泰克云上大講堂—如何測(cè)量MOSFET柵極電荷

功率MOSFET是一種在電源管理、信號(hào)處理、汽車(chē)電子和可再生能源系統(tǒng)等多種應(yīng)用中廣泛使用的高效半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。其器件的開(kāi)關(guān)速度受到內(nèi)部電容的影響，通常在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中以Ciss（輸入電容）和Coss（輸出電容）指出，它們?cè)醋杂谳斎氲臇艠O與漏極之間的電容Cgs和Cgd。除了這些電容參數(shù)之外，柵電荷（Qgs和Qgd）的測(cè)量也是評(píng)估MOSFET開(kāi)關(guān)性能的一個(gè)關(guān)鍵因素。

然而在進(jìn)行實(shí)際測(cè)試時(shí)，常見(jiàn)的測(cè)試難點(diǎn)有：

1. 測(cè)試的動(dòng)態(tài)范圍較大，需要使用專門(mén)的測(cè)試方法和儀器來(lái)準(zhǔn)確測(cè)量；

2. 為了確保測(cè)試結(jié)果的有效性和通用性，必須嚴(yán)格遵守JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

直播預(yù)告（3月22日）

本期云上大講堂，泰克高級(jí)應(yīng)用工程師 林彩霞就將為大家詳細(xì)解讀如何測(cè)量MOSFET柵極電荷：

■MOSFET的評(píng)估參數(shù)簡(jiǎn)介

■解析開(kāi)關(guān)性能的重要評(píng)估參數(shù)—柵電荷

■JEDEC柵電荷測(cè)試方法&演示

審核編輯：劉清