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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

儒卓力 ? 來源: 英飛凌官微 ? 2023-12-29 12:30 ? 次閱讀
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英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商,采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn),我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能,賦能未來。

與 OptiMOS 5 25 V 相比,更低的擊穿電壓可顯著降低通態(tài)電阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS,成為同類最佳的產(chǎn)品。可選的組合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝(帶底部和雙面散熱型)、襯底上的標(biāo)準(zhǔn)柵和中心柵電極,可靈活優(yōu)化的 PCB 布局設(shè)計(jì),以及緊湊的超小型PQFN 2x2 mm2封裝。脈沖電流能力超過 500 A,Rthjc為 1.6 K/W。結(jié)合源極底置封裝,不僅降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時簡化散熱管理,還將功率密度和效率推向了新高度。該產(chǎn)品系列為支持?jǐn)?shù)據(jù)中心配電架構(gòu)的新趨勢(如48:1 DC-DC 轉(zhuǎn)換)提供了飛躍性的支持,開啟服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信人工智能應(yīng)用升級的新篇章,同時最大限度地減少了碳足跡。

主要特點(diǎn)

業(yè)內(nèi)首款 15 V 溝槽功率 MOSFET

與 25 V 節(jié)點(diǎn)相比,RDS(on) 達(dá)到新基準(zhǔn)

出色的 FOMQg/ FOMQOSS

極低的寄生效應(yīng)

提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵極引腳

可選雙面散熱型

主要優(yōu)勢

適用于高轉(zhuǎn)換率DC-DC 轉(zhuǎn)換器

降低導(dǎo)通/開關(guān)損耗

最佳開關(guān)性能和低過沖

源極底置中心柵極可優(yōu)化并聯(lián)電路布局

源極底置標(biāo)準(zhǔn)柵極可與現(xiàn)有PCB 布局輕松匹配

雙面散熱,提高散熱性能

價值主張

適用于高比率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器:

業(yè)內(nèi)首款工業(yè)級 15V 垂直溝槽技術(shù)功率MOSFET

與 OptiMOS 5 25V 相比,RDS(on),max4,5 降低 30%

出色的 FOMQOSS 和 FOMQg

緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝

ID(pulse)=516A,RthJCmax=3.2K/W

雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝:

- 簡化散熱管理

- 降低系統(tǒng)溫度

提高功率密度

15V產(chǎn)品組合

2fd02eba-a5fe-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:英飛凌推出OptiMOS? 7 15 V MOSFET,創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)

文章出處:【微信號:儒卓力,微信公眾號:儒卓力】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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