導(dǎo)體接觸點(diǎn)電導(dǎo)的隨機(jī)漲落引起的。在低頻區(qū)域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對(duì)電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導(dǎo)地位。這可
2023-09-01 16:59:12
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來(lái)，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-08-31 14:14:071044 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2023-08-17 09:16:301287 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
，需要更多的制造測(cè)試能力。除了成熟的半導(dǎo)體ATE供應(yīng)商之外，許多公司正在開發(fā)產(chǎn)品以滿足功率MOSFET測(cè)試需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來(lái)。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān)，無(wú)需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作，而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來(lái)切換電氣負(fù)載。
2023-06-03 15:44:112542 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 ） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互補(bǔ)MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這意味著它通過(guò)使用電場(chǎng)來(lái)控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導(dǎo)的電流通過(guò)施加到柵極的電壓進(jìn)行控制
2023-05-24 11:19:06720 分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列產(chǎn)品
2023-05-17 13:35:02471 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來(lái)控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源，并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSFET的控制是通過(guò)向柵極施加特定的電壓來(lái)進(jìn)行
2023-04-06 10:06:381381 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
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