0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅MOSFET什么意思

牛牛牛 ? 2023-06-02 15:33 ? 次閱讀
碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車(chē)和航空航天等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8392

    瀏覽量

    219102
  • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    關(guān)注

    6

    文章

    394

    瀏覽量

    19946
  • 功率半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1294

    瀏覽量

    43936
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3044

    瀏覽量

    50170
收藏 0人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?209次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商?hào)叛蹩煽啃晕C(jī)與破局分析

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車(chē)載OBC(車(chē)載充電機(jī))等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問(wèn)題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠性的爆雷后的危機(jī)出來(lái)之后,國(guó)產(chǎn)S
    的頭像 發(fā)表于 04-20 13:33 ?289次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>廠商?hào)叛蹩煽啃晕C(jī)與破局分析

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長(zhǎng)期損害終端客戶(hù)利益和行業(yè)名聲,最終也會(huì)導(dǎo)致投資者血本無(wú)歸。 一
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:40 ?351次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    BASiC:國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導(dǎo)體發(fā)展的必然性 國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕與市場(chǎng)擴(kuò)張的關(guān)鍵期,但也暴露出技術(shù)浮躁、標(biāo)準(zhǔn)缺失、劣幣驅(qū)逐良幣等亂象。與此同時(shí),功率
    的頭像 發(fā)表于 03-16 08:11 ?336次閱讀

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?466次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車(chē)的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?662次閱讀

    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?358次閱讀
    BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品線概述

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢(xún)問(wèn)課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET時(shí)采
    發(fā)表于 01-04 12:30

    為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

    各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢(xún)問(wèn)課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動(dòng)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:39 ?1841次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>特別需要米勒鉗位

    了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-02 09:10 ?2次下載
    了解用于<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的短路保護(hù)方法

    驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

    相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等領(lǐng)域。在橋式電路中,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:48 ?3364次閱讀
    驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>使用米勒鉗位功能的必要性分析

    電子發(fā)燒友

    中國(guó)電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品