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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>三維硅MEMS結(jié)構(gòu)的灰階微加工 光刻和深反應(yīng)離子蝕刻

三維硅MEMS結(jié)構(gòu)的灰階微加工 光刻和深反應(yīng)離子蝕刻

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阿梨是蘋果發(fā)布于 2023-06-25 10:23:29

電池微結(jié)構(gòu)三維成像方法簡介

在數(shù)字化的大背景下,電池結(jié)構(gòu)的數(shù)字化建模和管控成為研究熱點。過去二十年中,層析成像工具的快速發(fā)展為研究人員提供了常規(guī)表征電池電極微結(jié)構(gòu)的工具。鋰離子電池材料的電化學(xué)和機械性能很大程度上取決于其三維微觀結(jié)構(gòu)特性,了解隨機微觀結(jié)構(gòu)的定量影響對于預(yù)測材料特性和指導(dǎo)合成過程以及結(jié)構(gòu)設(shè)計至關(guān)重要。
2023-06-21 15:29:33500

工業(yè)測量儀器三維激光跟蹤儀

激光跟蹤儀是建立在激光和自動控制技術(shù)基礎(chǔ)上的一種高精度三維測量系統(tǒng),主要用于大尺寸空間坐標(biāo)測量領(lǐng)域。它集中了激光干涉測距、角度測量等先進技術(shù),基于球坐標(biāo)法測量原理,通過測角、測距實現(xiàn)三維坐標(biāo)的精密
2023-06-20 10:16:46

三維坐標(biāo)測量機

Mars系列三維坐標(biāo)測量機是移動橋式的坐標(biāo)測量機。采用中圖儀器自主研發(fā)的設(shè)計與測量系統(tǒng),提供了測量機的高精度性能,測量行程500*700*500mm延伸到900*1200*600mm,結(jié)合多樣化
2023-06-20 10:12:21

上海伯東大口徑射頻離子源成功應(yīng)用于12英寸IBE 離子蝕刻

上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526

光學(xué)白光干涉儀

顯重要。通過對三維形貌的測量可以比較全面地評定表面質(zhì)量的優(yōu)劣,進而確認加工方法的好壞及設(shè)計要求的合理性,這樣就可以反過來通過指導(dǎo)加工、優(yōu)化加工工藝以加工出高質(zhì)量的
2023-06-14 14:09:27

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

VT6000共聚焦顯微鏡 超高清三維形貌成像系統(tǒng)

在材料生產(chǎn)檢測領(lǐng)域中,共聚焦顯微鏡主要測量表面物理形貌,進行納米尺度的三維形貌分析,如3D表面形貌、2D的縱深形貌、輪廓(縱深、寬度、曲率、角度)、表面粗糙度等。與傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡相比,它具有更高
2023-05-25 11:27:02

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

激光三維跟蹤測量儀

中圖儀器GTS激光三維跟蹤測量儀集激光干涉測距技術(shù)、光電檢測技術(shù)、精密機械技術(shù)、計算機及控制技術(shù)、現(xiàn)代數(shù)值計算理論于一體,主要用于百米大尺度空間三維坐標(biāo)的精密測量。功能強的主機測量系統(tǒng)1.集成化控制
2023-05-16 16:34:32

二次元三維影像測量儀

。 中圖儀器Novator二次元三維影像測量儀將傳統(tǒng)影像測量與激光測量掃描技術(shù)相結(jié)合,還支持頻閃照明和飛拍功能,可進行高速測量,大幅提升測量效率;具有可獨立升降和
2023-05-15 11:29:26

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

廣州尺寸測量藍光三維掃描注塑件高精度3d尺寸測量檢測服務(wù)

三維掃描
中科院廣州電子發(fā)布于 2023-04-20 17:21:09

廣東三維掃描服務(wù)汽車前中網(wǎng)三維掃描3d比對尺寸檢測服務(wù)

三維掃描
中科院廣州電子發(fā)布于 2023-04-20 17:20:02

三維光學(xué)輪廓共聚焦材料顯微鏡

以共聚焦技術(shù)為原理的共聚焦顯微鏡,是用于對各種精密器件及材料表面進行納米級測量的檢測儀器。 中圖儀器VT6000系列三維光學(xué)輪廓共聚焦材料顯微鏡基于共聚焦顯微技術(shù),結(jié)合精密Z向掃描模塊
2023-04-20 10:52:25

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

喜訊!華秋榮獲創(chuàng)想三維2023年度優(yōu)秀質(zhì)量獎一獎項

4月10日,創(chuàng)想三維2023年度戰(zhàn)略供應(yīng)商大會在惠州成功舉辦,高可靠多層板制造商華秋出席了本次活動并取得了《優(yōu)秀質(zhì)量獎》一獎項。大會現(xiàn)場,創(chuàng)想三維董事長陳春指出公司的持續(xù)發(fā)展與供應(yīng)鏈高質(zhì)量的交付
2023-04-14 11:29:30

高可靠多層板制造服務(wù)再獲認可!華秋榮獲創(chuàng)想三維優(yōu)秀質(zhì)量獎

4月10日,創(chuàng)想三維2023年度戰(zhàn)略供應(yīng)商大會在惠州成功舉辦,高可靠多層板制造商華秋出席了本次活動并取得了《優(yōu)秀質(zhì)量獎》一獎項。大會現(xiàn)場,創(chuàng)想三維董事長陳春指出公司的持續(xù)發(fā)展與供應(yīng)鏈高質(zhì)量的交付
2023-04-14 11:27:20

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

三維激光掃描儀安全使用,小設(shè)備大用途

三維激光掃描儀
泰來三維發(fā)布于 2023-04-11 16:24:29

三維掃描儀安全使用,小設(shè)備大用途,摔不得 技能必備,

三維掃描儀
泰來三維發(fā)布于 2023-03-31 11:47:27

尋Labview 三維云圖程序編寫

因項目需求,需外包Labview 三維云圖程序編寫,做過類似項目的請回復(fù),我聯(lián)系您。
2023-03-31 09:36:47

廣州彩色三維掃描水果芒果表面積及體積檢測技術(shù)服務(wù)-CASAIM

三維掃描
中科院廣州電子發(fā)布于 2023-03-29 14:21:59

PCB加工蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

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