?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36
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與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個主要優(yōu)點是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 
是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式，我們解釋了在001方向上KOH：H20中的最小值。實驗對HF：HN03溶液中接近001的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進行了兩個關(guān)鍵預(yù)測。
2022-01-25 13:51:111721 
硅結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實際的反應(yīng)機理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
烯酸，精密地加工出微細的立體形狀。以各向異性烯酸為契機的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細的機械結(jié)構(gòu)體，進而機械地驅(qū)動該結(jié)構(gòu)體，在20世紀70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究
2022-04-22 14:05:022823 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600
2022-05-05 10:59:15854 
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
對于蝕刻反應(yīng)具有不同的活化能，并且Si的KOH蝕刻不受擴散限制而是受蝕刻速率限制，所以蝕刻過程各向異性地發(fā)生:{100}和{110}面比穩(wěn)定面蝕刻得更快 充當(dāng)蝕刻停止{111}平面。 (111)取向
2022-07-11 16:07:221342 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR（各向異性磁阻）線性位置測量解決方案。該電路非常適用于高速，精確，非接觸長度和位置測量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
觸摸屏各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠***冠品***冠品ACA上海海鄭實業(yè)有限公司全面代理3M電子氟化液、電子涂層劑、氟素化學(xué)品，主要用于塑料、金屬、玻璃等表面上形成極薄的透明且
2009-07-04 17:22:48
同性的（即，所有方向的蝕刻速率都相同）或各向異性的（即，不同方向的蝕刻速率不同），盡管在 CMOS 制造中使用的大多數(shù)濕蝕刻劑是各向同性的。通常，與干蝕刻工藝相比，濕蝕刻劑往往具有高度選擇性。濕蝕刻槽
2021-07-06 09:32:40
晶體學(xué)和濕蝕刻的性質(zhì)? 濕的在基于KOH的化學(xué)中，GaN 的化學(xué)蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結(jié)構(gòu)。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
最常見的是用于制造多種微結(jié)構(gòu)（包括例如微腔、懸臂梁）的晶體晶片的濕式各向異性蝕刻、隔膜等）。此外，這些相同的蝕刻也是制造各種集成器件的組成部分，例如加速度計、分束器、晶體管和梳狀結(jié)構(gòu)。使用 MEMS 微加工
2021-07-19 11:03:23
摘要：基于坐標(biāo)變換的光學(xué)變換理論已經(jīng)提出有好多年了，各種新型電磁器件被提出來，該文結(jié)合保角形變換理論設(shè)計了一款電磁波波導(dǎo)轉(zhuǎn)接器件，它的材料是非均勻各向同性的，而且比各向異性電磁器件更容易實現(xiàn)，然而它
2019-06-24 06:26:40
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
有誰知道我可以在EMPRO中實現(xiàn)完全各向異性的方式？我想模擬一個完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣（即張量）。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料？ 以上
2018-11-19 11:01:54
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當(dāng)夾持臂夾持晶片邊緣時，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦?fàn)?，不會發(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
主要有碳黑、石墨、多并苯、各向異性石墨、膨化石墨等。如在涂膏式鉛酸蓄電池的正極板中加入各向異性石墨，可以顯著增加正極板柵的容量并延長電池的循環(huán)壽命。這是由于陽極氧化導(dǎo)致石墨的膨脹而引起正極活性物質(zhì)
2011-03-10 16:36:32
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
證明一種高階各向異性擴散與小波收縮的等價性，并根據(jù)等價性利用高階各向異性擴散與小波收縮的優(yōu)勢，提出高階各向異性擴散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:33
13 各向異性擴散平滑去噪的主要特點是擴散方向的選擇性與定向擴散能力，有效表征信號或圖像的局部結(jié)構(gòu)特征是各向異性擴散的基礎(chǔ)，傳統(tǒng)的梯度表示方法極易受到噪聲干擾。該文
2009-04-23 09:56:3221 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā)，提出了通過調(diào)節(jié)磁場方向來實現(xiàn)對MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法，并由實驗得到驗證：即在微帶換能器寬度一定時，可以增加(或減小)磁場與
2009-05-12 21:42:2131 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點，以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素，溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個新穎的硅各向異性腐蝕的計算機模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:2419 基于改進的各向異性擴散的圖像恢復(fù):擴散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會給張量計算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進的各向異性擴散濾波器來
2009-10-26 11:29:4621 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號的正負組合,分情
2009-10-26 17:00:2220 環(huán)境對各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍，賈宏，陳旭（鄭州大學(xué)化工學(xué)院，鄭州 450002）摘要：各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個重要性能參數(shù)，用
2009-12-14 11:42:1143 本文在研究二階各向異性擴散方程與四階各向異性擴散方程的基礎(chǔ)上，提出了二者結(jié)合的組合擴散算子，同時提出了新的擴散系數(shù)。實驗表明，新方法對高斯噪聲比原有的兩種方法
2010-01-15 11:28:2519 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:5712 一種改進的各向異性高斯濾波算法摘 要：為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 在各向同性介質(zhì)中，折射率與入射光的偏振態(tài)無關(guān)，而在各向異性介質(zhì)中，不同偏振態(tài)的平面波將以不同的速度和方向傳播而出現(xiàn)分支，這種現(xiàn)象稱作雙．折．射．。各向異性
2010-09-13 15:53:580 詳細介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機理，并以HMC1002為例說明其測量原理、芯片以及電路的主要特點，給出了弱磁測量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合，可用于姿
2011-09-06 14:31:44101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法，這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系，同時滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:0321 的影響也反映了進去。 計算結(jié)果與實驗結(jié)果進行了對比， 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。 微電子機械系統(tǒng)（M EM S） 的發(fā)展令人矚目， 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M
2017-11-07 19:48:1425 深度圖像受其測距原理所限，存在邊緣不匹配、無效像素、噪聲等問題，提出一種基于改進的各向異性擴散算法的深度圖像增強方法。首先，校正深度圖像和彩色圖像的位置關(guān)系，并根據(jù)時間連續(xù)性選擇多幀圖像，進行
2017-11-25 11:08:469 摘要： 針對感應(yīng)線圈式車輛檢測器的不足，設(shè)計了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測裝置，能監(jiān)測車輛的到達時間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個獨立
2018-01-20 03:05:38397 機械系統(tǒng)（ Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）工藝的一項核心工藝，利用該技術(shù)可以在硅襯底上加工出各種復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。硅各向異性腐蝕是制造微機械結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一，利用該技術(shù)可以制造出微型傳感器和微執(zhí)行器等精密的三維結(jié)構(gòu)。 硅各向異性腐蝕
2018-02-07 16:27:411 在圖像去噪過程中，為保持圖像邊緣并去除噪聲，提出一種結(jié)合片相似性各向異性擴散（ AD）和沖擊濾波器的圖像去噪和增強模型。采用片相似性AD模型去除圖像中的噪聲，引入沖擊濾波器增強圖像的重要結(jié)構(gòu)特征
2018-02-24 15:37:480 在此次發(fā)表的論文中，在實空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性（如圖3）。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨特的面內(nèi)各向異性，其[001
2018-12-07 14:49:284845 為此，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團隊研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系，實現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動器的多功能化（如圖1）。
2018-12-31 11:26:006930 邏輯芯片是第一個應(yīng)用，但不是唯一的。 Mitra說：“雖然各向異性現(xiàn)在有更多的應(yīng)用，但各向同性蝕刻適應(yīng)新的應(yīng)用和變化。它使客戶能夠解決新的問題，特別是當(dāng)客戶正在越來越多的向3D制程進軍時。如果
2019-09-04 11:29:3410626 強磁場中心薛飛團隊于2019年提出并實現(xiàn)了一種針對納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實驗器件加工工藝，解決了第一個問題。對于第二個問題，此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品，對于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694 
“盡管3D打印為MEMS技術(shù)的施展提供了更大的自由，但只有平均不到1%的3D打印相關(guān)研究集中在MEMS技術(shù)上?！?b class="flag-6" style="color: red">研究人員表示，“這與MEMS制造中3D打印技術(shù)的潛在優(yōu)勢形成了鮮明反差，特別是3D打印還可避免因各向異性蝕刻圖案未對準而導(dǎo)致的3D結(jié)構(gòu)欠蝕刻的相關(guān)問題。”
2020-07-08 09:53:263151 
）研發(fā)了一種摻硼的各向異性釤（Sm，F(xiàn)e0．8Co0．2）12薄膜，其中僅含有少量的稀土元素。該化合物具有1．2特斯拉矯頑力，足以用于汽車電機。該薄膜通過打造一種獨特的顆粒狀納米結(jié)構(gòu)得以實現(xiàn)，其中釤12
2020-10-10 15:48:581907 作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料，黑磷因其獨特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期，幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料（如ReS2、ReSe2；SnS、GeSe等）也被相繼報道。
2020-12-24 12:20:19974 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:07857 
我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評估不同的各向異性蝕刻劑，用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體，可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊，并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工，介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095 
引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
。在堿性溶液中，TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性，并且熱氧化物被用作掩模層時，使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率，氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156 
介紹 在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:48429 
我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后，六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形，十二
2022-02-09 16:45:43824 
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 
各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個表面，則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14372 
摘要 微機電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對硅負載、O2階躍的引入
2022-03-08 14:42:57838 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:342018 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
分析化學(xué)小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514 
我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
在半導(dǎo)體微器件的制造中，必須通過蝕刻各種材料，從表面移除整個層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝：濕法和干法蝕刻，同時進一步分為各向同性和各向異性工藝（見下圖）。
2022-03-17 13:36:28404 
由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā)，溫度對（111）表面電流勢和電流時間結(jié)果的強烈影響支持了化學(xué)活化的重要性，在n型（111）電極上進行的光電流實驗表明，氧化物成核對無源層的生長具有重要意義，提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40550 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 
烯酸，精密地加工出微細的立體形狀。以各向異性烯酸為契機的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細的機械結(jié)構(gòu)體，進而機械地驅(qū)動該結(jié)構(gòu)體，在20世紀70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究
2022-03-29 14:57:261014 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
實驗名稱：功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%，1010
2022-04-14 13:57:511214 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113 
蝕刻，加入CHCI以控制各向異性。大量的氦有助于光致抗蝕劑的保存。已經(jīng)進行了支持添加劑作用的參數(shù)研究。 高速率各向異性等離子體蝕刻工藝對于提高加工VLSI晶片器件的機器的效率非常重要。這篇論文描述了這樣一種用于以高速率( 5000埃/分
2022-06-13 14:33:14904 
本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，鑒于此，四川大學(xué)王玉忠院士和宋飛教授開發(fā)了一種用于本征可潤濕表面圖案化的簡便無掩模限制蝕刻策略。使用常見的印刷技術(shù)和隨后的位置限制化學(xué)蝕刻，可以制造分辨率為200μm的固有、復(fù)雜和精確的圖案（如QR碼）。所創(chuàng)建的各向異性圖案可用于實現(xiàn)水響應(yīng)信息存儲和加密。
2022-07-11 15:09:30894 反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊，基材分子會進入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553386 隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場，面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:591611 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
實驗名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測特性研究中的應(yīng)用實驗?zāi)康?本實驗探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測應(yīng)力的特性，設(shè)計搭建了實驗系統(tǒng)，制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件
2022-09-23 09:22:49340 
材料成為國內(nèi)外研究的重點。本文系統(tǒng)總結(jié)了聚酰亞胺本征薄膜及聚酰亞胺/導(dǎo)熱填料復(fù)合薄膜在各向異性導(dǎo)熱行為方面的研究進展，重點從聚酰亞胺分子結(jié)構(gòu)設(shè)計、各向異性導(dǎo)熱機理
2023-02-22 10:03:291110 
鎳鐵（NiFe）合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點，成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377 
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體元件的體積急劇減小，對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要，這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求，而其
2023-12-14 08:15:52180 
可以使用各向異性導(dǎo)電膠，焊接后可以實現(xiàn)芯片與基板的電信號。如果固化時間不夠優(yōu)化，RFID嵌體的質(zhì)量就會惡化。因此，應(yīng)研究各向異性導(dǎo)電膠材料和固化條件及其帶來的鍵合可靠性變化。
2024-01-05 09:01:41232 
各向異性導(dǎo)電膠（Anisotropic Conductive Adhesives，簡稱ACAs）是一種具有導(dǎo)電性的膠粘劑，可用于電子元器件的連接和封裝。與傳統(tǒng)的導(dǎo)電膠相比，ACAs具有更好的導(dǎo)電性
2024-01-24 11:11:56466 各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性，在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223 
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