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安世半導(dǎo)體擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

安世半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:安世半導(dǎo)體 ? 2023-06-21 10:34 ? 次閱讀

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝,而現(xiàn)在新增了 LFPAK 56和 LFPAK 88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性,適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、 USB - PD 和電機(jī)控制應(yīng)用。

長(zhǎng)期以來(lái),品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而,一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果,在打開或關(guān)閉MOSFET時(shí)尖峰耐壓升高,從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認(rèn)這一新問(wèn)題后,Nexperia(安世半導(dǎo)體)立即開始研究如何改善其他工藝技術(shù)參數(shù),以幫助解決此問(wèn)題。Nexperia(安世半導(dǎo)體)的不懈努力最終促成了NextPower80/100 V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr(反向恢復(fù)電荷)較低,因此可顯著降低開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的尖峰值,同時(shí)表現(xiàn)出與競(jìng)品MOSFET相同的高效性能,且具有更低的EMI。

通過(guò)為高效率、低尖峰的NextPower 80/100V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列,Nexperia(安世半導(dǎo)體)不僅可以幫助設(shè)計(jì)人員縮小應(yīng)用尺寸并體驗(yàn)到銅夾片封裝的超強(qiáng)可靠性,而且還為設(shè)計(jì)工程師和客戶提供了新的選擇,希望為現(xiàn)有設(shè)計(jì)提供額外的資源。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有15,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia:效率致勝。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:新品快訊 | Nexperia(安世半導(dǎo)體)擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

文章出處:【微信號(hào):Nexperia_China,微信公眾號(hào):安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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