Vishay推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET

近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。

SiZF4800LDT的推出，旨在提高功率密度和能效，同時(shí)增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)。通過采用先進(jìn)的TrenchFET? Gen IV技術(shù)，該MOSFET在保持低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)速度，從而優(yōu)化了整體能效。

值得一提的是，這款雙通道MOSFET可用來取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省高達(dá)50%的基板空間。這一特點(diǎn)使得SiZF4800LDT成為同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級(jí)等應(yīng)用的理想選擇。

在無線電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備和電動(dòng)工具等領(lǐng)域，SiZF4800LDT的高低邊MOSFET提供了50%占空比的優(yōu)化組合，使得電路驅(qū)動(dòng)更為簡化。此外，其在4.5V下的邏輯電平導(dǎo)通特性進(jìn)一步增強(qiáng)了其在實(shí)際應(yīng)用中的靈活性和便利性。

行業(yè)專家表示，Vishay此次推出的SiZF4800LDT不僅展現(xiàn)了其在功率MOSFET技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也進(jìn)一步推動(dòng)了工業(yè)和通信領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展。通過集成化設(shè)計(jì)和優(yōu)化性能，該產(chǎn)品有望在未來市場中占據(jù)重要地位。

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)功率轉(zhuǎn)換效率的要求也越來越高。Vishay的新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET的推出，無疑為工業(yè)和通信領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了更為高效、可靠的解決方案。我們期待Vishay在未來能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品，為行業(yè)發(fā)展注入更多活力。