?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36
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與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
烯酸，精密地加工出微細(xì)的立體形狀。以各向異性烯酸為契機(jī)的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu)體，進(jìn)而機(jī)械地驅(qū)動(dòng)該結(jié)構(gòu)體，在20世紀(jì)70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究
2022-04-22 14:05:022823 
接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系奈g刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。
2024-01-11 10:16:303206 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
摘要：基于坐標(biāo)變換的光學(xué)變換理論已經(jīng)提出有好多年了，各種新型電磁器件被提出來，該文結(jié)合保角形變換理論設(shè)計(jì)了一款電磁波波導(dǎo)轉(zhuǎn)接器件，它的材料是非均勻各向同性的，而且比各向異性電磁器件更容易實(shí)現(xiàn)，然而它
2019-06-24 06:26:40
磁電阻線性位置測(cè)量電路提供非接觸式AMR（各向異性磁阻）線性位置測(cè)量解決方案。該電路非常適用于高速，精確，非接觸長度和位置測(cè)量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
。HMC5883L 的所應(yīng)用領(lǐng)域有手機(jī)、筆記本電腦、消費(fèi)類電子、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)和個(gè)人導(dǎo)航系統(tǒng)。HMC5883L 采用各向異性磁阻(AMR)技術(shù)，該技術(shù)領(lǐng)先于其他磁傳感器技術(shù)。這些各向異性傳感器具有在軸向
2016-04-16 09:04:13
： AC1 88% ： H48 12% )。其使用方式與一般的A-B膠極為類似。是一種僅需網(wǎng)印機(jī)，烘箱，對(duì)位熱壓設(shè)備的簡易電性聯(lián)接方式。 AC7室溫固化型各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠***冠品ACA系列：此產(chǎn)品
2009-07-04 17:22:48
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
青睞的刻蝕劑是氟化銨和醋酸1：2的混合水溶液。氮化硅濕法刻蝕對(duì)于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅。可以用液體化學(xué)的方法來刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速
2018-12-21 13:49:20
進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在
2018-09-03 09:31:49
蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
有誰知道我可以在EMPRO中實(shí)現(xiàn)完全各向異性的方式？我想模擬一個(gè)完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個(gè)完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣（即張量）。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料？ 以上
2018-11-19 11:01:54
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
、壓制成型和注塑成型。根據(jù)成型時(shí)是否加外磁場(chǎng)可分為各向同性永磁體和各向異性永磁體。各向同性燒結(jié)鐵氧體永磁材料的
2021-08-31 06:46:52
證明一種高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的等價(jià)性，并根據(jù)等價(jià)性利用高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的優(yōu)勢(shì)，提出高階各向異性擴(kuò)散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:33
13 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā)，提出了通過調(diào)節(jié)磁場(chǎng)方向來實(shí)現(xiàn)對(duì)MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法，并由實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證：即在微帶換能器寬度一定時(shí)，可以增加(或減小)磁場(chǎng)與
2009-05-12 21:42:2131 本文討論了石英微機(jī)械陀螺的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，敘述了用于石英加工的化學(xué)各向異性刻蝕機(jī)理，給出了石英音叉?zhèn)鞲衅鞯募庸し椒?，提供了我們研制的石英微機(jī)械陀螺的試驗(yàn)結(jié)
2009-06-23 09:05:3920 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點(diǎn)，以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素，溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個(gè)新穎的硅各向異性腐蝕的計(jì)算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:2419 基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散的圖像恢復(fù):擴(kuò)散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會(huì)給張量計(jì)算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴(yán)重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散濾波器來
2009-10-26 11:29:4621 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號(hào)的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號(hào)的正負(fù)組合,分情
2009-10-26 17:00:2220 環(huán)境對(duì)各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍，賈宏，陳旭（鄭州大學(xué)化工學(xué)院，鄭州 450002）摘要：各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個(gè)重要性能參數(shù)，用
2009-12-14 11:42:1143 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:5712 一種改進(jìn)的各向異性高斯濾波算法摘 要：為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進(jìn)方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 詳細(xì)介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機(jī)理，并以HMC1002為例說明其測(cè)量原理、芯片以及電路的主要特點(diǎn)，給出了弱磁測(cè)量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合，可用于姿
2011-09-06 14:31:44101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法，這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系，同時(shí)滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:0321 針對(duì)硅在 KOH 中的各向異性腐蝕提出了一個(gè)新的物理模型。 此模型從微觀角度出發(fā)， 根據(jù)實(shí)際的腐蝕化學(xué)反應(yīng)過程確定了若干微觀狀態(tài)， 提出了反映腐蝕特性的若干微觀參數(shù)。 將腐蝕溫度、濃度等對(duì)腐蝕速率
2017-11-07 19:48:1425 深度圖像受其測(cè)距原理所限，存在邊緣不匹配、無效像素、噪聲等問題，提出一種基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散算法的深度圖像增強(qiáng)方法。首先，校正深度圖像和彩色圖像的位置關(guān)系，并根據(jù)時(shí)間連續(xù)性選擇多幀圖像，進(jìn)行
2017-11-25 11:08:469 摘要： 針對(duì)感應(yīng)線圈式車輛檢測(cè)器的不足，設(shè)計(jì)了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測(cè)裝置，能監(jiān)測(cè)車輛的到達(dá)時(shí)間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個(gè)獨(dú)立
2018-01-20 03:05:38397 各向異性又叫非均質(zhì)性，是指物體的物理、化學(xué)等性質(zhì)隨著測(cè)定方向而異的特性H1。硅在某些腐蝕溶液中，不同晶向的腐蝕速率不盡相同，這就是硅各向異性腐蝕的特點(diǎn)。硅各向異性腐蝕技術(shù)是微電子
2018-02-07 16:27:411 在圖像去噪過程中，為保持圖像邊緣并去除噪聲，提出一種結(jié)合片相似性各向異性擴(kuò)散（ AD）和沖擊濾波器的圖像去噪和增強(qiáng)模型。采用片相似性AD模型去除圖像中的噪聲，引入沖擊濾波器增強(qiáng)圖像的重要結(jié)構(gòu)特征
2018-02-24 15:37:480 反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。
2018-05-16 09:38:3540590 在此次發(fā)表的論文中，在實(shí)空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性（如圖3）。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的面內(nèi)各向異性，其[001
2018-12-07 14:49:284845 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 為此，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團(tuán)隊(duì)研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對(duì)稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系，實(shí)現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動(dòng)器的多功能化（如圖1）。
2018-12-31 11:26:006930 強(qiáng)磁場(chǎng)中心薛飛團(tuán)隊(duì)于2019年提出并實(shí)現(xiàn)了一種針對(duì)納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實(shí)驗(yàn)器件加工工藝，解決了第一個(gè)問題。對(duì)于第二個(gè)問題，此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品，對(duì)于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694 
高保真度制造關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)，刻蝕工藝需要選擇性超高的定向（各向異性）技術(shù)，同時(shí)還要保證量產(chǎn)所需的高生產(chǎn)效率。
2020-08-20 10:35:00965 ）研發(fā)了一種摻硼的各向異性釤（Sm，F(xiàn)e0．8Co0．2）12薄膜，其中僅含有少量的稀土元素。該化合物具有1．2特斯拉矯頑力，足以用于汽車電機(jī)。該薄膜通過打造一種獨(dú)特的顆粒狀納米結(jié)構(gòu)得以實(shí)現(xiàn)，其中釤12
2020-10-10 15:48:581907 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072510 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588546 
作為一種新型的二維半導(dǎo)體材料，黑磷因其獨(dú)特的面內(nèi)各向異性引起了研究人員的廣泛關(guān)注。近期，幾種其它面內(nèi)各向異性二維材料（如ReS2、ReSe2；SnS、GeSe等）也被相繼報(bào)道。
2020-12-24 12:20:19974 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評(píng)估不同的各向異性蝕刻劑，用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體，可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊，并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工，介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021095 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對(duì)硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
。在堿性溶液中，TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性，并且熱氧化物被用作掩模層時(shí)，使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率，氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系奈g刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
摘要 金剛石具有優(yōu)良的物理和電子性能，因此使用金剛石的各種應(yīng)用正在開發(fā)中。此外，通過蝕刻技術(shù)控制金剛石幾何形狀對(duì)于這類應(yīng)用至關(guān)重要。然而，用于蝕刻其他材料的傳統(tǒng)濕法工藝對(duì)金剛石無效。此外，目前用于
2022-01-21 13:21:54892 
蝕刻是一種技術(shù)，其中材料中電子和空穴的光生增強(qiáng)了材料的化學(xué)蝕刻。本文已經(jīng)對(duì)各種半導(dǎo)體材料進(jìn)行了濕法PEC蝕刻研究，結(jié)果表明，濕法PEC蝕刻可以產(chǎn)生高蝕刻速率、良好的各向異性，以及不同摻雜和帶隙材料之間的高選擇性 。明斯基等
2022-02-07 14:35:421479 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評(píng)估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:342018 
分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514 
我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
在半導(dǎo)體微器件的制造中，必須通過蝕刻各種材料，從表面移除整個(gè)層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝：濕法和干法蝕刻，同時(shí)進(jìn)一步分為各向同性和各向異性工藝（見下圖）。
2022-03-17 13:36:28404 
由化學(xué)反應(yīng)觸發(fā)，溫度對(duì)（111）表面電流勢(shì)和電流時(shí)間結(jié)果的強(qiáng)烈影響支持了化學(xué)活化的重要性，在n型（111）電極上進(jìn)行的光電流實(shí)驗(yàn)表明，氧化物成核對(duì)無源層的生長具有重要意義，提出了一種結(jié)合表面化學(xué)和電化學(xué)的機(jī)理來解釋陽極氧化過程中明顯的各向異性。
2022-03-22 15:36:40550 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 
烯酸，精密地加工出微細(xì)的立體形狀。以各向異性烯酸為契機(jī)的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu)體，進(jìn)而機(jī)械地驅(qū)動(dòng)該結(jié)構(gòu)體，在20世紀(jì)70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究
2022-03-29 14:57:261014 
實(shí)驗(yàn)名稱：功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測(cè)特性研究中的應(yīng)用
2022-04-06 15:47:271597 
。掃描電鏡圖像顯示，氧化鋅薄膜的厚度隨著刻蝕時(shí)間的延長而減小，這是氫氮溶液各向同性刻蝕的結(jié)果。光致發(fā)光發(fā)射強(qiáng)度最初隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加。然而，隨著樣品的進(jìn)一步蝕刻，由于表面-體積比的降低，光致發(fā)光光譜顯示出強(qiáng)度降低的趨勢(shì)。結(jié)果表明，1.0%HNO有顯著改變氧化鋅表面形貌的能力。
2022-04-24 14:58:20930 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們?cè)谀承┓较蛏系奈g刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動(dòng)力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因?yàn)楦煞ㄎg刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對(duì)于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲(chǔ)壽命取決于熱穩(wěn)定性勢(shì)壘和磁各向異性場(chǎng)，面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 14:29:591611 
其制造工藝流程如下：首先形成補(bǔ)償側(cè)墻 (Offset Spacer)，經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后，選擇性地進(jìn)行圖形化，在p型源漏區(qū)先進(jìn)行干法刻蝕，使其凹陷適當(dāng)?shù)纳疃?30~100nm)；然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔（Diamond Cavity，又稱“∑”形狀）
2023-01-05 14:08:312144 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184083 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072583 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在鐵磁鋼材應(yīng)力致磁各向異性定量檢測(cè)特性研究中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)?zāi)康?本實(shí)驗(yàn)探究了應(yīng)力致磁各向異性的物理表現(xiàn)及其定量檢測(cè)應(yīng)力的特性，設(shè)計(jì)搭建了實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，制作了鐵磁性Q195鋼材平板試件
2022-09-23 09:22:49340 
鎳鐵（NiFe）合金具有較強(qiáng)的各向異性磁電阻效應(yīng)、較高的居里溫度、易于實(shí)現(xiàn)與電路集成以及較低的制作成本等優(yōu)點(diǎn)，成為開發(fā)磁電阻傳感器的首選材料。
2023-06-21 09:29:50377 
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進(jìn)行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)
2023-08-22 16:32:01407 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
SDTR一種薄膜面內(nèi)各向異性熱導(dǎo)率的測(cè)量方法近年來，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體元件的體積急劇減小，對(duì)芯片或薄膜材料的熱物性探究至關(guān)重要，這樣給予針對(duì)超小尺寸的熱物性探測(cè)技術(shù)提供了發(fā)展需求，而其
2023-12-14 08:15:52180 
各向異性導(dǎo)電膠能夠?qū)崿F(xiàn)單方向?qū)щ?，即垂直?dǎo)電而水平不導(dǎo)電。各向異性導(dǎo)電膠的固體成分是多樣的，可以是Ag顆粒，聚合物和合金焊粉。固化溫度范圍很廣，涵蓋100到200多攝氏度。RFID芯片在與基板鍵合時(shí)
2024-01-05 09:01:41232 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
各向異性導(dǎo)電膠（Anisotropic Conductive Adhesives，簡稱ACAs）是一種具有導(dǎo)電性的膠粘劑，可用于電子元器件的連接和封裝。與傳統(tǒng)的導(dǎo)電膠相比，ACAs具有更好的導(dǎo)電性
2024-01-24 11:11:56466 各向異性壓力傳感器由于在識(shí)別不同方向力方面的敏感性，在下一代可穿戴電子設(shè)備和智能基礎(chǔ)設(shè)施中越來越受到關(guān)注。
2024-03-20 09:25:48223 
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