我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體，那么XeF2和SF6可以相互替換嗎？
2024-03-21 15:06:41
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各向異性壓力傳感器由于在識別不同方向力方面的敏感性，在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223 
石墨烯源于獨特的面內(nèi)蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)和sp2雜化碳原子，通過異常強的碳-碳鍵鍵合，表現(xiàn)出顯著的各向異性電學(xué)、機械學(xué)和熱學(xué)性能。
2024-03-12 11:44:09363 
利用磁光克爾效應(yīng)測量磁滯回線，具有速度快、精度高、非接觸、無損傷（不需要對樣品進行加工或切片等額外的操作）等優(yōu)點，可以獲得磁性材料的矯頑力、相對磁化強度以及磁各向異性等信息。
2024-02-22 13:55:47267 
如果陣列中的所有元件都是各向同性的，即它們在各個方向上均勻輻射，它們都具有相同的增益，并且由相同相位和功率的信號驅(qū)動，則合成光束將直接指向它們所安裝的平面。
2024-02-09 01:46:00487 各向異性導(dǎo)電膠（Anisotropic Conductive Adhesives，簡稱ACAs）是一種具有導(dǎo)電性的膠粘劑，可用于電子元器件的連接和封裝。與傳統(tǒng)的導(dǎo)電膠相比，ACAs具有更好的導(dǎo)電性
2024-01-24 11:11:56466 除了正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，柔性溫度傳感材料及傳感器的靈敏度相對較低，電阻溫度系數(shù)（TCR）通常低于100%?°C?1。
2024-01-22 09:48:27279 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
在本研究中，GSA被進一步加工成三明治結(jié)構(gòu)，并深入研究了其作為柔性可穿戴壓力傳感器的可能性。從研究結(jié)果看，由于GSA高度有序的各向異性結(jié)構(gòu)，其可以通過壓阻效應(yīng)快速、準(zhǔn)確地將刺激信號轉(zhuǎn)化為電信號。
2024-01-19 16:16:04164 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。
2024-01-11 10:16:303206 
如果傳輸線是各向同性的，那么只要信號在傳輸，就始終存在一個電流 I，而如果信號的輸出電壓為 V，在信號傳輸過程中，傳輸線就會等效成一個電阻，大小為 V/I，把這個等效的電阻稱為傳輸線的特性阻抗 Z。
2024-01-09 16:15:5480 
各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?，即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的，可以是Ag顆粒，聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣，涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時
2024-01-05 09:01:41232 
碳纖維（UDCF，單向碳纖維是一種僅在纖維方向上提供強度的各向異性材料）相結(jié)合，設(shè)計了一種新型高強度柔性器件。
2024-01-02 16:50:31572 
的物質(zhì)，具有流動性和光學(xué)各向異性。在一定溫度范圍內(nèi)，液晶既具有液體的流動性，又具有晶體的各向異性。液晶的分子排列方式會隨著溫度的變化而變化，從而呈現(xiàn)出不同的光學(xué)性質(zhì)。 空間光調(diào)制器的工作原理 空間光調(diào)制器是一種能
2023-12-19 11:21:55429 大多數(shù)研究表明，前驅(qū)體的類型決定了石墨化的程度。中間相瀝青用于制備軟碳，各向同性瀝青、酚醛樹脂和生物衍生物如纖維素和木質(zhì)素用于制備硬碳。
2023-12-15 09:05:49342 
SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測量方法近年來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體元件的體積急劇減小，對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要，這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術(shù)提供了發(fā)展需求，而其
2023-12-14 08:15:52180 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
復(fù)合材料電路板脆性大、硬度高，纖維強度高、韌性大、層間剪切強度低、各向異性，導(dǎo)熱性差且纖維和樹脂的熱膨脹系數(shù)相差很大，當(dāng)切削溫度較高時，易于在切削區(qū)周圍的纖維與基體界面產(chǎn)生熱應(yīng)力；當(dāng)溫度過高時，樹脂熔化粘在切削刃上，導(dǎo)致加工和排屑困難。
2023-12-08 15:29:32223 另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
在這個示例中，我們基于Mercante等人的工作[1]模擬了一種薄膜鈮酸鋰（LNOI）相位調(diào)制器。通過利用2023 R1.2版本引入的各向異性介電常數(shù)特性，我們在CHARGE中計算了由射頻引發(fā)的電容
2023-11-05 09:26:23432 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
印刷電路板的規(guī)格比較復(fù)雜，產(chǎn)品種類多。本文介紹的是印刷電路板中應(yīng)用廣的環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料的微小孔（直徑0.6mm以下為小孔，0.3mm以下為微孔）加工技術(shù)。復(fù)合材料電路板脆性大、硬度高，纖維強度高、韌性大、層間剪切強度低、各向異性，導(dǎo)熱性差且纖維和樹脂的熱膨脹系數(shù)相差很大
2023-10-16 15:13:12261 蝕刻技術(shù)相比，干法蝕刻技術(shù)可以提供各向異性的輪廓、快速的蝕刻速率，并且已經(jīng)被用于限定具有受控輪廓和蝕刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32244 
以滿足我國半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域的重大需求。 非線性光學(xué)晶體是獲得不同波長激光的物質(zhì)條件和源頭。在晶體中實現(xiàn)應(yīng)用波段相位匹配被普遍認為是重要的技術(shù)挑戰(zhàn)之一，決定最終激光輸出的功率和效率。其中，利用晶體各向異性的雙折射相
2023-10-11 09:47:26334 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 2023-09-15 09:43:52
0 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
SD2315是 基于各向異性磁阻（AMR）技術(shù)高精度磁編碼器芯片。相比于傳統(tǒng)霍爾傳感器，AMR角度傳感器由于工作在飽和區(qū)，降低了對磁場的要求，安裝要求簡單易操作。SD2315廣泛適用于各類電機
2023-09-05 14:29:58
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
這項研究開發(fā)了一款基于保形（conformal）柔性應(yīng)變傳感器陣列和深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的智能血壓和心功能監(jiān)測系統(tǒng)。該傳感器具有高靈敏度、高線性度、快速響應(yīng)與恢復(fù)、高各向同性等多種優(yōu)點。
2023-08-20 09:53:20554 
一層或多層薄膜。從理論和實驗上研究了這些薄膜對溫度靈敏度的影響。使用表面阻抗方法建立了蘭姆波在一般多層板中傳播的理論模型。該模型用于計算各向異性和薄膜對半導(dǎo)體晶片溫度系數(shù)的影響。計算預(yù)測，各向異性為23%的10cm（100）硅
2023-08-18 17:05:57595 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 磁性材料是構(gòu)成現(xiàn)代工業(yè)的重要基礎(chǔ)性材料，在永磁電機、磁制冷、磁傳感、信息存儲、熱電器件等領(lǐng)域扮演著重要角色。
2023-07-30 10:28:46774 
通常認為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級顆粒內(nèi)隨機取向的初級晶粒的晶間裂紋密切相關(guān)，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機械應(yīng)變的積累引起的。
2023-07-30 09:35:111023 
刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 的均質(zhì)材料相比，CFRP 復(fù)合材料具有各向異性，面對復(fù)雜的斷裂現(xiàn)象，例如拉伸、壓縮、彎曲、面內(nèi)剪切、面外剪切等載荷應(yīng)力主軸方向的變化。 本文科準(zhǔn)測控小編將介紹復(fù)合材料剪切試驗，特別是面內(nèi)剪切試驗方法。面內(nèi)剪切試驗方法適用于纖
2023-07-25 10:19:21314 
永磁體支持外部磁場的能力是由于磁性材料內(nèi)的晶體各向異性將小磁疇“鎖定”在適當(dāng)位置。
2023-07-24 15:18:39345 
的上市時間 加利福尼亞州圣何塞和中國江蘇省張家港市2023年7月17日?/美通社/ -- 專注于 AMR （各向異性磁阻）和 TMR （隧道磁阻）技術(shù)的磁傳感器領(lǐng)先制造商多維科技有限公司
2023-07-21 14:14:41457 ADA4571是一款各向異性磁阻(AMR)傳感器，集成了信號調(diào)理放大器和ADC驅(qū)動器。 ADA4571產(chǎn)生兩路模擬輸出，指示周圍磁場的角位置。ADA4571在一個封裝內(nèi)集成兩個芯片，即一個AMR
2023-07-21 13:59:20
ADA4571-2是一款雙通道各向異性磁阻(AMR)傳感器，集成信號調(diào)理放大器和ADC驅(qū)動器。該器件產(chǎn)生模擬輸出，指示周圍磁場的角位置。每個通道在一個封裝內(nèi)集成兩個芯片：一個AMR傳感器和一個可變
2023-07-21 13:57:05
ADA4570 是一款各向異性磁阻 (AMR) 傳感器，具有集成信號調(diào)理放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器。ADA4570 產(chǎn)生兩個差分模擬輸出，指示周圍磁場的角位置。ADA4570 由一個封裝
2023-07-21 13:53:42
ADAF1080 是一款集成了信號調(diào)理功能的單軸、高精度磁場傳感器。該器件內(nèi)置各向異性磁阻 (AMR) 傳感器，集成信號調(diào)理放大器、電氣偏移消除功能、集成診斷功能和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器，可
2023-07-21 13:51:00
磁光克爾效應(yīng)裝置是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)的理想測量工具。旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應(yīng)（RotMOKE）是在磁光克爾效應(yīng)測量基礎(chǔ)上的一種類似于轉(zhuǎn)矩測量各向異性的實驗
2023-07-19 13:11:19383 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
某些鐵磁合金（例如坡莫合金）的電阻大小容易受到外部磁場的影響。這種固態(tài)磁阻效應(yīng)或各向異性磁阻（AMR）可以在薄膜技術(shù)中輕松實現(xiàn)，從而可以生產(chǎn)出精密但又具有成本效益的傳感器，為磁阻角度傳感器的系統(tǒng)設(shè)計提供了理論基礎(chǔ)。
2023-07-11 11:35:54862 
所用相機： ORCA-Flash4.0 V3(C13440-20CU) 應(yīng)用內(nèi)容： 生物組織具有各向異性的物理特性，入射到其中的光會發(fā)生漫射現(xiàn)象。這也是我們無法看到生物組織內(nèi)部的主要原因。我們
2023-07-04 07:11:3495 
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質(zhì)提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
前所未有的特性或功能，包括各向異性設(shè)計、定制化發(fā)射、局部超聲場，以及用于微型機器人的傳感器和執(zhí)行器等。 由于壓電陶瓷的脆性，這些結(jié)構(gòu)的制造要么依賴于傳統(tǒng)的機械加工方法（包括蝕刻、切割和熱壓等），要么局限于包含壓電
2023-06-26 14:56:58231 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
所用相機： Flash4.0 (C11440-22CU) 成像方法： X射線成像 相關(guān)設(shè)置： 能量14keV, 樣品-芯片距離50cm，ROI 2048×700，曝光 時間2ms,轉(zhuǎn)速360°每秒 # 詳細描述 來自擺動源的白光束通過由液氮冷卻的Si(111)或Si(311)雙晶單色器而單色化。輸出X射線的能量范圍為8-72.5keV，具有的能量分辨率小于0.5%。安裝復(fù)合狹縫以限制單色光束的尺寸。一個電離室設(shè)置在下游，以監(jiān)測實驗過程中的通量。單色光束具有45mm(H)×5mm(V)的全視場。動態(tài)X射線顯微技術(shù)(SR-μCT)系統(tǒng)的關(guān)鍵要素是基于
2023-06-26 06:49:38160 
鎳鐵（NiFe）合金具有較強的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點，成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377 
各向異性的。選擇性低，因為其對各個層沒有差異。氣體和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反應(yīng)產(chǎn)物不是氣態(tài)的，顆粒會沉積在晶片或室壁上。
2023-06-20 09:48:563989 
納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺， 從而研究如何使納米線的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導(dǎo)致我們需要考慮如何使納米線的表面功能化，從而以良好的選擇性檢測特定的氣體分子。
2023-06-16 14:12:33961 
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計將在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
參考天線用于定義天線增益。在大多數(shù)情況下，參考天線是無損假設(shè)的全向輻射器 （各向同性輻射器或天線） 向各個方向均勻輻射，或者一個簡單的偶極子天線，至少在所考慮的平面中也可以作為參考。
2023-06-08 16:18:352422 
KMA36位置傳感器將其連接到使用可配置IC通信的Grove兼容擴展端口的系統(tǒng)。 將磁阻元件同模數(shù)轉(zhuǎn)換器和信號處理功能一起置于一個標(biāo)準(zhǔn)的小型封裝內(nèi)。傳感器以5V的外部電壓工作。通過使用各向異性磁阻 (AMR) ，KMA36 能夠以非接觸方式確定外部磁鐵360°范圍內(nèi)的磁場角度。
2023-06-08 15:44:10261 
MS32是一種磁場傳感器，采用惠斯通電橋。它的四個電阻中的每一個都有坡莫合金，一種顯示各向異性磁力的材料阻力效應(yīng)。表面的單向磁場沿y軸平行于芯片（x-y 平面）將提供一個乳場依賴的輸出信號。一個磁性
2023-06-03 10:39:06259 
KMXP5000磁柵尺傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應(yīng)（AMR 效應(yīng)）。這些傳感器提供兩種不同的DFN封裝，可用于多個定位選項。這些封裝可以輕松集成到自動裝配過程中。
2023-06-03 10:16:34249 
ELAF-100L-T30009力傳感器由晶體制成，晶體是各向異性的，非晶是各向同性的。 當(dāng)某些晶體介質(zhì)在一定方向受到機械力的作用時，會發(fā)生極化效應(yīng)； 當(dāng)除去機械力時，它又會恢復(fù)到不帶電狀態(tài)，即受到拉力或壓力時。 有些晶體可能會產(chǎn)生電效應(yīng)，也就是所謂的極化效應(yīng)。
2023-06-02 10:50:06190 
感知器件主要是以敏感材料均質(zhì)薄膜來構(gòu)建，其組成單元各向同性的微觀結(jié)構(gòu)，使其在受彎曲、壓縮或拉伸等不同類型力時具有相同或相似的響應(yīng)模式，造成器件輸出感知信號相近并容易產(chǎn)生相互干擾、且需后端電路或數(shù)學(xué)模型來進行信息解耦處理等問
2023-06-01 08:45:37391 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
的霍爾效應(yīng)、各向異性磁電阻（AMR）、巨磁電阻（GMR）、隧道磁電阻（TMR）等傳感器原理均有介紹，并介紹了美國霍尼韋爾、日本旭化成等先進磁傳感器的性能，對各國研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢進行了探討。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2023-05-27 08:47:34284 
KMA36是一款精確測量轉(zhuǎn)角或直線位移的通用磁性編碼器。芯片包括一個磁阻元件，模數(shù)轉(zhuǎn)換器和信號處理系統(tǒng)。利用AMR各向異性磁阻，KMA36可以非接觸測量360°角位移以及直線位移。傳感器的睡眠/低功耗模式和I2C喚醒功能可以讓電池供電設(shè)備。數(shù)據(jù)可以通過PWM或兩線（SDA，SCL）通訊總線傳輸。
2023-05-19 16:39:46438 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
，KMXP 傳感器提供比常用的霍爾傳感器更高的精度，設(shè)計為在包括高溫在內(nèi)的嚴(yán)苛環(huán)境中提供可靠和準(zhǔn)確的測量。G-MRCO-050傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應(yīng)（AMR
2023-05-18 17:25:04314 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
KMXP磁阻傳感器沿著磁尺移動，位置的變化產(chǎn)生正弦和余弦輸出信號。為了取得滿意的測量結(jié)果，KMXP磁阻傳感器邊沿與磁尺表面的間隙不能超過半個磁極距。由于KMXP磁阻傳感器是基于各向異性磁阻效應(yīng)，信號
2023-05-17 10:30:330 KMXP磁阻傳感器沿著磁尺移動，位置的變化產(chǎn)生正弦和余弦輸出信號。為了取得滿意的測量結(jié)果，KMXP磁阻傳感器邊沿與磁尺表面的間隙不能超過半個磁極距。由于KMXP磁阻傳感器是基于各向異性磁阻效應(yīng)，信號
2023-05-17 10:30:030 G-MRCO-016磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應(yīng)的磁場傳感器。例如，G-MRCO-016磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應(yīng)用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-016磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋，每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:380 G-MRCO-015磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應(yīng)的磁場傳感器。例如，KMT32B磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應(yīng)用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-015磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋，每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:040 拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在講述實際中的天線之前，我們必須首先介紹一種純理論化的天線﹣--﹣各向同性輻射體（ isotropic radiator ）。想象一下，一副在外層空間中與所有其他東西完全隔離的無限小的天線，其
2023-05-15 17:06:40
KMXP2000是一款高精度的線性位置傳感器，它采用了各向異性磁阻(AMR)技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的霍爾傳感器，可以提供更高的位置精度。KMXP2000可以分別與一系列磁極間距的磁柵尺配合使用，同時傳感器
2023-05-05 16:06:40413 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
高理論容量和獨特的層狀結(jié)構(gòu)使MoS?成為一種很有前途的鋰離子電池負極材料。然而MoS?層狀結(jié)構(gòu)的各向異性離子輸運和其較差的本征導(dǎo)電性，導(dǎo)致差的離子傳輸能力。
2023-04-13 09:23:09684 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 npn管pnp管可控硅(晶閘管)的三個腳接了有何用啊我的意思是比如給pnp的n硅的腳加正電，那兩個p是段路還是干嘛。。。。交流電用4個二極管搞成直流再鋁解電容不就行了嗎？？，要兩個3級管搞什么，那兩個是什么管啊呀
2023-04-04 11:30:22
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗
2023-03-28 09:02:36
在過去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開始發(fā)揮越來越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13251 
2) Nd-Fe-B磁鐵 3) 鋁鎳鈷磁鐵 4)粘接釹鐵硼磁鐵3 . 各向同性與各向異性磁鐵 4. PM型與HB型轉(zhuǎn)子使用磁鐵的差異 前言 基本信息 名稱 描述說明 教材名稱 步進電機應(yīng)用技術(shù) 作者 坂
2023-03-23 10:42:580
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