蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。

AEC-Q101是汽車電子領域的重要可靠性標準，對于功率器件的性能和質(zhì)量要求極高。此次測試中，蓉矽半導體的SiC MOSFET產(chǎn)品展現(xiàn)出了出色的穩(wěn)定性和可靠性，成功通過了所有考核項目。值得一提的是，在HV-H3TRB考核中，該產(chǎn)品將考核電壓提高到960V，遠超AEC-Q101標準中的100V要求，再次證明了其卓越的耐受能力。

此外，針對應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽半導體的產(chǎn)品也通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核。這一結(jié)果意味著，即使在更為極端的應用場景中，該SiC MOSFET也能保持優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，為新能源汽車、光伏逆變等領域提供穩(wěn)定可靠的功率支持。

蓉矽半導體的這一突破不僅為新能源汽車和光伏逆變等領域帶來了更高質(zhì)量的功率器件選擇，也進一步推動了國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。隨著新能源汽車市場的不斷擴大和光伏逆變技術的不斷進步，對于高性能、高可靠性的功率器件的需求也將持續(xù)增長。蓉矽半導體的SiC MOSFET產(chǎn)品憑借其卓越的性能和可靠性，有望在未來市場中占據(jù)重要地位。

展望未來，蓉矽半導體將繼續(xù)加大研發(fā)投入，不斷提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量，為新能源汽車、光伏逆變等領域提供更多優(yōu)質(zhì)、可靠的功率器件解決方案。同時，公司也將積極拓展國際市場，與全球客戶共同推動功率半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。