0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-13 14:22 ? 次閱讀

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)是目前最受關(guān)注的晶體管。

MOSFET有兩種類型:N溝道(參見(jiàn)下圖3-4(a)N溝道)和P溝道(參見(jiàn)下圖3-4(b)P溝道)。

N溝道廣泛用于ACDC電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器逆變器設(shè)備等,而P溝道則用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、高邊開(kāi)關(guān)等。

雙極晶體管和MOSFET之間的差異如表3-1所示。

wKgaomVdmtaASj4sAAAl40FTmSA094.png

圖3-4(a)N溝道MOSFET的符號(hào)和操作

wKgZomVdmteATHeyAAAmLSzhTEI512.png

圖3-4(b)P溝道MOSFET的符號(hào)和操作

wKgaomVdmtmAO7hoAADPUNPt-kc085.png

表3-1 BJT和MOSFET的比較

文章來(lái)源:東芝半導(dǎo)體

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7164

    瀏覽量

    213305
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27367

    瀏覽量

    218758
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9693

    瀏覽量

    138194
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

    MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transi
    發(fā)表于 07-11 10:56 ?2964次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語(yǔ):field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
    發(fā)表于 05-08 09:26

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的導(dǎo)通條件

    MOS在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁(Al)柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,稱為金屬
    發(fā)表于 02-10 16:27

    MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

      在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管?! ∑矫媾c三維 (3D)  平面MOSFET
    發(fā)表于 02-24 15:20

    什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

    FinFET成為它們的替代品。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)晶體管縮放?! ∑矫嬖O(shè)計(jì)不會(huì)超出 30 nm 的柵極長(zhǎng)度。柵極
    發(fā)表于 02-24 15:25

    MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

      MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體
    發(fā)表于 03-08 14:13

    功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

    功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Fiel
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:26 ?1.1w次閱讀
    功率<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>的工作特性

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體金屬氧化物半導(dǎo)體型)兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:08 ?8948次閱讀

    了解金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)產(chǎn)品說(shuō)明書,第4部分 —— 脈沖電流額定值

    了解金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)產(chǎn)品說(shuō)明書,第4部分 —— 脈沖電流額定值
    發(fā)表于 11-04 09:51 ?0次下載
    了解<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>(<b class='flag-5'>MOSFET</b>)產(chǎn)品說(shuō)明書,第4部分 —— 脈沖電流額定值

    科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)

    科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:36 ?1149次閱讀
    【<b class='flag-5'>科普</b><b class='flag-5'>小貼士</b>】什么是結(jié)型<b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>(JFET)

    N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-28 15:43 ?0次下載
    N通道NexFET? 功率<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>(<b class='flag-5'>MOSFET</b>) 數(shù)據(jù)表

    帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-11 10:57 ?0次下載
    帶有集成<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b> (<b class='flag-5'>MOSFET</b>) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數(shù)據(jù)表

    帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-11 11:22 ?0次下載
    帶有集成<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>TPS65270數(shù)據(jù)表

    帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-25 10:03 ?0次下載
    帶有集成<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b>(<b class='flag-5'>MOSFET</b>) 的非同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

    帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-25 09:57 ?0次下載
    帶有集成<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)晶體管</b> (<b class='flag-5'>MOSFET</b>) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表